Исследование работы полупроводникового стабилитрона выполняется на лабораторном столе, где установлены следующие приборы

Конструктивное оформление стабилитронов аналогично выпрямитель-ным диодам.

Параллельное соединение стабилитронов недопустимо, так как из-за неидентичности характеристик из всех параллельно соединенных стаби-литронов ток будет возникать только в одном, имеющем наименьшее стабилизирующее напряжение, что вызовет перегрев стабилитрона.

Максимальный ток стабилизации Iст max;

Минимальный ток стабилизации Iст min;

Стабилизирующее напряжение Uст;

2.динамическое сопротивление на участке стабилизации Rд=dUст/dIст;

5.температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации TK U = dUст/dT.

Рис.1. Вольтамперная характеристика кремниевого стабилитрона.

Стабилизирующее напряжение современных стабилитронов лежит в пределах 1 – 1000В и зависит от толщины запирающего слоя р-п- пере-хода. Участок стабилизации на характеристике стабилитрона расположен в области от Iст min до Iст max. Величина минимального тока стабилизации ограничена нелинейным участком характеристики стабилитрона, а величина максимального тока – допускаемой темпера-турой полупроводника.

Стабилитроны допускают последовательное соединение, при этом результирующее стабилизирующее напряжение равно сумме напряже-ний стабилитронов: Uст = U1ст + U2ст + U3ст +…

Описание лабораторной установки.

Дата добавления: 2015-05-09