Імені олеся гончара 1 страница

Іменний покажчик

Аббот Г., 15

Айткен, 94

Алісов Б. П., 14

Аристотель, 12

Аскіназій О. І., 14

Бабіне, 152

Бабіченко В. М., 14

Бейс-Бало, 165

Бемпорад, 32

Берг Л. С., 218

Беринг, 12

Б’єркнес В., 13

Блинова Є. М., 15

Больцман, 26

Бофорт, 159

Брандес Г. В.,13

Бржозовський С. О., 14

Брікнер Е. А., 237

Броунов П. І., 13

Бугер, 32

Будико М. І., 15

Бучинський І. О., 14

Вангенгейм Г. Я., 14

Вегенер А. В., 240

Висоцький Г. М., 14

Він, 26

Воєйков О. І., 13

Галилей,12

Ганн Ю., 13

Гельмгольц Г., 14

Геріке, 151

Гмелін, 12

Горчинський Л., 209

Грізебах, 217

Гук М. І., 14

Гумбольт О.,13

Давітая Ф. Ф., 15

Дальтон Д.,19

Данилов Л. Г., 14

Декандоль, 217

Деліль, 12

Дове Г. В., 13

Докучаєв В. В., 218

Дроздов О. О., 14

Екман, 164

Зупан, 217

Іванов М. М., 128

Іполітов, 88

Калітін М. М., 15

Камінський Л. О., 15

Кеппен В. П., 13

Кібель І. О.,. 14

Кірхгоф, 26

Клапейрон, 19

Колосков П. І., 15

Клосовський О. В., 13

Коріоліс, 160

Косач М. П., 13

Костін С. І., 212

Кочін М. Є., 14

Кошеленко І. В., 130

Кузнецов Є. С., 15

Кузнецова Л. П.,. 131

Кусто, 53

Ланглей С., 15

Лаплас, 152

Левер’є І., 13

Лінке Ф., 15

Лір Є. С., 14

Логвинов К. Т., 14

Лондон Д., 79

Львович М. І., 218

Маргулес М., 14

Менделеєв Д. І., 19

Мі, 30

Міланкович М., 239

Міхель В. М., 14

Молчанов, 24

Мультановський Б. П., 13

Накоренко М. Ф., 14

Ньютон І., 87

Онгстрен А., 15

Педаєв Д. К., 13

Пенк А., 218

Петерсен, 236

Планк, 27

Погосян Х. П., 14

Прихотько Г. Ф., 14

Пуасон, 74

Релей, 30

Реомюр, 12

Росбі К. Г., 14

Рубінштейн Є. С., 15

Рудий Ерик, 236

Савинов С. І., 15

Самбікін М. М., 14

Сасаморі Т., 79

Селезньова Є. С., 14

Селянинов Г. Т., 15

Срезнєвський Б. І., 14

Стефан, 26

Ткаченко О. В., 14

Томашевич П. Л., 14

Томпсон А., 54

Торичеллі, 12

Точидловський І. Я., 14

Федоров Є. Є., 14

Форель У., 88

Фікер Г., 13

Фіцрой Р., 13

Фогель В., 14

Фрідман О. О., 14

Фур’є, 50

Хоббс П., 113

Хромов С. П., 14

Хульт, 217

Ценкер, 207

Чепмен, 17

Черський І. Д., 219

Шашко Д. І., 129

Швець М. Е., 15

Шнітніков О. В., 237

Шулейкін В. В., 14

Щербань М. І., 14

Державні іспити для отримання освітньо-кваліфікаційного рівня

бакалавр за напрямом „ Прикладна фізика ”

спеціальності «Радіофізика та електроніка», «Прикладна фізика»(Спеціалізація: Комп’ютерна радіофізика)

Інструкція

1. На виконання тестового завдання відведено 180 хвилин

2. Тест складається із 2 теоретичних питань та 25 тестових завдань

Структура білету

Теоретична частина (30 балів)

• Перше теоретичне питання – 15 балів
• Друге теоретичне питання – 15 балів

Тестова частина (70 балів)

Розділ 1 – 5 питань по 2 бали

Розділи 2, 3 – 20 питань по 3 бали

3. Завдання мають тільки ОДНУ ПРАВИЛЬНУ відповідь.

БАЗА ДАНИХ

Перше теоретичне питання

1. Рівняння Максвела у системі СІ і їх фізична інтерпретація.

2. Електродинамічний опис відбиття та (або) заломлення плоских електромагнітних хвиль на границях розділу матеріалів з різними електричними властивостями.

