Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Усилительные параметры транзистора




Предельно-допустимые параметры транзистора.

Максимально-допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max. Превышение этого напряжения приведет к пробою транзистора.

Максимально-допустимый ток коллектора Iк max. Превышение этого тока вызовет его перегорание.

Предельно-допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора Pк max доп. Если мощность, выделяемая на коллекторе в виде тепла, превышает мощность рассеивания, то транзистор перегреется и сгорит.

Коэффициент передачи тока эмиттера - э.

 

э=│Uкэ=const (2.22)

 

Характеризует какая часть эмиттерного тока достигает коллектора, э0,99…0,995. Так как Iк-Iэ=Iб, то =, Iб<<Iэ.

Коэффициент передачи тока базы -.

, так как , отсюда (2.23)

Коэффициент характеризует во сколько раз ток на выходе коллектора превышает ток в схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ-Rбэ оэ.

│Uкэ=const (2.24)

Выходное сопротивление транзистора в -Ri.

│Iб=const (2.25)

Крутизна вольтамперной характеристики – S.

(2.26)

Малосигнальные параметры транзистора и схема замещения.

При расчете транзисторных усилителей, работающих в режиме усиления малых сигналов, использовать характеристики транзистора затруднительно. Для расчета эквивалентные схемы замещения транзисторов линейными четырехполюсниками. Для биполярных транзисторов наиболее удобна система h-параметров. Эти параметры могут быть определены с высокой точностью для реальных элементов экспериментально. Рассмотрим транзистор как четырехполюсник (рис.2.21).

 

 

Рис.2.21.

 

Можно составить систему уравнений для такого четырехполюсника:

(2.27)

В соответствии с уравнениями можно составить эквивалентную схему замещения транзистора в режиме усиления малого сигнала (рис.2.22).

 

 

Рис.2.22.Эквивалентная схема замещения транзистора в режиме усиления малого сигнала.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 562; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.