Статические характеристика БТ ( только для схем с ОЭ)

ß Входная характеристика

Iб=f(Uбэ) при Uк=const

ßВыходная характеристика

Ik=f(Uкэ) при Iб = const

p-n-p

Наклон связан с модуляцией базы.

I – область насыщения (транзистор открыт)

II – активная зона (работа всех усилительных каскадов)

III – область отсечки (транзистор закрыт)

I и III есть во всех цифровых схемах (де все транзисторы работают в режиме ключа)

Предельно допустимые параметры:

1. Iк допустимый Iки доп > Iк доп (Iк в импульсном режиме)

2. Uкэ допустимое

3. Pк доп и Pк доп с теплоотводом. Допустимое значение мощности рассеивается на коллекторе открытого транзистора (коллектор выводится на корпус). 3 Вт – обычное и 60 Вт – с теплоотводом

Наиболее благоприятный режим работы транзистора – это запас по всем трём параметрам 15-20%. Допускается не иметь запаса ТОЛЬКО по одному параметру Uкэ.

	Схема включения транзистора
ОЭ	ОБ	ОК
	~	~
G

Дата добавления: 2015-03-31