Принцип действия биполярного транзистора

Применение транзистора для усиления электрических колебаний основано на его принципе дейст-вия как управляемого электронного прибора.

В схеме включения транзистора (рис. 14) к эмиттерному переходу должно быть приложено прямое напряжение, а к коллекторному – обратное. Если на эмиттерном переходе нет напряжения, то через коллекторный переход протекает очень небольшой обратный ток I _кобр. По сравнению с рабочим током им можно пренебречь для упрощения рассуждений и считать, что в коллек-

n

p

n

торной цепи тока нет, т.е. транзистор закрыт.

При подаче на эмиттерный переход прямого напряжения от источника

питания Е э происходит инжекция носителей заряда из эмиттера в базу, где

– Е э +

Е к+

–

они являются неосновными. Для транзистора n-p-n этими носителями заряда

являются электроны. Движение электронов в процессе инжекции через эмит-

терный переход создает ток эмиттера I э. Электроны, перешедшие в базу,

Рис. 14

Основная схема

имеют вблизи p-n- перехода повышенную концентрацию, что вызывает диф-

подключения биполярного

фузию их в базе. Толщина базы очень мала, поэтому электроны в процессе

транзистора к источникам

диффузии оказываются вблизи коллекторного перехода. Большая их часть

питания

не успевает рекомбинировать с дырками базы и втягивается ускоряющим

электрическим полем коллекторного перехода в область коллектора. Происходит экстракция электро-нов под действием обратного напряжения из базы в коллектор. Движение электронов в процессе экс-тракции из базы в коллектор создает ток коллектора I _к. Незначительная часть инжектируемых из эмиттера в базу электронов рекомбинирует в области базы с дырками, количество которых пополня-ется из внешней цепи от источника Е _э. За счет этого в цепи базы протекает ток базы I _б. Он очень мал из-за небольшой толщины базы и малой концентрации основных носителей заряда – дырок. При этих условиях число рекомбинаций, определяющих величину тока базы, невелико.

Ток коллектора управляется током эмиттера: если увеличится ток эмиттера, то практически про-порционально возрастет ток коллектора. Ток эмиттера может изменяться в больших пределах при ма-

лых изменениях прямого напряжения на эмиттерном переходе.
Токи	трех	электродов	транзистора	связаны	соотношением:

I _э = I _к + I _б.Ток базы значительно меньше тока коллектора,поэтому для практических расчетов частосчитают ток коллектора приближенно равным току эмиттера: I _к ≈ I _э.

Принцип действия p-n-p- транзистора аналогичен рассмотренному, но носителями заряда, создаю-щими токи через p-n- переходы в процессе инжекции и экстракции, являются дырки; полярность источ-ников Е _э и Е _к должна быть изменена на противоположную, соответственно изменятся и направления токов в цепях.

На основании рассмотренных процессов можно сделать вывод, что транзистор как управляемый прибор действует за счет создания транзитного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера через базу в коллектор и управления током коллектора путем изменения тока эмиттера. Таким обра-

зом, биполярный транзистор управляется током.

Ток эмиттера как прямой ток p-n- перехода значительно изменяется при очень малых изменениях напряжения на эмиттерном переходе и вызывает, соответственно, большие изменения тока коллектора.

На этом основаны усилительные свойства транзистора.

ТРАН-

3.3 Статические характеристики транзисторов

~

U вх~

R н

Обобщенная схема включения транзистора для усиления

электрических колебаний содержит две цепи (рис. 15): входную

и выходную. Входная цепь является управляющей; в нее после-

E 1

E 2

довательно с источником питания Е 1 включается источник сла-

бых электрических колебаний U вх~, которые надо усилить. Элек-

Рис. 15 Обобщенная схема включения транзистора для усиления электрических колебаний

трические колебания, подаваемые во входную цепь, называют управляющим, или усиливаемым, сигна-лом. Выходная цепь является главной цепью,в нее последовательно с источником Е ₂включается на-грузка R _H, на которой надо получить усиленный сигнал. Таким образом, обобщенная схема включения транзистора для усиления электрических колебаний представляет собой четырехполюсник.

Транзистор имеет три электрода, из которых в схеме включения один – входной, другой – выход-ной, а третий – общий для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой электрод является об-щим, возможны три схемы включения транзистора – с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и об-щим коллектором (ОК).

В схеме, на которой рассматривался принцип действия транзистора (рис. 14), входной элек-трод – эмиттер, выходной – коллектор, а общий, входящий и в цепь входа, и в цепь выхода, – база; следовательно, это была схема ОБ.

При любой схеме включения в каждой цепи постоянный ток проходит от плюса источника питания через соответствующие области транзистора к минусу источника питания. Стрелка эмиттера указывает направление проходящего через него тока.

