Організація багатокристальної пам'яті

Для одержання необхідного обсягу пам'яті і збільшення її розрядності можна нарощувати як по "горизонталі", так і по "вертикалі". Необхідна розрядність пам'яті досягається шляхом "горизонтального" нарощування (мал. 7.12). При цьому фіксується кількість слів пам'яті. На всі мікросхеми подається та сама адреса. При читанні кожної мікросхеми видається визначений розряд слова, що зчитується. При записі вхідне слово порозрядно заноситься в ЗЕ окремих мікросхем. Таким чином, якщо мікросхеми мають організацію nx 1 (п однорозрядних осередків), то для блоку пам'яті з організацією мікросхем. Блок пам'яті складається з мікросхем, що утворять окремий ряд (лінійку).

Мал. 7.12. Горизонтальне нарощування мікросхем для одержання пам'яті з організації (1024x8)

Необхідний обсяг пам'яті при фіксованій розрядності слів можна одержати нарощуванням по "вертикалі" (мал. 7.13).Нарощування по вертикалі забезпечує одержання необхідного обсягу пам'яті при фіксованій розрядності чотири БІС ОЗУ з організацією 256x8. При такій організації кожне слово зчитується і записується цілком з даного кристала ЗП, а вхід ВК кожної схеми O3П підключається до окремого керуючого сигналу.

Мал. 7.13. Вертикальне нарощування мікросхем для одержання пам'яті з організацією (1024x8).

Обидва способи нарощування пам'яті можуть бути використані одночасно для одержання необхідного обсягу і розрядності (мал. 7.14).

Збільшення обсягу пам'яті ППЗП в цій схемі реалізовано шляхом нарощування по "вертикалі", а збільшення розрядності ОЗП-нарощуванням по "горизонталі", а необхідний обсяг пам'яті ОЗП виробляється нарощуванням по "вертикалі".

Рис. 7.14. Організація пам'яті з використанням "горизонтального" і "вертикального" способів нарощування

Розглянемо приклад нарощування ємності блоку пам'яті ОЗУ на мікросхемах з організацією 1024x1. Потрібно на цих мікросхемах побудувати блок пам'яті, що має організацію 4096x8, тобто блок памя'ті на 4096 восьмирозрядних осередках. Нарощування розрядності потребує в кожній лінійці схеми на мал. 7.15 використання восьми мікросхем. Для збільшення числа осередків

Мал. 7.15. Нарощування ємності блоку пам'яті ОЗУ на мікросхемах з організацією 1024x1

з 1024 до 4096 (у 4 рази) необхідно передбачити чотири лінійки мікросхем, а кожній лінійці по вісім мікросхем. Таким чином, число необхідних мікросхем 8x4 = 32. Адреса, по якій в такому блоці пам'яті буде використовуватись звернення, формується в такий спосіб. Для вибору лінійки в адресі буде потрібна дворозрядна група, кожній з чотирьох кодових комбінацій цієї групи (00, 01, 10, 11) буде відповідати визначена лінійка в блоці пам'яті. Вибір осередку в лінійці мікросхем потребує наявності в адресі десятирозрядної групи (число комбінацій десятиразрядної групи 2 = 1024 дорівнює числу ЗЕ в мікросхемі). Таким чином, адреса розглянутого блоку пам'яті повинна мати 12 розрядів.

Дата добавления: 2015-06-27