Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Загрузка...

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Расчет h-параметров биполярного транзистора по статическим характеристикам




Для определения h-параметров широко применяется графические методы с использованием входных и выходных статических вольтамперных характеристик транзистора. Рассмотрим его применение для случая включения транзистора по схеме с ОЭ.

Для схемы включения транзистора с ОЭ уравнения четырехполюсника в системе h- параметров на основе (5.26) можно записать в виде:

. (6.6)

На основе (6.10) для h- параметров имеем:

, , , . (6.7)

Переходя от малых амплитуд переменных токов и напряжений в (6.7) к конечным приращениям, получим:

, , , . (6.8)

Таким образом, определяя приращения токов и напряжений около заданной точки на соответствующей характеристике транзистора на основе (6.8) можно рассчитать h-параметры.

На рисунке 6.5 показана методика определения и , используя семейство входных характеристик в схеме с ОЭ. Для определения выбираем в семействе

Рис.6.5. К определению и параметров биполярного транзистора.

 

входных характеристик характеристику при постоянном . На этом графике отметим заданную точку О, соответствующий току базы . Около этой точки отложим вдоль графика равные отрезки ОА и ОВ. Проектируя точки А и В на оси координат находим приращения напряжения и тока и рассчитываем по первой формуле (6.8): .

Для расчета проводим линию постоянного тока базы и определяем точки пересечения О и О этой линии со входными характеристиками. Разность напряжений на коллекторе в этих точках определить напряжение приращения коллекторного напряжения: . Из точек пересечения О и О опускаем вертикальные линии на ось напряжения и определяем приращение соответствующего напряжения базы . Затем рассчитываем на основе третьей формулы (6.8): .

Параметры и находят по семейству выходных характеристик (рис. 6.6). Для расчета на характеристике при заданном токе базы выбираем точку О, соответствующий тому же значению , что и на графике со входными характеристиками. От этой точки отложим вдоль графика равные отрезки ОА и ОВ. Аналогично проектируя точки А и В на оси координат находим приращения напряжения и тока и рассчитываем по четвертой формуле (6.8): .

 

Рис.6.6. К определению и параметров биполярного транзистора.

 

Для определения проведем вертикальную линию через точку О до пересечения в точке О с графиком при . Для этих двух точек по графику рассчитаем приращения токов и и определим из второй формулы (6.8) : .

 





Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 2131; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:





studopedia.su - Студопедия (2013 - 2017) год. Не является автором материалов, а предоставляет студентам возможность бесплатного обучения и использования! Последнее добавление ip: 54.144.36.228
Генерация страницы за: 0.772 сек.