Проверка исправности полупроводниковых приборов

Основные параметры полевых транзисторов

1. Крутизна характеристики по затвору

S = U_c = const 0,1 ÷ 500мА/В

2. Крутизна характеристики по подложке 0,1-1 ма/В

3. Напряжение отсечки U_{зи отс} = 0,2÷10В

4. Пороговое напряжение U_{зи пор} 1 ÷ 6 В

5. Сопротивление сток - исток в открытом состоянии 2 ÷ 300 Ом.

6. Постоянный ток стока I_{С макс} 10 мА÷ 0,7 мА

7. Начальный ток стока

Для транзисторов с управляющим р - n переходом - 0,2 -÷600mA

Для транзисторов со встроенным каналом -0,1 ÷100мА

Для транзисторов с индуцированным каналом - 0,01 ÷ 0,5мкА

8. Максимальная частота усиления

Приложение к разделу №1.

1. Проверка исправности полупроводниковых диодов.

Как правило на практике бывает необходимо проверить исправность выпрямительных полупроводниковых диодов, которая сводится к проверке сохранности выпрямительного р - n перехода, то есть необходимо опреде­лить сопротивление диода включенного в прямом направлении R_np. Для большинства типов диодов R_np составляет величину от нескольких Ом до де­сятков Ом и может быть определено с помощью тестера или мультиметра на пределе до 1 кОм. Обратное сопротивление диода R_обр обычно составляет единицы и десятки килом и может быть измерено тем же прибором на преде­ле свыше 1 кОм.

При проверке исправности готовых выпрямительных мостов измери­тельный прибор поочередно включается по схеме:

Таким образом поочередно проверяется целостность всех 4х диодов, входящих в схему моста.

2. Проверка транзисторов без выпайки из схем может осуществляться измерением сопротивления между выводами эмиттера и коллектора при со­единении базы с коллектором (рис. 35, а) и при соединении базы с эмиттером (рис. 35, б)

При исправном транзисторе в схеме рис. 35,а омметр покажет малое сопротивление, а в схеме рис.35,б большое порядка нескольких кОм.

Проверка транзисторов, не включенных в схему, на отсутствие корот­ких замыканий производится измерением сопротивления между их электро­дами. Омметр подключается поочередно к базе и эмиттеру, к базе и коллек­тору, к эмиттеру и коллектору, меняя их полярность.

Поскольку транзистор состоит из двух переходов, причем каждый из них представляет собой как бы полупроводниковый диод, проверить транзи­стор можно так же как диод. У исправного транзистора прямое сопротивле­ние перехода составляет 30 ÷ 50 Ом, а обратное 0,5÷2 МОм. Если результа­ты измерений значительно отклоняются от этих значений, транзистор следу­ет признать неисправным.

Омметр поочередно подключают между базой и эмиттером, базой и коллектором, а полярность подключения омметра выбирают в зависимости от типа транзистора - р - n - р или n - р - n.

Проверку полевого транзистора на наличие тока стока можно выпол­нить с помощью схемы:

При таком включении, в отсутствие напряжения на затворе через по­левой транзистор должен течь ток стока, соответствующий паспортным дан­ным на транзистор. Измерительный прибор ИП устанавливается предвари­тельно на предел измерения, соответствующий ожидаемому значению тока. При соответствии измеренного значения I_с паспортным данным транзистор очевидно будет исправным. Проверка других параметров потребует более сложных и специальных приборов.

При небольшом практическом навыке проверка исправности полу­проводниковых приборов на работоспособность с помощью тестера или мультиметра позволяет надежно и оперативно определить их исправность или пригодность к дальнейшему применению.

Раздел 2. Аналоговые электронные устройства (АЭУ).

Тема 2.1. Классификация и назначение усилителей. Характеристики и параметры.Искажения в усилителях.

Дата добавления: 2014-01-03