Биполярный транзистор 2Т874Б

Барьерная и диффузионная емкости диода

Барьерная емкость соответствует обратновключенному p-n-переходу, который рассматривается как обычный конденсатор, где пластинами являются границы обедненного слоя, а сам обедненный слой служит несовершенным диэлектриком с увеличенными диэлектрическими потерями

где – относительная диэлектрическая проницаемость; – электрическая постоянная; – площадь запирающего слоя; – толщина запирающего слоя.

Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в n- и p-областях при прямом напряжении на переходе.

Емкость представляет собой отношение зарядов к разности потенциалов:

, иначе

, где τр - время жизни электронов, проникнувших в p-область (или дырок в n-область)

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзистор используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» — «два»).

Дата добавления: 2015-05-06