Если работа выхода электронов из n -полупроводника меньше, чем из металла, (металл) Ам > Аn, то при образовании контакта часть электронов переходит из полупроводника в металл; в полупроводнике появляется обедненный слой (структура “ М- n-n+ ”), содержащий положительный заряд ионов доноров, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР….
В обедненном слое возникает электрическое поле, препятствующее диффузии электронов к контакту (т.е. наблюдаются процессы аналогичные, как в рассмотренном ранее p-n переходе).
Величина потенциального барьера (прямое падение напряжения) - 0,2-0,4 вольт.
Возникающий потенциальный барьер называется “барьером Шоттки”.
Рис. 5.9Образование потенциального барьера, переход М-n
Рассматриваемый переход обладает выпрямительным свойством.
Для п/п р – типа, чтобы переход обладал выпрямительным свойством, работа выхода электронов из металла должна быть меньше работы выходап/п.Ар>Ам см. р ис. 5.8
Барьер Шоттки (открыл нем. физик Вальтер Шоттки — Walter Schottky)
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление