КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Методические указания по решению задачи
Для решения задачи изучите материал [Л.4, с.101-119, Л.5, с.ЗЗ-41]. Приведете условие задачи и таблицу с Вашим вариантом задания. 3.1. Приведите схему включения заданного полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме, при котором во входную цепь включаются источник смещения и источник сигнала, а в выходную цепь - источник смещения и нагрузка - потребитель. Укажите полярность источников смещения и поясните ее. Если Вам задан полевой транзистор с управляющим р-п переходом (варианты 2, 4, 8, 10), объяснение полярности источников смещения должно быть следующим: К стоку транзистора подключается такой полюс источника ес, который будет притягивать к себе основные носители заряда канала, создавая в нем ток Основные носители определяются проводимостью канала (р или n). Полярность источника ез, подающего напряжение на затвор, также зависит от типа канала. К затвору транзистора подключается такой полюс источника, который создает обратное смещение на управляющем р-п переходе затвор-канал. Если задан транзистор с встроенным каналом (варианты 1, 5, 7, 9), рассуждаем следующим образом. К стоку транзистора подключается полюс ес противоположный знаку основных носителей заряда канала. Основные носители заряда определяются типом канала (р или n). Полюс источника ез подающего напряжение на затвор, зависит от типа канала и режима работы транзистора (обогащения или обеднения). К затвору транзистора с встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, подключается полярность источника ез совпадающая с полярностью основных носителей. К затвору транзистора с встроенным каналом, работающего в режиме обогащения, подключается полярность источника ез противоположная полярности основных носителей заряда. Если задан транзистор с индуцированным каналом (варианты 3, 6), объяснение источников смещения следующее К стоку транзистора подключается полюс источника ес, противоположный знаку основных носителей заряда канала. К затвору транзистора с индуцированным каналом подключается полюс источника ез, который создает резким обогащения, т.е. противоположный полярности основных носителей заряда в канале. Полярность основных носителе заряда.определяется полярностью канала (р или n). 3.2. Приведите стоковые и стоко-затворную характеристики транзистора (в общем виде). Для этого обратитесь к (Л.5, рис 36, 39, 42]. Приводя характеристики, учитывайте заданные тип транзистора и тип канала, а для транзистора с встроенным каналом и режим работы транзистора (обогащения или обеднения). Полярность источников смещения ес и ез, на схеме должна соответствовать знаку напряженности uси и uзи на характеристиках. Приведите обозначение, название и поясните физический смысл статических параметров полевого транзистора, а также расчетные формулы этих параметров [Л.5, с.39-40]. На графике стоковых характеристик укажите принцип графического расчета параметров. На рисунке 2 приведен пример такого расчета. Рабочую точку выберите произвольно в середине линейной части одной из стоковых характеристик. Крутизна S=ΔIc/ΔUзи | Uси=const. Внутреннее сопротивление Ri=ΔUсb/ΔIc | Uзи=const. 3.4. Сравнивая молевой и биполярный транзисторы по указанным параметрам, обратитесь к [Л.3, с.40].
Рис 2. Стоковые характеристики полевого транзистора
Задача 4 1. Укажите назначение усилителя ОУ и его преимущества, 2. Приведите схему на ОУ, выполняющую заданную функцию, поясните назначение элементов схемы. 3. Рассчитайте элементы схемы и значения выходного сигнала. Таблица 4
Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 359; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |