Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Перечень лекций




Содержание дисциплины

Тематический план дисциплины

Структура дисциплины

Срок обучения 4 года

Очная форма обучения.

Уровень базового образования: среднее (полное) общее.

Вид занятий Количество часов
Всего Семестр
   
Лекции 16 16  
Лабораторные 32 32  
Всего аудиторные 48 48  
Форма контроля   Зач.  
Самостоятельная работа 60 60  
Всего: часы/ЗЕТ 108/3 108/3  
Виды занятий и учебных поручений Количество часов Количество баллов семестрового рейтинга
за выполнение учебных заданий по результатам прохождения рубежных контрольных мероприятий за посещаемость, прилежание, персональную активность (бонусы)
Лекции   0-8    
Лабораторные работы   8-40   0-7
Практические занятия        
Семинары        
Курсовое проектирование (курсовой проект, курсовая работа)        
Рефераты        
Графические работы        
РГР, РПР        
Типовые расчёты        
Доклады, презентации, эссе        
Рубежные контрольные мероприятия Тестирование   0-15 (РРК № 1) 0-15 (РРК № 2) 0-15 (РРК № 3)  
Всего:    
Самостоятельная работа    
Переаттестация  
Форма итогового контроля экзамен
Итого:  

 

Наименование раздела и темы Всего часов Всего аудиторных часов Лекции Практические Семинарские Лабораторные Самостоятельная работа Формируемые компетенции
  Введение в курс «Физические основы электроники» 2,5 0,5 0,5         ОК-1, ОК-10, ПК-1
  Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Элементарная теория электропроводности 4,5 0,5 0,5         ОК-1, ОК-10, ПК-1
  Основы зонной теории полупроводников 4,5 0,5 0,5         ОК-1, ОК-10, ПК-1
  Собственные и примесные полупроводники 6,5 0,5 0,5         ОК-1, ОК-10, ПК-1
  Контактные явления в полупроводниках               ОК-1, ОК-10, ПК-1
  Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры               ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
  Физические процессы в биполярном транзисторе, характеристики               ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
  Принцип действия полевых транзисторов, характеристики               ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
  Тиристоры.               ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
  Поверхностные явления в полупроводниках; фотоэлектрические явления в полупроводниках; люминесценция полупроводников, фотоэлектрические явления в полупроводниках               ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
  Физические основы микроэлектроники               ОК-1, ОК-10, ПК-1, ПК-10
  ИТОГО                

 

 

Лекции проводятся с применением мультимедиа технологий

Лекция 1. (пассивная форма)

Введение в курс «Физические основы электроники». Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Элементарная теория электропроводности. Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.

Лекция 2. (пассивная форма)

Диффузия носителей заряда в полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках. Электронно-дырочный переход. Характеристики p-n перехода. Переход металл-полупроводник Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры.

Лекция 3. (пассивная форма)

Биполярные транзисторы (БТ). Классификация, общие сведения и физические процессы в БТ. Токи в транзисторе. Усиление с помощью транзистора. Основные схемы включения транзисторов. Коэффициенты передачи токов в статическом режиме.

Лекция 4. (пассивная форма)

Статические характеристики биполярных транзисторов. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов: физические (Т-образные) и в виде активных четырехполюсников. Влияние температуры на характеристики и параметры БТ. Частотные свойства и параметры транзисторов. Импульсный режим работы БТ. Собственные шумы транзисторов и диодов.

Лекция 5. (пассивная форма)

Полевые транзисторы (ПТ). Устройство и принцип действия ПТ с затвором в виде p-n-перехода. Характеристики и параметры полевых транзисторов. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторов). Физические процессы в МДП-структурах и физические параметры МДП-транзисторов. ВАХ и их зависимость от температуры.

Лекция 6. (пассивная форма)

Тиристоры. Устройство и принцип действия. Основные физические процессы. Режимы работы. Разновидности тиристоров: динистор, тринистор, симистор.

Лекция 7. (пассивная форма)

Поверхностные явления в полупроводниках; фотоэлектрические явления в полупроводниках; люминесценция полупроводников. Варисторы. Терморезисторы. Полупроводниковые гальваномагнитные приборы. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы. Излучающие приборы. Оптроны.

Лекция 8. (пассивная форма)

Конструктивно-технологические особенности микроэлектроники. Элементы интегральных схем, основные их параметры и характеристики. Структуры, принципы действия. Характеристики и параметры.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-07; Просмотров: 263; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.018 сек.