Лабораторная работа № 6

РАБОЧЕЕ ЗАДАНИЕ

ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО СТЕНДА

В состав лабораторного стенда входят:

• базовый лабораторный стенд.

• лабораторный модуль Lab5A для исследования характеристик поле­вого транзистора типа КПЗОЗВ.

Подготовьте шаблон отчета в редакторе MS Word.

Установите лабораторный модуль Lab5A на макетную плату лабора­торной станции NI ELVIS. Внешний вид модуля показан на рис. 5.9.

При исследовании характеристик полевого транзистора используется схема, изображенная на рис.5.10.

Рис. 5.9. Внешний вид модуля LabSA Рис. 5.10. Принципиальная электри-
для исследования характеристик ческая схема для исследования ха-
полевого транзистора рактеристик полевого транзистора

Загрузите и запустите программу Lab-5.vi.

После ознакомления с целью работы нажмите кнопку «Начать ра­боту». На экране появится изображение ВП, необходимого для выполне­ния задания 1 (рис. 5.11).

Рис. 5.11. Лицевая панель ВП при выполнении задания 1

Задание 1. Получение передаточной характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком

4.1.1. С помощью цифрового элемента управления, находящегося на передней панели ВП, установите значение напряжения питания стока Еc

равным 5 В. Нажмите на панели ВП кнопку «Измерение». На графическом индикаторе ВП появится график зависимости выходного тока 1_С транзи­стора от входного напряжения U _зи.

Скопируйте изображение, полученное на графическом индикаторе, на страницу отчета.

4.1.2. Изменяя напряжение источника ЭДС затвора Е₃ с помощью ползункового регулятора, расположенного на панели ВП, установите зна­чение тока стока 1_С примерно равным 0,01 мА. Запишите в отчет значение напряжения отсечки затвор-исток U_3U._omc.

4.1.3. Изменяя напряжение источника ЭДС затвора Е₃ с помощью ползункового регулятора, расположенного на панели ВП, установите зна­чение напряжения затвор-исток U _зи равным О В. Запишите в отчет началь­ное значение тока стока 1с.нач-

АЛЛ. Вычислите значение коэффициента к, учитывающего конст­руктивные и технологические параметры транзистора, по формуле

К=I.нач/(Uзи.отс)^2•

Рис. 5.12. Лицевая панель ВП при выполнении задания 2

4.1.5. Изменяя напряжение источника ЭДС затвора Е₃ с помощью ползункового регулятора, расположенного на панели ВП, установите зна­чение напряжения затвор-исток U _ЗИ сначала равным и_ЗИ.1 = -0,1 В, а затем равным U _ЗИ.2 ⁼ +0,1 В. Запишите в отчет значения тока стока I_c.1 и 1_С.2 для этих точек передаточной характеристики.

4.1.6. Вычислите и запишите в отчет значение крутизны передаточ­ной характеристики полевого транзистора в окрестности точки U_ЗИ=0 по формуле S=(I_C2 - Ic.1)/(U_ЗИ2 - U_ЗИ1/).

66

4.1.7. Нажмите на передней панели ВП кнопку «Перейти к зада­нию 2», на экране появится лицевая панель ВП, необходимая для выпол­нения задания 2 (рис.5.12).

Задание 2. Получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток

4.2.1. С помощью цифрового элемента управления, находящегося на
передней панели ВП, установите значение напряжения питания стока Е_с,
равным 5 В. Нажмите на панели ВП кнопку «Измерение». На графическом
индикаторе ВП появится график зависимости сопротивления канала Rk
полевого транзистора от напряжения затвор-исток U _ЗИ-

Скопируйте изображение зависимости сопротивления канала поле­вого транзистора от напряжения затвор-исток в отчет.

Рис. 5.13. Лицевая панель ВП при выполнении задания 3

4.2.2. Изменяя напряжение источника ЭДС затвора Е₃ с помощью ползункового регулятора, расположенного на панели ВП, установите зна­чение тока стока 1_С примерно равным 0,01 мА. Запишите в отчет значение сопротивления R к.макс > соответствующее напряжению U_3И.omc (закрытое со­стояние транзистора).

4.2.3. Изменяя напряжение источника ЭДС затвора Е₃ с помощью ползункового регулятора, расположенного на панели ВП, установите зна­чение напряжения затвор-исток равным О В. Запишите в отчет значение сопротивления Rk.миh, соответствующее напряжению U _3И=0 (открытое со­стояние транзистора).

4.2.4. Нажмите на передней панели ВП кнопку «Перейти к зада­нию 3», на экране появится лицевая панель ВП, необходимая для выпол­нения задания 3 (рис. 5.13).

67

Задание 3. Получение семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком

4.3.1. Нажмите на панели ВП кнопку «Измерение». На графическом индикаторе ВП появятся графики зависимостей тока стока 1_С от напряже­ния сток-исток UcИ, полученные при плавном изменении напряжения на стоке транзистора от 0 до 10 В и фиксированных значениях напряжения источника ЭДС затвора U _ЗИ = -1,5 В; -1,0 В; -0,5 В; 0 В; +0,5 В. Уста­новившиеся при этом значения напряжения Uзи отображаются на поле гра­фика.

4.3.2. Скопируйте изображение выходных характеристик транзисто­ра в отчет. Средствами MS Word для каждой кривой отметьте соответст­вующие значения напряжения затвор-исток.

4.3.3. При фиксированном напряжении сток-исток, равном U _Си ⁼5 В, определите ток стока 1_С, соответствующий значениям напряжения на за­творе, при которых снимались выходные характеристики.

