Призначення та будова напівпровідникового транзистора

Коротка теорія

Прилади та обладнання

Мета роботи

ВИВЧЕННЯ СТАТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА

Контрольні запитання.

1. Докладно розповісти про явища, що призводять до односторонньої провідності напівпровідникового діода.

2. Дати визначення коефіцієнта випрямлення та потенціального бар’єра.

виміряти струм та побудувати вхідні та вихідні статичні вольт-амперні характеристики транзистора.

напівпровідниковий транзистор, джерело напруги 4 В, міліамперметр, вольтметр, реостати.

Призначення транзистора: лінійно (без спотворення) підсилити вхідний змінний сигнал U_вх по напрузі до U_вих та потужності до P_вих на рівні сталої напруги зміщення U_б-к. Увімкнення транзистора як підсилювача можна розглянути за схемою зі спільною базою, представленою на малюнку, де

змінні напруги на вході та виході транзистора; сталі напруги зміщення на вході та виході транзистора; опір переходів емітер база та база колектор; зовнішні опори на вході та виході транзистора; густини струму переходів е-б та б-к. Транзистор виконано на основі германію Ge з акцепторною домішкою В (n- н/п) та донорною домішкою фосфору Р (р-н/п).

Транзистор має три елементи: емітер, базу та колектор. Він виготовляється на основі одного напівпровідникового кристала з провідністю p-n-p або n-p-n, відповідно. Об'єм бази набагато менший об'єму емітера та колектора, і, в першому наближенні, внеском носіїв струму бази у струм між емітером та базою можна знехтувати, тобто можна вважати, що цей струм створюється лише за рахунок носіїв струму емітера.

Дата добавления: 2015-05-24