Требования к оформлению

Материал выполненного задания располагается в следующем последовательности:

· титульный лист

· содержание задания с исходными данными

· содержание, включающее основные и промежуточные результаты расчетов, разделенные на разделы и подразделы

· графики и схемы в соответствии с последовательностью пунктов задания

· выводы

Контрольные вопросы

1. Какие исходные данные могут быть использованы для расчета резистивных каскадов усилителей?

2. Условия, предъявляемые к параметрам режима покоя для резистивного усилительного каскада на биполярном транзисторе, работающего в линейном режиме.

3. Из каких соображений выбираются ток через коллектор транзистора и напряжение на нем, чтобы обеспечить максимально возможную мощность усиливаемого сигнала каскадом усилителя.

4. Привести численные значения обратных токов коллекторов для германиевых и кремниевых биполярных транзисторов.

5. Требование, предъявляемое напряжениям на коллекторе, соответствующим области нелинейных участков выходных ВАХ транзисторов.

6. Привести приближенные допустимые эксплуатационные данные, предъявляемые к транзистору, относительно амплитудных значений усиленного сигнала.

7. Расшифровать буквенно-цифровые коды биполярных транзисторов:

7.1. КТ104А….КТ104Г

7.2. ГТ109А….ГТ109И. Все ли буквы алфавита от А до И используются здесь в шестом элементе кода?

7.3. ГТ115А….ГТ115Д.

7.4. КТ117А….КТ117Г, 2Т117А….2Т117Г.

7.5. КТ118Б, 2Т118А….2Т118В.

7.6. КТ201А….КТ201Д.

7.7. КТ208А….КТ208М. Все ли буквы алфавита от А до М используются здесь в шестом элементе кода?

7.8. ГТ305А….ГТ305В.

7.9. КТ306А….КТ306Д. Все ли буквы алфавита от А до Д используются здесь в шестом элементе кода?

8. Объяснить необходимость делителя на входе усилителя.

9. Почему необходима стабилизация рабочей точки усилителя?

10. Чем вызваны нелинейные искажения выходного сигнала в усилителе?

11. Какую роль в усилительном каскаде играют разделительные емкости?

12. В чем смысл коллекторной и эмиттерной стабилизации?

13. Сформулировать постановку задания на расчет усилителя и привести исходные данные.

14. Какие параметры и величины усилительного каскада рассчитываются по постоянному току и переменному?

15. Как рассчитать резистор R_К в цепи коллектора транзистора?

16. Как рассчитать сопротивление нагрузки R_{Н ~} по переменному току?

17. Рассказать в какой последовательности делается выбор транзистора для каскада усиления.

18. Из каких соображений выбирается источник питания транзистора.

19. Как выделить рабочую точку на выходных характеристиках транзистора?

20. Рассказать алгоритм определения режима покоя транзистора.

21. Рассказать алгоритм построения линии нагрузки.

22. Показать алгоритм построения переходной характеристики транзистора.

23. Рассказать алгоритм построения и определения координат точки покоя усилительного каскада.

24. Как вычислить сопротивление резистора R_Э в цепи эмиттера?

25. Объяснить алгоритм расчета элементов фильтра.

26. Дать понятие относительной нестабильности потенциала базы.

27. Объяснить алгоритм расчета емкости конденсатора С_Э.

28. Объяснить алгоритм расчета входного сопротивления каскада усилителя.

29. Объяснить алгоритм расчета емкости конденсатора С₁.

30. Объяснить алгоритм расчета емкости конденсатора С₂.

31. Как рассчитать коэффициент усиления каскада по току?

32. Как рассчитать коэффициент усиления каскада по напряжению?

33. Как рассчитать коэффициент усиления каскада по мощности?

34. Как рассчитать входное сопротивление каскада?

Литература

1. Ткаченко Ф.А. Электронные приборы и устройства [Text]: учебник/ Ф.А. Ткаченко.- Минск: Новое знание:М.: ИНФРА-М, 2011.-682 с.: ил..- (Высшее образование)- 10 экз.

2. Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники [Text]: учебное пособие/ Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина.-2-е изд., доп. – М.: Горячая линия- Телеком, 2011.-394 с.: ил. -20 экз.

3. Ямпурин Н.П., Баранова А.В. Электроника: учебное пособие.

М.: Академия, 2011. -20 экз.

4. Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники. М.: Высшая школа. 2000г.

5. Опадчий, Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника [Текст]: учеб ник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая линия – Телеком, 2008. – 768 с.: ил.; 20 см. – Библиогр.: с. 763. - 5000 экз. – ISBN 5-93517-002-7.

Приложение

Справочные данные кремниевых транзисторов.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры	КТ104А	КТ104Б	КТ104В	КТ104Г
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э h 21Б	9…36 7….40	20…80 15…80	40….160 19..160	15...60 10…60
Входное сопротивление	h 11Б, Ом
Обратный ток коллектора	IКБО или IКО, мкА	£1	£1	£1	£1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В	-30	-15	-15	-30
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В
Максимальный ток коллектора	IК.МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	РК.МАХ, Вт

Примечание: режимы измерения следует смотреть [л.4., стр.83].

а) входные характеристики

б), в), г) выходные характеристики

КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в устройствах широкого применения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры	КТ201А	КТ201Б	КТ201В	КТ201Г	КТ201Д
Термин	Буквен. Обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э	20….60	30…90	30….90	70….210	30…90
Обратный ток коллектора	IКБО или IКО, мкА	£1	£1	£1	£1	£1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UБЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В
Максимальный ток коллектора	IК.МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	РК.МАХ, мВт

КТ203А, КТ203Б, КТ203В.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для использования в усилительных и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры	КТ203А	КТ203Б	КТ203В
Термин	Буквен. Обозн.
Коэффициент передачи тока	H21Э	≥9	30…150	30….200
Входное сопротивление	H11Б	≤300	≤300	≤300
Обратный ток коллектора	IКБО или IКО, мкА	£1	£1	£1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UБЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В	-60	-30	-15
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В
Максимальный ток коллектора	IК.МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	РК.МАХ, мВт

а) входные характеристики

б), в), г) выходные характеристики

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ20И, КТ20К, КТ208Л, КТ208М.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах РЭА широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры	КТ208А, Г,Ж,Л	КТ208Б,Д,И,М	КТ203В,Е,К
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э	20…60	40…120	80….240
Обратный ток коллектора	IКБО или IКО, мкА	£1	£1	£1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UБЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В	-15 -30 -45 -60	-15 -30 -45 -60	-15 -30 -45
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В	-10	-15	-10
Максимальный ток коллектора	IК.МАХ, мА
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	РК.МАХ, мВт

Дата добавления: 2015-05-06