3. Закон збереження енергії в електродинаміці.

4. Хвильове рівняння в електродинаміці.

5. Плоскі електромагнітні хвилі і їх властивості. Плоскі гармонічні хвилі. Плоскі неоднорідні хвилі.

6. Граничні умови у електродинаміці для векторів електромагнітного поля. Граничні умови Леонтовича.

7. Поляризація електромагнітної хвилі.

8. Нормовані напруги і токи в НВЧ лініях передачі.

9. Інтерференція падаючої та відбитої хвиль в лінії передачі з навантаженням.

10. Закони трансформації коефіцієнту відбиття та опору вздовж лінії передачі.

11. Шуми та флуктуації в електричних колах.

12. Шумові характеристики дво- та чотириполюсників.

13. Спектр добутку та згортки сигналів.

14. Зв’язок спектрів дискретизованого і безперервного сигналів.

15. Дискретне перетворення Фур’є та його властивості.

Друге теоретичне питання

1. Послідовний коливальний контур. Резонанс напруг.

2. Паралельний контур. Резонанс струму.

3. Електричні фільтри. Фільтри k–типу, фільтри m–типу.

4. Кола з розподіленими постійними.

5. Детектування сигналів.

6. Перетворення частоти. Супергетеродин.

7. Переміщення електронів в електронному та магнітному полях.

8. Концентрація вільних електронів та дірок в зоні провідності та валентній зоні напівпровідника.

9. Ефективна маса носіїв заряду. Її визначення за допомогою циклотронного резонансу.

10. Функція розподілу Фермі-Дірака для електронів і дірок.

11. Дифузійні та дрейфові струми.

12. Контакт електронного та діркового напівпровідників. ВАХ тонкого р-n переходу. Випрямлення струму в р-n переході.

13. Контакт вироджених електронного та діркового напівпровідників. Тунельний діод.

14. Принцип дії біполярного транзистора. Параметри та характеристики біполярного транзистора. Схеми включення та основні параметри біполярних транзисторів.

15. Польові транзистори з каналом у вигляді р-n переходу.

База тестових питань

Вірні відповіді містяться в позиції а)

Розділ 1

Питання 1

1.	Ефект Зеєбека полягає:		а	б	в	г
а) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв);
б) у висиланні електронів при нагріванні металу у вакуумі;
в) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури;
г) в оптичному випромінюванні при підвищенні температури фізичного об'єкта.

2.	Піроелектричний ефект полягає:		а	б	в	г
а) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури;
б) у висиланні електронів при нагріванні металу у вакуумі;
в) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв);
г) в оптичному випромінюванні при підвищенні температури фізичного об'єкта.

3.	Електротермічний ефект Пельт’є полягає:		а	б	в	г
а) у поглинанні або генерації теплової енергії при електричному струмі в ланцюзі з біметалічними з'єднаннями;
б) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв);
в) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури;
г) у генерації або поглинанні теплової енергії в електричному ланцюзі з однорідного матеріалу при різних температурах ділянок ланцюга.

4.	Електротермічний ефект Томсона полягає:		а	б	в	г
а) у генерації або поглинанні теплової енергії в електричному ланцюзі з однорідного матеріалу при різних температурах ділянок ланцюга;
б) у поглинанні або генерації теплової енергії при електричному струмі в ланцюзі з біметалічними з'єднаннями;
в) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури;
г) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв).

5.	Фотогальванічний ефект полягає:		а	б	в	г
а) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу;
б) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом;
в) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі;
г) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного.

6.	Ефект Допплера полягає:		а	б	в	г
а) у зміні частоти при взаємному переміщенні об'єктів у порівнянні із частотою, коли ці об'єкти нерухомі;
б) у появі різниці потенціалів на гранях сегнетоелектрика, що перебуває під тиском;
в) у деформації феромагнітного тіла, поміщеного в магнітне поле;
г) у збільшенні електричного опору твердого тіла в магнітному полі.

7.	Ефект фотопровідності полягає:		а	б	в	г
а) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом;
б) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу;
в) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі;
г) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного.

8.	Ефект Зеємана полягає:		а	б	в	г
а) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі;
б) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного;
в) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом;
г) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу.

9.	Ефект Рамана або комбінаційне розсіювання світла полягає:		а	б	в	г
а) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного;
б) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу;
в) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом;
г) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі.

10.	Ефект Поккельса полягає:		а	б	в	г
а) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний при проходженні через п'єзокристал, до якого прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку;
б) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу;
в) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі;
г) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного.

