Мурзакаев А.М

ЭЛЕКТРОНЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

ФОРМУЛЯР ЗАМЕЧАНИЙ РУКОВОДИТЕЛЯ

РЕФЕРАТ

К курсовому проекту

по дисциплине: « Электроника »

Тема: УСТРОЙСТВО ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАИБОЛЬШЕГО

ЧИСЛА

Исполнитель:		(Фамилия, инициалы)
	(подпись)
студент		курса		группы
Руководитель:		(Фамилия, инициалы)
	(подпись)

Минск 201__

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ РЕФЕРАТА

Пояснительная записка 28 с., 15 рис., 5 табл., 6 источников, 2 прил.

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ, УСТРОЙСТВО ВВОДА, ОПЕРАЦИОННОЕ УСТРОЙСТВО, ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, ТРИГГЕР, ОШИБКА ПЕРЕПОЛНЕНИЯ

Целью курсового проекта является разработка устройства определения наибольшего числа в соответствии с заданными параметрами; функциональной и принципиальной схем данного устройства; описание его работы с помощью диаграмм; расчет мощности, потребляемой устройством.

В проекте осуществлены описание последовательности работы устройства, разработка функциональной и принципиальной схем, осуществлен выбор элементной базы, разработана диаграмма работы устройства, представлены основные сведения об интегральных микросхемах, выбранных для реализации устройства.

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

ПРИМЕР ОФОРМЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………..
	ОПИСАНИЕ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ РАБОТЫ УСТРОЙСТВА …..................................................................
	ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА УСТРОЙСТВА……....
	1.1 Устройство ввода………………………………………...
	1.2 Устройство вывода……………………………………....
	1.3 Операционное устройство…………………………….....
	1.4 Устройство управления……………………………….....
	ВЫБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ……………………..…...
	3.1 Обоснование выбора элементной базы………………...
	3.2 Выбор интегральных микросхем для реализации устройства управления ……………………………………...
	3.3 Выбор интегральных микросхем для реализации устройства ввода…………………………………………..…
	3.4 Выбор интегральных микросхем для реализации устройства вывода……………………………………….…..
	3.5 Выбор интегральных микросхем для реализации операционного устройства………………………………………
	ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА. ОПИСАНИЕ РАБОТЫ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ…………………….
	РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ...………………………………..…..
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………..………………………………….…
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ……….
ПРИЛОЖЕНИЯ………………………………………………..

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

№ пп	Формулировка замечания	Дата выдачи замечания, подпись руководителя	Дата устранения замечания, подпись руководителя

Электроны в твердых телах: Учебное пособие по курсу “Физическая электроника”.  Екатеринбург

В учебном пособии рассматриваются вопросы зонной теории твердых тел, статистики носителей заряда в твердых телах, механизмов электропроводности металлов и полупроводников. Первая глава посвящена основам квантовой механики, понимание которых необходимо для дальнейшего усвоения материала.

Для студентов физического факультета УрГУ специальности “Фундаментальная радиофизика и физическая электроника”.

Институт электрофизики УрО РАН

СОДЕРЖАНИЕ

ГЛАВА 1 Элементы квантовой механики.

1.1. Экспериментальные и теоретические предпосылки квантовой механики.

1.2. Гипотеза Луи де Бройля. Корпускулярно-волновой дуализм микрочастиц.

1.3. Волновая фунцция свободного электрона. Статистический смысл волновой функции.

1.4. Соотношение неопределенностей Гейзенберга.

1.5. Уравнение Шредингера.

1.6. Частица в одномерной прямоугольной потенциальной яме.

1.7. Квантовый гармонический осциллятор.

1.8. Прохождение частиц через потенциальный барьер. Туннельный эффект.

1.9. Атом водорода.

ГЛАВА 2. Зонная теория твердых тел.

2.2. Движение электронов в периодическом поле кристалла. Уравнение Шредингера для кристалла.

2.2. Энергетические зоны в приближении сильной связи.

2.3. Общие свойства волновой функции электронаа в периодическом потенциале. Теорема Блоха.

2.4. Модель Кронига-Пени.

2.5. Энергетические зоны модели Кронига-Пени.

2.6. Заполнение энергетических зон электронами. Металлы, полупроводники и диэлектрики.

2.7. Эффективная масса электрона в кристалле и ее физический смысл.

2.8. Собственные полупроводники. Понятие о дырках. Примесные полупроводники.

ГЛАВА 3. Статистика носителей заряда в твердых телах.

3.1. Статистическое описание коллектива частиц. Функция распределения частиц по состояниям. Фермионы и бозоны.

3.2. Функция распределения Ферми-Дирака. Уровень Ферми. Энергия Ферми. Влияние температуры на распределение Ферми-Дирака.

3.3. Функция плотности состояний электронов и дырок.

3.4. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике. Закон действующих масс. Невырожденный газ электронов и дырок.

3.5. Уровень Ферми в полупроводниках.

3.6. Равновесные и неравновесные носители заряда. Квазиуровни Ферми.

ГЛАВА 4. Электропроводность твердых тел.

4.1. Дрейф свободных носителей заряда в электрическом поле.

4.2. Электропроводность металлов.

4.3. Электропроводность собственных полупроводников.

4.4. Электропроводность примесных полупроводников

Литература.

ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ

Дата добавления: 2015-06-04