Во всех трех схемах сохраняется рассмотренный принцип действия транзистора, но свойства схем различны; они также отличаются характеристиками и параметрами. В любой схеме включения в каждой из двух цепей действует напряжение между двумя электродами и протекает ток: во входной цепи – U _вх

и I _вх,в выходной– U _выхи I _вых.Эти электрические величины определяют режим работы транзистора ивзаимно влияют друг на друга.

Характеристики транзистора представляют собой зависимость одной из этих величин от другой при неизменной третьей величине. Для того чтобы одну из электрических величин можно было поддержи-вать постоянной, в схему для снятия характеристик надо включить только источники питания; нагрузку

и источник усиливаемых колебаний (сигнала) не включают.

Характеристики, снятые без нагрузки, когда одна из величин поддерживается постоянной, называ-
ют статическими. Совокупность характеристик, снятых при разных значениях этой постоянной вели-
чины, представляет собой семейство статических характеристик.
Наибольшее значение при применении биполярных транзисторов имеют два вида характеристик –
входные и выходные.
Входной характеристикой называют зависимость входного тока от входного напряжения при по-
стоянном выходном напряжении:
		I вх = f (U вх)при U вых = const.
Выходной характеристикой называют зависимость выходного тока от выходного напряжения при
постоянном входном токе:
		I вых = f (U вых)при I вх = const.
Вид характеристик транзистора зависит от способа его включения, но для схем ОЭ и ОК они прак-
тически одинаковы, поэтому пользуются обычно входными и выходными характеристиками для схем
ОБ и ОЭ. На практике наибольшее распространение получила схема ОЭ, поэтому рассмотрим ее более
подробно.
Принципиальная схема установки приведена на рис. 16. В ее состав входят два источника питания с
регулируемым от 0 до некоторого максимального значения выходным напряжением 1, микроамперметр
2 и миллиамперметр 3 для измерения токов базы и коллектора,вольтметры 4, 5 для измерения напря-
				жений U бэ и U кэ. Балластный резистор 6
		3		служит для ограничения тока базы иссле-
			дуемого транзистора 7.
	2			В этой схеме входным током является
+	6		+	ток базы I б, выходным – ток коллектора I к,
	входное напряжение создается между ба-
	7
1	4	5	зой и эмиттером U бэ, а выходное – между
		1
				коллектором и эмиттером U кэ. Таким обра-
–			–	зом, входные характеристики транзистора,
				включенного по схеме ОЭ, представляют
	Рис. 16 Схема установки для снятия		собой зависимость тока базы от напряже-
	статических характеристик биполярного транзистора

ния база-эмиттер при постоянном напряжении коллектор-эмиттер:

I _б = f (U _бэ)при U _кэ= const.

Выходные характеристики транзистора,включенного по схеме ОЭ,представляют собой зависи-мость тока коллектора от напряжения коллектор – эмиттер при постоянном токе базы:

I _к = f (U _кэ)при I _б = const.

Примерный вид семейства входных и выходных характеристик биполярного транзистора приведен на рис. 17 и 23.

На рис. 17 изображено семейство из двух входных характеристик, снятых при различных напряже-ниях на коллекторе (U _кэ1 < U _кэ2). Даже при значительно отличающихся коллекторных напряжениях входные характеристики качественно одинаковы и незначительно смещаются вправо с ростом U _кэ. Это говорит о наличии слабой связи между входными и выходными цепями биполярного транзистора.

Начальный круто восходящий участок каждой из выходных характеристик биполярного транзисто-ра (рис. 18) является нерабочим. Это участок малого напряжения U _кэ, изменяющегося в пределах от 0 до 0,5...1,5 В. При малых значениях U _кэ, соизмеримых с величиной U _бэ, следует учитывать, что напряжение

		U кэравно сумме напряжений на коллекторном U кби эмиттерном U бэпере-
I б	^U ^кэ1 U кэ2	ходах. Отсюда	напряжение на коллекторном	переходе U кб	= U кэ	–
	– U бэ. При U кэ	< U бэ из меньшего вычитается большее, т.е. знак U кэ	–
		– U бэ меняется на противоположный. А это означает, что если в рабочем
		режиме полярность U кб соответствует обратному напряжению на коллек-
		торном	переходе,	то	при
		U кэ< U бэона соответствует прямому напряжению.Наибольшее значение
			прямого напряжения U кб на коллекторном
			переходе	получается	при

			U БЭ					I б4
Рис. 17	Семейство
входных
характеристик биполярного					I б3
I к3
								I б2
I к2
I к1								I б1
	U 1	U 2	U 3	U 4	U 5	U 6	U 7	U кэ,В

Рис. 18 Семейство выходных вольтамперных характе-ристик

Дата добавления: 2015-05-06