Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Принцип метода




Рассмотрим оптическую схему интерферометра Майкельсона (рис. 5.1). Падающий луч света от источника излучения с широким спектральным диапазоном после отражения от эпитаксиальной структуры разделяется на два луча А и В. Фазы лучей А и В отличаются на Δ = φ1 φ2+δ, где φ1 – сдвиг фазы луча А при его отражении от поверхности эпитаксиального слоя; φ2 – сдвиг фазы луча В при его отражении от границы эпитаксиальный слой – подложка; δ – разность фаз, обусловленная оптической разностью хода, возникающей в результате прохождения луча В через эпитаксиальный слой. При нормальном падении луча δ определяется по формуле:

, (5.1)

где n 1 – показатель преломления эпитаксиального слоя; d – толщина эпитаксиального слоя; λ – длина волны в вакууме.

Рис. 5.1. Схема интерферометра Майкельсона

Полупрозрачным зеркалом М 3 каждый из лучей А и В расщепляется на два равных по амплитудам компонента: А 1, А 2 и В 1, В 2. Лучи В 1, А 1 направляются на фиксированное зеркало М 1 а лучи А 2, В 2 – на подвижное зеркало М 2. После отражения от соответствующих зеркал лучи А 1, А 2 и В 1, В 2 снова попадают на полупрозрачное зеркало М 3, интерферируют и направляются на детектор. Зеркало М 2 совершает возвратно поступательное движение около некоторого среднего положения х= 0, для которого оптическая длина пути в обоих плечах интерферометра одинакова. Перемещение зеркала М 2 на расстояние ± х от среднего положения х= 0 вызывает появление фазового сдвига между лучами, прошедшими через два плеча интерферометра:

Δ М= 2∙(2∙π∙ х /λ) = 4∙π∙ν∙ х, (5.2)

где х – разность хода лучей в двух плечах, равная смещению зеркала М 2. Множителем «2» в (5.2) учитывается, что луч проходит через плечо интерферометра дважды. При непрерывном сканировании зеркала М 2 вследствие возникающего при этом фазового сдвига между интерферирующими лучами А 1, В 1 и А 2, В 2 интенсивность излучения на детекторе будет изменяться с положением зеркала М 2. Для каждого из монохроматических компонентов падающего на образец излучения результирующий световой поток на входе детектора складывается из четырех гармонических колебаний:

где ω – циклическая частота модуляции падающего излучения; , , , – амплитуды колебаний.

Усредненный во времени сигнал на детекторе будет пропорционален интенсивности света Ix, полученной в результате интерференции этих колебаний:

(5.3)

 

Рис. 5.2. Интерферограмма от эпитаксиальной структуры, регистрируемая

интерферометром Майкельсона

 

Формула (5.3) описывает сигнал, форма которого показана на рис. 5.2. Интерферограмма состоит из центральной серии пиков (I ц) и двух сопутствующих боковых серий (I , I ). Из (5.3) видно, что максимум сигнала в центральной серии пиков будет наблюдаться в точке х= 0, когда фазовые сдвиги монохроматических компонентов падающего излучения равны нулю. Как следует из (5.3), (5.1) и (5.2), максимум сигнала в сопутствующих боковых сериях пиков появляется тогда, когда разность фаз Δ М, вводимая движущимся зеркалом М 2, равна и компенсирует разность фаз Δ, возникающую при отражении света от образца. При этом интерференция лучей А 2 и В 1 дает сопутствующий боковой главный максимум при +Δ М, а интерференция лучей А 1 и В 2 – боковой максимум при – Δ М.

Толщина эпитаксиального слоя определяется по положению боковых сопутствующих пиков относительно центрального максимума. Известно, что φ1 = π, а фазовый сдвиг φ2 зависит от уровня легирования подложки и длины волны света. Если в (5.3) пренебречь φ2, то положение максимума боковой серии, например I , относительно центрального максимума при х= 0 определится из условия dn 1 –x 2max = 0. Отсюда:

d=x 2max/ n 1. (5.4)

На основе (5.4) строится следующий алгоритм операций проведения измерений. Фиксируются положения –x 1mах и x 2mах подвижного зеркала в моменты, когда на интерферограмме наблюдаются максимумы боковых серий; определяется длина хода зеркала между этими фиксированными положениями и вычисляется толщина эпитаксиального слоя по формуле:

d= (x 2max –x 1max)/(2∙ n 1). (5.5)

Если угол падения луча в θ≠0, то (5) запишется в виде:

d= (x 2max –x 1max)/2∙()1/2.

Такой способ определения толщины эпитаксиального слоя не учитывает влияния фазового сдвига φ2 на результат измерения. Величина φ2 входит в аргумент подынтегральной функции и поэтому влияет на положение бокового максимума. При этом смещение максимума будет зависеть от удельного сопротивления подложки и рабочего спектрального диапазона интерферометра. Для ν <1000 см-1 и v >1000 см-1 зависимость φ2 от волнового числа может быть аппроксимирована линейной функцией:

φ2 = –aν + b, (5.6)

где коэффициенты а и b различны для двух спектральных областей.

С учетом (5.6) слагаемое I для боковой серии при Δ = Δ М в (5.3) запишется в виде:

Аналогичное выражение может быть записано и для боковой серии I при Δ= –Δ М. В аргумент подынтегральной функции b не входит и поэтому смещения бокового максимума не вызывает. Влияние параметра b проявляется только в нарушении симметрии боковой серии относительно максимума. Если не принимать во внимание асимметрию боковой серии, положение ее максимума определится из условия:

(5.7)

Из (5.7) следует, что истинное значение толщины определяется по формуле:

Таким образом, спектральная зависимость фазового сдвига приводит к тому, что измеряемое значение толщины эпитаксиального слоя всегда больше истинного. Эта систематическая погрешность зависит от удельного сопротивления подложки и рабочего спектрального диапазона. В коротковолновой области а меньше, чем в длинноволновой, поэтому измеренная в коротковолновом диапазоне толщина эпитаксиального слоя ближе к истинной. Чтобы исключить систематическую погрешность, необходимо в результат измерения вносить поправку на фазовый сдвиг. Эта поправка может быть теоретически рассчитана для выбранного спектрального диапазона и для разных значений удельного сопротивления подложки на основе известной зависимости фазового сдвига φ2 от длины волны света.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-29; Просмотров: 398; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.