Для этого с помощью расположенного на панели ВП ползункового регулятора «X» установите вертикальную визирную линию напротив де­ления «5 В» горизонтальной оси графика выходных характеристик. Затем с помощью горизонтальной визирной линии, перемещаемой ползунковым регулятором «Y», получите значения тока стока в точках пересечения вы­ходных характеристик с вертикальным визиром. Полученные результаты запишите в отчет.

4.3.4. Определите крутизну передаточной характеристики транзи­
стора S при изменении напряжения затвор-исток в диапазоне от -1,0 В

до 0 В по формуле S =d1c /d U зи- Полученное значение запишите в отчет.

4.3.5. Выберите сопротивление в цепи стока равным Rc=300 Ом, а величину напряжения источника ЭДС стока Ec=5 В, и средствами MS Word постройте в отчете на графике выходных характеристик транзистора линию нагрузки по двум точкам: точка Е_с = 5 В на оси абсцисс и точка 1_С — Ec//Rc на оси ординат.

4.3.6. Оцените границы активного режима транзисторного каскада,

которые определяются координатами (1с.макс,Uси.мин и 1с.мин,Uси.макс) точек пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками, полу­ченными, соответственно, при значениях напряжения затвор-исток -1,0 В и +0,5 В. Полученные значения запишите в отчет.

4.3.7. Вычислите ток стока Ic = 1с.макс- 1с.мин для средней точки ак­
тивного режима, и определите по передаточной характеристике соответст-

вующее значение напряжения затвор-исток U зи •

4.3.8. Нажмите на передней панели ВП кнопку «Перейти к зада­
нию 4», на экране появится лицевая панель ВП, необходимая для выпол­
нения задания 4 (рис. 5.14).

Рис. 5.14. Лицевая панель ВП при выполнении задания 4

Задание 4. Исследование работы транзисторного каскада с общим истоком

4.4.1. Установите с помощью органов управления ВП амплитуду на­
пряжения источника входного гармонического напряжения и_вх._т -0, и ве­
личину напряжения источника ЭДС стока Е_с⁼ 5 В. Нажмите кнопку «Из­
мерение».

На графике выходных характеристик транзистора появится изобра­жение линии нагрузки. Сравните его с изображением, полученным при выполнении п.4.3.5.

4.4.2. Установите напряжение источника ЭДС затвора Е₃, равное
значению U зи, полученному в п.4.3.7. Измерьте и запишите в табл. 5.1 па­
раметры статического режима транзисторного усилителя с общим исто­
ком.

4.4.3. Плавно увеличивая амплитуду входного сигнала и_вх._т, получи­те на графическом индикаторе ВП максимальный неискаженный выходной сигнал. Скопируйте изображение выходного сигнала в отчет. Сопоставьте осциллограммы и сделайте вывод о соотношении фаз входного и выходно­го сигналов транзисторного каскада с общим истоком.

4.4.4. С помощью ВП измерьте значения амплитуд входного U_BХ ^и выходного и_вых сигналов. Для этого, используя визирные линии графиче-

69

ских индикаторов, определите по осциллограммам входного и выходного сигналов максимальные и минимальные мгновенные значения указанных напряжений. При отсчете значений напряжения используйте цифровые индикаторы, совмещенные с ползунковыми регуляторами ВП. Для опреде­ления амплитуды сигналов используйте формулу U _т=(U_тах-Umin)/2. Полу­ченные результаты запишите в отчет.

4.4.5. Используя полученные значения амплитуды входного и вы­ходного сигналов, определите коэффициент усиления транзисторного кас­када по формуле Ky=U_вых.т/U_ex._m. Результат запишите в отчет.

4.4.6. Вычислите коэффициент усиления транзисторного каскада по формуле Ky=S*R_c-, где S - значение крутизны, полученное в п.4.3.4. Ре­зультат запишите в отчет. Сравните измеренное (п.4.4.5) и рассчитанное значения коэффициента усиления. Объясните полученный результат.

4.4.7. Исследуйте, как влияет положение рабочей точки на работу транзисторного каскада с общим истоком. Для этого, регулируя напряже­ние источника ЭДС затвора Е₃, измените значение напряжения затвор-исток примерно на 30% от величины U _3И, полученной в разделе 4.3.7, сна­чала в сторону увеличения, а затем в сторону уменьшения. Пронаблюдайте характер искажения выходного сигнала. Скопируйте в отчет изображение, полученное на графическом индикаторе ВП в обоих случаях. Объясните причину наблюдаемых искажений выходного сигнала.

4.4.8. Выключите ВП, для чего нажмите на панели ВП кнопку «За­вершение работы».

•■ 5. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

• Какие транзисторы называются полевыми или униполярными? Объ­ясните происхождение таких названий.

• Как устроен полевой транзистор с изолированным затвором? Почему его называют МОП-транзистором?

• Как устроен полевой транзистор с управляющим р-n-переходом?

• Чем отличается принцип действия полевых транзисторов с р-n-переходом и с изолированным затвором?

• Чем отличаются МОП-транзисторы со встроенным и индуцирован­ным каналом.

• Как выглядят передаточные характеристики полевых транзисторов известных Вам типов?

• Имеются ли существенные различия в выходных характеристиках полевых транзисторов разного типа?

• Какие характерные области выделяют на выходных ВАХ полевого транзистора?

• Каковы особенности применения полевых транзисторов в зависимо­сти от положения его рабочей точки на выходных характеристиках?

• Какие схемы включения полевых транзисторов Вам известны? При­ведите их основные характеристики?

• Какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравне­нию с биполярными?

• Насколько точно определены в работе параметры полевого транзи­стора? От чего может зависеть качество полученных результатов?

Дата добавления: 2015-05-06