Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

В полупроводниках с различными типами электропроводности




до соприкосновения (а); после соприкосновения (б)

При соприкосновении полупроводников в погра­ничном слое происходит рекомбинация (воссоединение) электронов и дырок. Свободные электроны из зоны полу­проводника n-типа занимают свободные уровни в валент­ной зоне полупроводника р-типа. В результате вблизи гра­ницы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда и поэтому обладающий вы­соким удельным сопротивлением, - так называемый запи­рающий слой (рис. 80 б). Толщина запирающего слоя l обычно не превышает нескольких микрометров.

Расширению запирающего слоя препятствуют не­подвижные ионы донорных и акцепторных примесей, ко­торые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов ∆φк на границе полупроводников (рис. 81). Возникшая разность потенциалов создает в запи­рающем слое электрическое поле напряженностью Езап, препятствующее как переходу электронов из полупровод­ника n-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n-типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупро­водник n-типа, как и дырки из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная раз­ность потенциалов препятствует движению основных но­сителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через р-п-переход неосновных носителей {дрейфовый ток Iдр) происходит снижение контактной разности потенциалов, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих доста­точной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обу­словленный контактной разностью потенциалов. Появля­ется диффузионный ток 1диф, который направлен навстречу дрейфовому току 1др, то есть возникает динамическое рав­новесие, при котором 1др= 1диф.

Если к p-n-переходу приложить внешнее напряже­ние Uобр, которое создает в запирающем слое электриче­ское поле напряженностью Евн, совпадающее по направле­нию с полем неподвижных ионов напряженностью Езап (рис. 82 а), то это приведет к расширению запирающего слоя, так как носители заряда уйдут от контактной зоны. При этом сопротивление p-n-перехода велико, ток через него мал, так как обусловлен движением неосновных носителей заряда. В этом случае ток называют обратным Iобр а р-п-переход - закрытым.

При противоположной полярности источника на­пряжения (рис. 82 б) внешнее поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запираю­щего слоя уменьшается. Сопротивление р-п-перехода резко снижается и возникает сравнительно большой ток. В этом случае ток называют прямым 1пр, а р-п-переход - открытым.

Рис. 82. p-n-переход во внешнем электрическом поле:

а) к p-n-переходу приложено обратное напряжение;

б) к p-n-переходу приложено прямое напряжение

На рис. 83 показана вольт-амперная характеристи­ка p-n-перехода. Пробой p-n-перехода связан с тем, что при движении через p-n-переход под действием электрического поля неосновные носители заряда приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов полупровод­ника. В переходе начинается лавинообразное размножение носителей заряда, что приводит к резкому увеличению об­ратного тока через p-n-переход при почти неизменном об­ратном напряжении. Этот вид электрического пробоя на­зывают лавинным. Обычно он развивается в относительно широких p-n-переходах, которые образуются в слаболеги­рованных полупроводниках.

Рис. 83. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода

В сильнолегированных полупроводниках ширина запирающего слоя меньше, что препятствует возникнове­нию лавинного пробоя, так как движущиеся носители не приобретают энергии, достаточной для ударной иониза­ции. В таких полупроводниках возможно возникновение эффекта Зенера, когда при достижении критической на­пряженности электрического поля в p-n-переходе за счет энергии поля появляются пары носителей электрон - дыр­ка, и существенно возрастает обратный ток р-п-перехода.

Для электрического пробоя характерна обрати­мость, заключающаяся в том, что первоначальные свойст­ва p-n-перехода полностью восстанавливаются, если сни­зить напряжение на p-n-переходе. Благодаря этому элек­трический пробой используют в качестве рабочего режима в полупроводниковых диодах.

Если температура p-n-перехода возрастает в ре­зультате его нагрева обратным током и недостаточного теплоотвода, то усиливается процесс генерации пар носи­телей заряда. Это приводит к дальнейшему увеличению обратного тока и нагреву p-n-перехода, что может вызвать разрушение перехода. Такой процесс называют тепловым пробоем. Тепловой пробой разрушает р-п-переход,

В сильнолегированных полупроводниках может возникать квантово-механический туннельный эффект, который состоит в том, что при очень малой толщине за­пирающего слоя основные носители могут преодолевать запирающий слой без изменения энергии, что приводит к возрастанию тока на этих участках.

Закрытый p-n-переход обладает -электрической ем­костью, которая зависит от его площади и ширины, а так­же от диэлектрической проницаемости запирающего слоя.

Свойства p-n-перехода широко используются в по­лупроводниковых приборах.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 916; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.