Принцип работы тиристора

Динистор. Основой динистора является четырехслойная полупроводниковая структура р1-n1-р2-n2 типа (рис.3.8, а). Крайние области структуры называются эмиттерами, а центральные – базами. Электрод, присоединенный к р1-эмиттеру, называют анодом (А), а к n2-эмиттеру – катодом (К). Напряжение питания подается на динистор таким образом, что переходы П₁ и П₃ открыты, а переход П₂ закрыт. Сопротивления открытых переходов незначительны, поэтому почти все напряжение питания U_ПР приложено к закрытому переходу П₂, имеющему высокое сопротивление. Ток динистора при этом мал.

При повышении напряжения U_ПР (что достигается увеличением ЭДС источника питания Е) ток динистора увеличивается незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому значению, равному напряжению включения U_вкл (рис.3.8, б).

После этого происходит лавинообразное умножение носителей заряда в переходе П₂ движущимися электронами и дырками. С увеличением числа носителей заряда ток в переходе быстро нарастает, так как электроны из n2-слоя и дырки из р1-слоя устремляются в р2-слой и n1-слой и насыщают их неосновными носителями заряда, что приводит к существенному снижению их сопротивления. Напряжение на резисторе R возрастает, напряжение на динисторе падает, происходит переключение динистора. После переключения напряжение на нем снижается до значения порядка 0,5 - 1 В. При дальнейшем увеличении ЭДС источника питания Е или уменьшении сопротивления резистора R ток в приборе нарастает в соответствии с вертикальным участком вольт-амперной характеристики. При уменьшении тока восстанавливается высокое сопротивление перехода П₂ (нисходящая ветвь характеристики рис.3.8, б). Время восстановления сопротивления этого перехода после снятия напряжения питания обычно составляет 10 - 30 мкс.

Тринистор. Базы тиристора отличаются толщиной и концентрацией примесных атомов. В тринисторе к одной из баз, имеющей более высокую концентрацию примеси и меньшую толщину (обычно р2-база), присоединяют управляющий электрод (УЭ рис.3.9, а). С помощью управляющего электрода добавочные неосновные носители заряда вводятся в р2-слой. Это приводит к снижению напряжения, при котором начинается лавинообразное нарастание тока. Данное обстоятельство обусловлено тем, что добавочные носители заряда увеличивают интенсивность ионизации атомов в переходе. На рис.3.9, б показано
семейство вольт-амперных характеристик тринистора при различных токах управления. Если на тиристор подается обратное напряжение, то возникает небольшой ток, так как в этом случае закрыты переходы П₁ и П₃. Во избежание пробоя тиристора в обратном направлении необходимо, чтобы обратное напряжение было меньше U_o6p.max.

Симисторы (рис.3.10, а) можно представить в виде двух р-n-р-n-секций, включенных встречно-параллельно. Эти секции подключаются поочередно в зависимости от полярности приложенного напряжения. Принцип работы каждой секции аналогичен работе обычной четырехслойной р-n-р-n-структуры. Выключается секция при изменении полярности напряжения. Вольт-амперная характеристика симистора изображена на рис.3.10, б. Из рисунка видно, что симметричные тиристоры могут пропускать ток в двух направлениях. В зависимости от конструкции полупроводникового элемента симметричные тиристоры можно включать с помощью положительных, отрицательных или биполярных импульсов управления. Используются симметричные тиристоры для регулирования мощности переменного тока, в преобразователях для реверсивных электроприводов и т.д.

Рис. 3.10 Схема включения (а) и вольт-амперная характеристика (б) симистора

Лавинные тиристоры – приборы, которые благодаря специальной конструкции полупроводникового элемента могут выдерживать кратковременные перенапряжения. В лавинных тиристорах используется пятислойная структура, имеющая лавинную характеристику как в прямом, так и в обратном направлениях. В объеме сконструированного таким образом прибора рассеивается энергия, допустимая величина которой зависит от амплитуды, длительности и скважности импульсов перенапряжения. Используя

лавинные тиристоры, можно исключить применение специальных средств защиты.

Запираемые тиристоры – приборы, которые в отличие от обычных тиристоров можно выключать по цепи управления. Конструктивно запираемые тиристоры отличаются большей площадью управляющего электрода. Процесс включения запираемого тиристора аналогичен включению обычного тиристора, выключение производится подачей отрицательного импульса управления.

Применяя запираемые тиристоры можно упростить схемы управления, так как при этом не требуются специальные средства искусственной коммутации для выключения тиристоров.

Тиристоры с повышенным быстродействием – приборы, предназначенные для применения в устройствах повышенной и высокой частоты, которые должны обладать улучшенными динамическими параметрами. Однако создание универсальных приборов, у которых были бы улучшены динамические параметры при сохранении удовлетворительных статических параметров, затруднительно. Поэтому разработаны группы специализированных тиристоров, у которых улучшена часть динамических параметров. К ним относятся высокочастотные тиристоры (ТЧ), импульсные (ТИ), динамические (ТД) и быстродействующие (ТБ).

Динамические параметры улучшаются путем применения оптимальной конструкции и технологии изготовления тиристоров.

Дата добавления: 2015-05-06