Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Теоретическое введение. Исследование тиристоров и управляемых выпрямителей




Исследование тиристоров и управляемых выпрямителей

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4.

Цель лабораторной работы: Экспериментальное получение характеристик тиристора.

Тиристор – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три и более p-n переходов, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

С эксплуатационной точки зрения тиристор – это полупроводниковый ключ, основное назначение которого – замыкание и размыкание цепей.

Он может находиться в любом состоянии бесконечно долго. Переход из одного состояния в другое происходит сравнительно быстро.

Основой тиристора является четырехслойная структура полупроводников различной проводимости – p-n-p-n. Вывод с р -примесью называется анодом, с п -примесью – катодом.

Количество примесей в р и п слоях различна, что представлено на графике.

Рис 4.1

К одному из внутренних слоев может быть подключен дополнительный источник питания. Если он подключен к р -слою, то тиристор называется – с катодным управлением, если к п -слою – с анодным.

Приложим прямое напряжение и к аноду (+) и к катоду (–) и к управляющему р -слою (+).

Рис 4.2

Это напряжение распределяется между тремя p-n переходами. Переход П1 – анодный, П3 – катодный (управляющий).

Мысленно проводим разрез и представим четырехслойную структуру как комбинацию двух транзисторов VT1 и VT2 типа p-n-p и n-p-n соответственно, расположенных встречно.

Рис 4.3

Здесь коллектор транзистора VT1 является базой транзистора VT2 наоборот.

Усилительные свойства обусловлены статическими коэффициентами передачи тока эмиттера α1 и α2 транзисторов VT1 и VT2 а также коэффициентами передачи тока базы β1 и β2.

Переходы П1 и П3 – эмиттерные, они имеют прямое смещение. Переход П2 – коллекторный, к нему приложено обратное напряжение.

С помощью управляющего тока Іу происходит включение и выключение тиристора.

Ток Iу одновременно является базовым током IБ2 транзистора VT2. Этот ток вызывает инжекцию носителей заряда через переход П3 в этом случае

Ток Ik2 одновременно является током базы VT1. Этот ток обеспечивает инжекцию через переход П1, следовательно

Ток Ik1 в сумме с током Iу образует ток IБ2, т.е. Ik1 увеличивает Iу или является током внутренней положительной обратной связи (ПОС), в результате

Т.о. если β1 и β2. достаточны, чтобы усиление в контуре обратной связи было много больше 1, то базовые токи будут быстро нарастать и оба транзистора окажутся насыщенными даже после того, как ток на управляющем электроде Iу упадет до нуля. При этом переход П2 будет смещен в прямом направлении и Т.о. П1, П2, П3 имеют прямое смещение, следовательно имеем большой ток при малом падении напряжения.

Отсюда вытекает главная особенность тиристора как ключа по сравнению с транзистором – это внутренняя ПОС, которой и обеспечивается включение тиристора, амплитуда которого сразу после запуска намного превосходит амплитуду управляющего тока. Управляющий ток необходим для возбуждения ключа, он может быть очень кратковременным.

Для сравнения рассмотрим диаграммы работы транзистора и тиристора в ключевом режиме работы на диаграмме представлена зависимость выходного тока iвых от тока базы транзистора iб тр-ра и тока базы тиристора iб тир.

Рис 4.4

Очевидно, что мощность, потребляема транзистором больше, чем тиристором.

ВАХ тиристора

ВАХ при отсутствии тока управляющего электрода

 

подаем на управляющий электрод импульсное напряжение, создающее кратковременный ток Iупр, тиристор включается и ведет себя как диод, включенный в прямом направлении

Iк падает до нуля при подаче импульса обратного знака

Условное обозначение

Порядок выполнения работы:

 

  1. Открыть файл lab4/4_1.ewb (рис. 4.5) со схемой

Рис 4.5

  1. Изменяя переменным резистором (при нажатии клавиши <U> сопротивление уменьшается, при нажатии комбинаций клавиш <shift>-<R> сопротивление увеличивается) напряжение питания, снимите вольтамперную характеристику триодного тиристора Iпр=f(Uпр) при токах в управляющем электроде 5, 10, 15 мА, управляющий ток устанавливается с помощью переменного резистора, управляющая клавиша <R>.
  2. По данным измерений построить вольтамперные характеристики триодного тиристора.

Контрольные вопросы

1. Может ли тринистор работать в режиме динистора

2. Что будет происходить с тринисторм при питании его анодной цепи от источника переменного тока

3. Может ли тринистор использоваться как ячейка памяти

4. Какие преимущества дает применение тринисторов взамен электромагнитных реле

5. Какими способами можно произвести выключение тринистора

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 1479; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.