Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Транзисторы




Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя р- n -переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических колебаний и представляющий собой пластинку кремния или германия состоящую из трех областей.

Две крайние области всегда имеют одинаковый тип проводимости, а средняя – противоположный. Отсюда два типа транзисторов р-n-р или n-р-n. Физические процессы, происходящие в транзисторах двух типов, аналогичны, различие заключается в полярности включения источников питания.

Смежные области, отделенные друг от друга р-n-переходами, называются эмиттер, коллектор и база. Эмиттер – область, испускающая носители зарядов. Коллектор – область, собирающая носители зарядов. База - средняя область (основание). К эмиттеру прикладывается напряжение эмиттер-база в прямом направлении, а к коллектору (база-коллектор) - в обратном.  


 

Рисунок 8.4.

 

Под действием электрического поля большая часть носителей зарядов из эмиттера через р-n -переход переходит в очень узкую базу (инжекция). В базе незначительная часть носителей зарядов, перешедших из эмиттера объединяется со свободными носителями зарядов противоположной полярности, убыль которых пополняется новыми носителями из внешней цепи, образующими ток базы.

Большая часть носителей зарядов приблизится ко второму р-n -переходу и втягивается в коллектор (экстракция), увеличивая ток коллектора. Если увеличить напряжение эмиттер-база, то увеличится ток эмиттера и ток коллектора. Iэ=Iб+Iк.

Транзистор может находится в трех состояниях:

· заперт – если потенциал базы равен или меньше потенциала эмиттера (режим отсечки);

· открыт - выше потенциала эмиттера, при этом транзистор реагирует на изменение потенциала базы;

· насыщен – наступает момент, когда увеличение напряжения базы не приводит к увеличению тока коллектора.

Возможны три схемы включения: с общим эмиттером, с общим коллектором, с общей базой.

Усиление сигнала с помощью транзистора.

Контрольные вопросы

 

1. Дайте определение транзистора.

2. Дайте определение эмиттера.

3. Дайте определение коллектора

4. Дайте определение базы.

5. В каких состояниях может находиться транзистор?




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 727; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.