Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Источники вторичного электропитания




Интегральные микросхемы

Интегральная микросхема - микроэлектронное изделие, содержащее не менее пяти активных элементов (транзисторов, диодов) и пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, дросселей), которые изготавливаются в едином технологическом процессе, электрически соединены между собой, заключены в общий корпус и представляют неделимое целое.

Основные параметры интегральных микросхем:

• плотность упаковки (количество элементов в единице объема);

• степень интеграции (количество элементов в микросхеме).

По степени интеграции интегральные микросхемы делятся:

I степень интеграции - до 10 элементов;

II степень интеграции - от 10 до 100 элементов;

III степень интеграции - от 100 до 1000 эле­ментов и т.д.

По конструктивно-технологическому признаку на:

Гибридные — пассивные элементы таких микросхем выполнены посредством нанесения пленок на поверхность диэлектрической подложки; активные элементы представляют собой бескорпусные полупроводниковые приборы (плотность упаковки - до 150 эл/см3; степень интеграции -1 и II).

Полупроводниковые - все элементы таких микросхем выполнены в объеме и на поверхности полупроводника (плотность упаковки - до 105 эл/см3; степень интеграции - VI и выше).

Интегральные микросхемы делятся на аналоговые и цифровые. Для аналоговых характерна пропорциональность входных и выходных сигналов, на них строятся усилители и генераторы аналоговых сигналов. Цифровые микросхемы применяются в ЭВМ.

 

Электростанции вырабатывают электрическую энергию переменного тока частотой 50 Гц. Это объясняет­ся необходимостью передачи энергии на большие расстоя­ния по высоковольтным линиям с использованием транс­форматоров напряжения. На практике же возникает необ­ходимость применения постоянного тока: в первую оче­редь это относится к устройствам электроники, питание которых осуществляется напряжением постоянного тока.

Для преобразования переменного тока в постоянный служат электронные выпрямители, относящиеся к источни­кам вторичного электропитания. В состав электронного вы­прямителя входят: трансформатор, преобразующий напря­жение сети до необходимого значения; диоды, осуществ­ляющие выпрямление тока; сглаживающий фильтр, умень­шающий пульсации выпрямленного напряжения; стабили­затор, поддерживающий неизменным напряжение на на­грузке. В зависимости от назначения выпрямителя и предъ­являемых к нему требований некоторые из перечисленных узлов могут отсутствовать.

В электронике наибольшее распространение получили однополупериодный и двухполупериодный выпрямители.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 430; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.