Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Модуль 1.4




Полевые транзисторы.

Полевой транзистор – трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

В устройствах промышленной электроники применяются две разновидности полевых транзисторов с рn -переходом (канальные или полярные транзисторы),

с изолированным затвором (МДП или МОП транзисторы).

Принцип работы, характеристики и параметры обоих разновидностей аналогичны.

Название и назначение электродов в транзисторах приведены в таблице 1.3.

Таблица 1.3.

    Биполярный транзистор Полевой транзистор Назначение электродов
Название электродов Эмиттер Коллектор База Исток Сток Затвор Испускающий заряды Собирающий заряды Управляющий электрод

 

Принцип работы.

Полевые транзисторы с рnпереходом.

 

 

Рис. 1.14 Схематическое изображение конструкции и схема включения полевого транзистора с р n – переходом.

Слой полупроводника n -типа (р -типа) между истоком и стоком, ограниченный с двух сторон электронно-дырочным переходом называется каналом.

Принцип работы транзисторов n и р – каналов аналогичен и отличается полярностью подводимых напряжений.

При неизмененном значении Ес и сопротивлении нагрузки Rн выходной ток стока (Ic) зависит от эффективной площади поперечного сечения канала, которая определяется величиной и полярностью напряжения управления, поданного между затвором и истоком (Ез-и).

При увеличении отрицательного потенциала на затворе увеличивается толщина рn – перехода и уменьшается сечение токопроводящего канала.

Сопротивление между истоком и стоком увеличивается, ток стока (Ic) уменьшается. Подключив последовательно с источником Ез-и источник переменного напряжения Uвх, можно менять ток (Ic) в канале по закону изменения входного напряжения. При определенной величине нагрузки Rн можно добиться повышения уровня выходного напряжения по сравнению со входным напряжением т.е. усилить сигнал.

Эти транзисторы работают при одной полярности входного напряжения:
n -канал при минусе на затворе, р- канал при плюсе на затворе.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 487; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.014 сек.