С общим эмиттером

1. дифференциальный коэффициент передачи тока базы

при , (11)

2. дифференциальное входное сопротивление транзистора

при , (12)

3. дифференциальное выходное сопротивление транзистора

при . (13)

4. крутизна характеристики в усилительном режиме:

при . (14)

Из выражений (11) и (14) следует:

(15)

При определении параметров по формулам (7) – (14) с помощью вольтамперных характеристик транзисторов производные заменяют конечными приращениями соответствующих величин.

Статические коэффициенты передачи тока эмиттера a и базы b определяются в соответствии с выражениями:

при , (16)

при . (17)

Схема с ОЭ имеет большее, чем схема с ОБ, входное сопротивление и усиливает сигнал как по току, так по напряжению и мощности.

Для схемы с общим эмиттером:

· коэффициент усиления по току: I _ВЫХ/ I _ВХ = I _К/ I _Б = I _К/(I _Э- I _К) = α/(1-α) = β; β>>1,

· входное сопротивление: R _ВХ = Δ U _ВХ/Δ I _ВХ = Δ U _БЭ/Δ I _Б,

Достоинства:

· большой коэффициент усиления по току,

· большой коэффициент усиления по напряжению,

· наибольшее усиление мощности,

· можно обойтись одним источником питания,

· выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки:

· худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой.

Дата добавления: 2015-07-02