Обработка результатов измерений. 4.1. По результатам измерений построить четыре семейства характеристик БПТ:

4.1. По результатам измерений построить четыре семейства характеристик БПТ:

· Входные характеристики БПТ для схемы включения с общей базой: IЭ=f(UЭБ) при UКБ= 0; 4; 8 В.

· Выходные характеристики БПТ для схемы включения с общей базой: IК=f(UКБ) при IЭ= 5; 10; 15; 20; 25 mA.

· Входные характеристики БПТ для схемы включения с общим эмиттером: IБ=f(UБЭ) при UКЭ= 0; 4; 8 В.

· Выходные характеристики БПТ для схемы включения с общим эмиттером: IК=f(UКЭ) при IБ= 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5 mA.

Каждое семейство характеристик строится на отдельном рисунке.

4.2. По выходным характеристикам для обеих схем включения БПТ определить графическим способом дифференциальный параметр – входное сопротивление. Для схемы с общей базой при UКБ = 4 В. Для схемы с общим эмиттером при UКЭ = 4 В. Параметры определять для рабочей точки на линейном участке характеристик.

4.3. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить выходную проводимость при IБ = 15 mA и коэффициент передачи тока базы при UКЭ = 4 В. Параметры определять для рабочей точки на участке характеристик, соответствующим активному режиму работы транзистора.

4.4. На семействе выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой, построить кривую допустимой мощности рассеивания Р max, которая представляет собой гиперболу IК = Р max/ UКБ. Расчет производить для Р max= 0,1 Вт.

Дата добавления: 2015-05-06