11.	Ефект Керра полягає:		а	б	в	г
а) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку;
б) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі;
в) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного;
г) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу.

12.	Ефект Фарадея полягає:		а	б	в	г
а) у повороті площини поляризації лінійно поляризованого світлового променя, що проходить через парамагнітну речовину, яка розміщена в магнітному полі;
б) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі;
в) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного;
г) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку.

13.	Ефект Холу полягає:		а	б	в	г
а) у виникненні різниці потенціалів на гранях твердого тіла при пропущенні через нього електричного струму й прикладання магнітного поля перпендикулярно напрямку електричного струму;
б) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного;
в) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку;
г) у повороті площини поляризації лінійно поляризованого світлового променя, що проходить через парамагнітну речовину, яка розміщена в магнітному полі.

14.	Ефект магнітострикції полягає:		а	б	в	г
а) у деформації феромагнітного тіла, поміщеного в магнітне поле;
б) у збільшенні електричного опору твердого тіла в магнітному полі;
в) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку;
г) у повороті площини поляризації лінійно поляризованого світлового променя, що проходить через парамагнітну речовину, яка розміщена в магнітному полі.

15.	П'єзоелектричний ефект полягає:		а	б	в	г
а) у появі різниці потенціалів на гранях сегнетоелектрика, що перебуває під тиском;
б) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку;
в) у деформації феромагнітного тіла, поміщеного в магнітне поле;
г) у збільшенні електричного опору твердого тіла в магнітному полі.

Питання 2

1.	Одноточкова (в перерізі t=ti) функція розподілу ймовірностей випадкового процесу визначається наступним чином		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

2.	1. Який із приведених графіків не може відповідати одноточковій густині ймовірностей випадкового процесу?		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

3.	Який із приведених графіків може відповідати одноточковій функції розподілу ймовірностей випадкового процесу?		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

4.	Який вираз відповідає властивостям одноточкової густини ймовірностей стаціонарного випадкового процесу?		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

5.	Який вираз відповідає властивостям двоточкової густини ймовірностей випадкового процесу?		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

6.	Який вираз відповідає властивостям двоточкової густини ймовірностей випадкового процесу?		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

7.	Для одноточкової густини ймовірностей стаціонарного випадкового процесу характерним є те,що		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

8.	Для двоточкової густини ймовірностей стаціонарного випадкового процесу характерним є те,що		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

9.	Одноточкова густина ймовірностей визначається через відповідну функцію розподілу наступним чином		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

10.	Одноточкова функція розподілу ймовірностей визначається через відповідну густину наступним чином		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

11.	За відомою одноточковою густиною ймовірностей стаціонарного випадкового процесу середнє значення визначається як		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

12.	За відомою одноточковою густиною ймовірностей стаціонарного випадкового процесу середній квадрат визначається як		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

13.	За відомою одноточковою густиною ймовірностей дисперсія стаціонарного не центрованого випадкового процесу визначається як		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

14.	Для ергодичного випадкового процесу дисперсію можна визначити як		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

15.	Для середнього значення , середнього квадрату та дисперсії справедливий вираз		а	б	в	г
а) ;	б) ;
в) ;	г) .

Питання 3

1.	Задача знаходження потенціальної енергії поля, в якому частинка здійснює коливальний рух по відомій залежності періоду коливань частинки від її енергії зводиться до розв’язку інтегрального рівняння: , Е - енергія частки; m – маса частинки; Ф(u) – функція; T (E) – період коливань частинки. До якого типу рівнянь відноситься це інтегральне рівняння:		а	б	в	г
а) Інтегральне рівняння Вольтера першого роду;
б) Інтегральне рівняння Фредгольма першого роду;
в) Інтегральне рівняння Фредгольма другого роду;
г) Інтегральне рівняння Вольтера другого роду.

2.	Фізичні процеси, які пов’язані з явищами післядії, описуються інтегральними рівняннями.   Для ланцюга, в якому котушка з магнітним стрижнем, що має гістерезис, отримують інтегральне рівняння виду: . t 0 – початковий момент часу; K (t - τ), f (U (t 0), t) – відомі функції. До якого типу рівнянь відноситься це інтегральне рівняння:		а	б	в	г
а) Інтегральне рівняння Вольтера другого роду;
б) Інтегральне рівняння Фредгольма другого роду;
в) Інтегральне рівняння Вольтера першого роду;
г) Інтегральне рівняння Фредгольма першого роду.

Дата добавления: 2015-05-24