Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Напівпровідниковий діод




При утворенні контакту р- та n-напівпровідників починаються процеси дифузії та рекомбінації носіїв струму. Дифузія виникає внаслідок різної концентрації електронів та дірок у сполучених р- та n-областях. При дифузії вільного електрона з n-області там залишається додатній іон донорної домішки (від нього саме відірвався цей електрон) і в р-області він може займати вакансію зв’язку акцепторної домішки, перетворюючи її у від’ємний іон. Такий процес називається рекомбінацією електрона та дірки. Очевидно, що під час цього процесу зникають носії струму. Під рекомбінацією дірки у n-області слід розуміти виникнення вакансії зв'яжу між атомами у ній і зайняття її електроном донора. Це означає зникнення електрона й дірки як носіїв струму й утворення знову ж таки додатного іона донорної домішки в р-області й від’ємного іона акцепторної домішки в р-області. Таким чином, границя n- і р-області збіднюється носіями струму, а зарядами Q іонів домішок створюється внутрішнє електричне поле з напруженістю , направленою від n- до р-області. Це поле протидіє дифузії. У якийсь час зростає до такої величини, що дифузія електронів та дірок припиняється.

При накладанні зовнішнього поля з напруженістю , яка за напрямком співпадає з , рух електронів та дірок, як носіїв струму ще більше гальмується і струм Ізв майже відсутній аж до зовнішньої напруги, при якій напівпровідник пробивається - атоми іонізуються. Таке ввімкнення напруги ("+" на n-область і "-" на р-область) називається зворотнім (див.Рис.1).. При накладанні зовнішнього поля з напруженістю , яка за напрямком протилежна до , рух електронів та дірок відновлюється з моменту часу, коли Ез стає > Е0 і спостерігається значно більший струм Іпр, ніж у попередньому випадку. Таке ввімкнення напруги ("+" на р-область і "-" на n-область) називається прямим (див.Рис.1). Напруга V, при якій Ез стає > Е0, називається потенціальним бар’єром напівпровідника.

 
 

Відношення при однаковій величині напруги, що створює ці струми, називається коефіцієнтом випрямлення. Ця величина змінюється зі зміною величини напруги. Таким чином, контакт р- і n-напівпровідників має односторонню (вентильну) провідність електричного струму. Ця властивість зникає коли температура діода підвищується до такої, що власна провідність стає більшою ніж домішкова.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-24; Просмотров: 330; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.