Тензорезисторы. Действие тензорезисторов основано на тензо–эффекте (тензо – давление, деформация), т.е

Действие тензорезисторов основано на тензо–эффекте (тензо – давление, деформация), т.е. изменение электрического сопротивления проводника в результате его деформации. Максимальное проявление тензо–эффекта определяет коэффициент тензо:

Где ΔR – относительное изменение сопротивления;

– величина относительно деформации.

составляет от 2 до 14 для металлов и сплавов, а у п/п от 100 до 200.

У п/п тензо–эффект связан с изменением энергетического спектра носителей заряда при механической деформации (при изменении величины запрещенной зоны (ЗП)) и энергии ионизации примесных уровней связаны с изменением эффективной массы носителей заряда, что приводит к изменению их концентрации и эффекту подвижности. Кроме того деформация влияет на процессы рассеивания носителей заряда через изменение спектра–фононов, что больше всего выражено в металлах и сплавах.

Подложками обычно служат упругие тонкомерные материалы воспроизводящие деформацию, например – термостойкая бумага — фенилон (бумага, пропитанная термостойким клеем), либо тонкая пропитанная термореактивными смолами – стеклоткань (стеклотекстолит), либо бумага с добавлением наполнителя с добавлением стекловолокна.

РЭ’ом могут быть тонкие пленки металлов, например сплавы на основе Cu, Ni, Mo, Pt, In, Sb, п/п. Материалы Ge, Si легированы до определенного уровня. РЭ изготавливают в виде тонких пленок (тонкопленочная технология напыления), проволок или фольги, а также в виде вырезок из монокристаллических п/п пластинок.

Все элементы размещаются на гибких тонких основаниях, выводы армируют обычно микросваркой, п/п пластины изготавливают длиной 1÷10мкм, шириной 0,1÷0,2 мкм и толщиной 20÷60 мкм. Толщина ограничивается хрупкостью материала, кроме того п/п тензорезисторы могут изготавливать в виде эпитаксиальных пленок. Пример конструкции тензорезисторов приведен на рис. 23.

Дата добавления: 2015-05-09