Обробка результатів вимірювань

Хід виконання роботи

1. Зібрати схему для експериментального дослідження транзистора згідно схеми на Рис.4

2. Зняти сімейство вхідних характеристик І_б = f(U_бе) при U_ке = const для 5-ти значень U_ке. Для цього встановлюємо певне значення U_ке і потенціометром R₁ змінюємо напругу на базі Відповідні значення U_бе, І_б заносимо в Таблицю. Під час експерименту U_ке підтримуємо на заданому рівні.

3. Зняти сімейство вихідних характеристик І_к = f(U_еk) при І_б = const (ключ К_л-розімкнено) для 5-ти значень І_б. Для цього потенціометром R₁ встановлюємо певне значення І_б і потенціометром R₂ змінюємо напругу на емітері U_еk. Відповідні значення U_еk, І_к заносимо в Таблицю 2. Під час експерименту І_б підтримуємо на заданому рівні.

1. Будуємо графіки сімейства вхідних характеристик І_б=f(U_еб) відповідно до Таблиці 1. На графіках знаходимо границі лінійної залежності І_б та U_еб і за формулою (1) знаходимо вхідний опір транзистора R₁.

2. Будуємо графіки сімейства вихідних характеристик І_к=f(U_еk) відповідно до Таблиці 1. На графіках знаходимо границі лінійної залежності І_к та U_еk (на дільниці росту І_к) і за формулою (2) знаходимо вихідний опір транзистора R₂. Узяти точку в середині дільниці лінійної залежності (дільниці насичення колекторного струму) із координатами І_к ^* і U_еk* і за формулою (3) визначити коефіцієнт підсилення транзистора b по струму.

3. За формулою (4) визначаємо коефіцієнт підсилення транзистора К по

напрузі.

4. Проаналізуйте одержані результати і висновки запишіть до протоколу.

Дата добавления: 2015-05-24