Датчики Холла

В основе работы датчиков Холла лежит явление исправления траектории зарядов в полупроводнике, находящемся в магнитном поле, открытое в 1879 году американским физиком Эдвином Холлом.

Принцип возникновения ЭДС Холла- Eх. поясняется рис. 2.15.

Рис. 2.15.

Если к пластинке полупроводника с электронной проводимостью приложить напряжение от внешнего источника питания. То при отсутствии внешнего магнитного поля заряды будут распределяться равномерно по объему полупроводника, и на его гранях будет отсутствовать разность потенциалов. При воздействии на пластину внешнего магнитного поля H электроны будут смещаться к одной из граней и на этой грани будет отрицательный заряд, а на противоположной грани - положительный. В результате между этими гранями возникает разность потенциалов, называемая ЭДС Холла – Ех.

Величина ЭДС Холла Ех зависит от величины тока, протекающего через пластину Iх, индукции магнитного поля B и размеров пластины – d.

(2.21)

Где Rх – постоянная Холла для данного проводника.

Для изготовления датчиков Холла используют германий или кремний. Максимальная величина ЭДС Холла достигает 1В. КПД датчика Холла достигает 20%.

Дата добавления: 2014-01-03