Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Тема 2.2. Биполярные транзисторы




Тема 2.1. Проводимость полупроводников, р-n-переход. Полупроводниковые диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Проводимость полупроводников (п/п), виды носителей зарядов, собственная и примесная проводимость п/п, р-n-переход. Энергетическая диаграмма р-n-перехода, прямое и обратное включение, уравнение токов, вольт-амперная характеристика (ВАХ) и виды пробоя р-n-перехода. Полупроводниковые диоды: виды, система УГО, особенности практического использования. Сравнительный анализ эксплуатационных и предельных электрических параметров (Uпр., Iобр., Uобр.мax., Iпр.ср., Iпр. имп., fпред., Tmax) из справочной литературы для п/п диодов, изготовленных из различных материалов (Ge, Si, GaAs, Se) и по разным технологиям (сплавные, диффузионные, планарные и т. д.), с учетом электрических потерь, надежности, конструктивных особенностей. Стабилитроны, терморезисторы, варисторы, тензорезисторы.

Контрольные вопросы

0. Расскажите об электронно-дырочном переходе.

1. Какие основные электрические параметры выпрямительных диодов вам известны?

2. Для каких целей используются стабилитроны? Как это объяснить, используя ВАХ?

3. Собственная и примесная проводимости полупроводников.

4. Какой вид имеют вольт-амперные характеристики выпрямительного диода и стабилитрона? Объясните разницу.

5. Как образуется примесный полупроводник (донорный и акцепторный)?

6. Объясните процесс образования полупроводников р- и
n-типов.

7. Какие исходные материалы используются для изготовления полупроводников и почему?

8. Температурные свойства диодов.

9. На каком принципе основана работа туннельного диода, терморезистора, варистора и тензорезистора?

 

Структура двух видов биполярных транзисторов (БТ) – прямой проводимости (р-n-р) и обратной проводимости (n-р-n), принцип действия, краткие сведения по технологии изготовления. Схемы включения БТ: общая база (ОБ), общий эмиттер (ОЭ) и общий коллектор (ОК). Свойства схем включений и анализ статических характеристик, уравнения токов электродов БТ, особенности применения. Анализ свойств и особенностей практического использования различных схем включения БТ.

Контрольные вопросы

0. Как работает транзистор типа p-n-p? Поясните на схеме включения.

1. Изобразите входную характеристику транзистора при включении с общим эмиттером. Объясните.

2. Изобразите семейство выходных характеристик транзистора при включении с общим эмиттером. Объясните.

3. Расскажите о семействах статических характеристик транзистора.

4. Изобразите схемы включения биполярных транзисторов типов p-n-p и n-p-n в режимах отсечки, насыщения и активном.

5. Как определяются h-параметры по статическим, гибридным характеристикам транзистора?

6. Опишите схемы включения биполярного транзистора: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.

7. Расскажите об известных вам разновидностях транзисторов по конструктивно-технологическому признаку.

8. Чем объяснить принципиальную возможность усиления электрических сигналов с помощью транзистора?

9. Какая схема отличается большей температурной стабильностью – с общей базой или с общим эмиттером? Ответ объясните.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 693; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.