Порядок выполнения работы. 1. Исследование мощности излучения ПКГ и СИД от тока инжекции

1. Исследование мощности излучения ПКГ и СИД от тока инжекции.

Изменяя ток инжекции через 40 мА, регистрировать показания индикатора «Сигнал». Результаты занести в таблицу. Переключатель «ПКГ» - «СИД» перевести в положение «2». Повторить измерения.

Особо обратить внимание на те токи инжекции, при которых про- исходит резкое изменение мощности оптического излучения.

Переключатель «ПКГ» - «СИД» перевести в положение «1».

2. Исследование расходимости излучения ПКГ и СИД в горизонтальной плоскости.

Установить максимальный ток инжекции. Изменяя угол поворота блока излучателей β от -24⁰ до 24⁰ через 3⁰, регистрировать показания индикатора «Сигнал». Результаты занести в таблицу. Переключатель «ПКГ» - «СИД» перевести в положение «2». Повторить измерения. Установить угол β = 0⁰.

Переключатель «ПКГ» - «СИД» перевести в положение «1».

3. Исследование расходимости излучения ПКГ и СИД в вертикальной плоскости.

Выполнять аналогично п.2.

4. Исследование спектральной характеристики ПКГ и СИД.

Углы β и γ должны быть установлены на 0⁰. Включить питание блока ФЭУ. Переключатель «ФЭУ»-«ФД» установить в положение «ФЭУ».

Подвижную стойку выдвинуть до упора «к себе». Прогреть блок питания ФЭУ в течение пяти минут.

Вращая винт настройки спектрографа, установить по шкале область положения спектра. Разбить область на 10 равных интервалов. В найденных точках зарегистрировать показания индикатора «Сигнал». По градуировочному графику перевести показания шкалы винта настройки спектрографа в длины волн. Результаты занести в таблицу. Переключатель «ПКГ» - «СИД» перевести в положение «2». Повторить измерения. Выключить установку.

5. По результатам измерений построить четыре графика. Определить, какой из излучателей ПКГ, а какой СИД. Выводы обосновать.

6. Оформить отчет.

Содержание отчета

1. Цель и задачи исследования.

2. Результаты эксперимента в виде таблиц и графиков.

3. Анализ полученных данных и выводы по работе.

Контрольные вопросы

4. Что такое вырожденные полупроводники?

5. Почему вероятность излучательной рекомбинации выше в прямозонных полупроводниках?

3. Что такое индуцированная рекомбинация?

4. Принцип действия полупроводникового квантового генератора.

5. Отличия светоизлучающего диода от полупроводникового кван- тового генератора.

6. Почему мощность излучения полупроводникового квантового генератора и светоизлучающего диода падает с повышением темпе-ратуры?

7. Почему спектр излучения полупроводникового квантового ге-нератора уже спектра светоизлучающего диода?

Библиографичексий список

1. Е п и ф а н о в Г.И., М о м а Ю.А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. М.: Сов. радио, 1979. 350 с.

2. Ш а л и м о в а В.К. Физика полупроводников. М.: Энер-гоатомиздат, 1985. 391 с.

3. З и С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 т. М.: Мир, 1984. 455 с.

4. Специальный физический практикум / Под ред. А.А Харламова. М.: Изд-во МГУ, 1977. 376 с.

5. Лабораторные занятия по физике / Под ред. Л.Л. Гольдина. М.: Наука, 1983. 704 с.

6. Л е б е д е в а В. В. Техника оптической спектроскопии. М.: Изд-во МГУ, 1977. 383 с.

7. Маленькая энциклопедия: Квантовая электроника. М.: Сов. Эн-циклопедия, 1969. 431 с.

8. Б о г д а н к е в и ч О. В., Д а р з н е к С. А., Е л и –

с е е в П.Г. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука, 1976. 415 с.

Дата добавления: 2015-06-26