Электронная теория проводимости

Номер гостиницы

Стадионы. Требования к проектированию трибун.

Функциональная организация предприятий общественного питания.

1. Складские помещения (загрузочные, кладовые для сухих продуктов, овощей, инвентаря и тары, охлаждаемые камеры)

2. Производственные помещения (горячий цех, холодный цех, хлеборезка, кондитерский, мясо-рыбный, овощной цехи, моечные столовой и кухонной посуды и др.).

3. Торговые помещения (вестибюль для посетителей, гардероб, санитарные узлы, обеденные залы, буфеты).

4. Административно-бытовые помещения (конторские, кабинет директора, комната персонала, гардеробные блоки для персонала и др.).

Функциональная схема:

Спортивное ядро – плоскостное сооружение, включающее в себя поля (площадки) для спортивных игр, окруженное круговой легкоатлетической дорожкой, с местами для метания и прыжков. Спортивная арена – спортивное ядро + трибуны для зрителей.

Стадион – комплекс, в состав которого входят спортивная арена с местами для зрителей, поля и площадки для спортивных игр, а также другие открытые и крытые спортивные сооружения с подсобными помещениями.

Проектирование трибун. α – 20^о, 40^о, 80^о – 3 зоны горизонтального зрительного восприятия, до 40^о – наиболее благоприятное; β – вертикальный угол обозрения – 6-9^о. Предельно возможное удалениезрительских мест – 145 м от центра арены. Превышение «с» - 12-15 см, критическая точка видимости – ближайший видимый край арены. Длинаряда – не более 50 мест при двусторонней эвакуации и не более 25 – при односторонней. Один люк на 1500 зрителей. Ширина проходов лестниц – не менее 1 м, для люков – не менее 1,5 и не более 2,4 м. 3 способаорганизации эвакуации: 1) движение вверх; 2) движение вниз; 3) движение снизу и сверху в середину трибуны к люку. Поконструктивному решению трибуны подразделяются на: а) грунтовом основании; б) на опорных конструкциях и в) на смешанных конструкциях.

1. Величина элементарного электрического заряда была определена в опытах:

1) Иоффе;

1. Величина элементарного электрического заряда была определена в опытах:

1) Милликена;

1. Величина элементарного электрического заряда была определена в опытах:

2) по исследованию электролиза;

1. Отсутствие ионной составляющей в электропроводности металлов показано в опытах:

3) Рикке;

1. Инерция носителей заряда в металлах зафиксирована в опытах:

4) Мандельштама и Папалекси.

1. Удельный заряд свободного электрона определен в опытах:

4) Томсона.

1. Знак заряда электрона определил:

3) Иоффе;

1. Удельный заряд свободного электрона определен в опытах:

1) Буша;

1. Масса электрона равна:

2) ;

1. Удельный заряд электрона равен:

3) ;

1. Собственный момент импульса электрона равен:

2) ;

1. Собственный магнитный момент электрона равен:

4) .

1. Удельный заряд носителей в металле определен в опытах:

4) Толмена и Стюарта.

1. Удельный заряд носителей в металле:

3) равен ему;

1. Какое из положений классической электронной теории электропроводности металлов приведено неверно:

3) соударения между электронами и ионами решетки абсолютно упругое;

1. Классическая электронная теория электропроводности металлов создана:

3) Друдэ;

1. Усовершенствовал классическую электронную теорию электропроводности металлов:

4)Лоренц.

1. Кто из названных физиков не имел отношения к экспериментам по инерции носителей заряда в металлах:

2)Рикке;

1. Масса электрона была определена путем:

3) исследования его движения в электрических и магнитных полях;

1. Приборы для измерения удельного заряда ионов называются:

3)масс-спектрографы;

1. Преимущества циклотрона связаны с уменьшением размеров ускорителя за счет:

1) использования переменного электрического поля;

1. С позиций классической электронной теории создание электрического поля в металле приводит к:

2)одновременному участию электронов в тепловом и направленном движении;

1. Классическая электронная теория металлов хорошо объясняет (укажите неправильный ответ):

4)явление сверхпроводимости.

1. Классическая электронная теория металлов качественно хорошо объясняет (укажите неправильный ответ):

3) температурную зависимость сопротивления полупроводников;

1. Парадокс теплоемкостей заключается в том, что с позиций классической электронной теории:

2)молярная теплоемкость металлов должна быть в 1,5 раза больше молярной теплоемкости диэлектриков;

1. Скорость направленного движения электронов в металле от времени изначально описывается сплошной линией, а затем пунктирной. Что изменилось?

2) увеличилось поле;

1. Скорость направленного движения электронов в металле от времени изначально описывается сплошной линией, а затем пунктирной. Что изменилось?

3) уменьшилось поле;

1. Скорость направленного движения электронов в металле от времени изначально описывается сплошной линией, а затем пунктирной. Что изменилось?

1) увеличилась температура;

1. Учет распределения электронов в металле по тепловым скоростям:

1) улучшает результат объяснения закона Видемана-Франца;

1. Учет взаимодействия электронов между собой осуществляется:

2) в зонной теории электропроводности;

1. Концентрацию и подвижность электронов можно рассчитать, измерив для образца:

3) и эффект Холла и электропроводность;

1. Эффект Холла возникает из-за действия:

4) силы Лоренца.

1. Эффект Холла заключается в:

4) создании разности потенциалов между гранями образца.

1. Чтобы наблюдать эффект Холла необходимо:

4) пропустить ток и создать магнитное поле в перпендикулярном току направлении.

1. Определение знака Холловской разности потенциалов в образце позволяет:

3) знак носителя заряда;

1. В опыте Милликена заряд капли масла не может измениться на:

2) ;

1. Нижняя энергетическая зона (в рамках зонной теории электропроводности) не полностью заполнена электронами при температуре, близкой к ОК:

2)в металлах;

1. При собственной электропроводности полупроводников носители заряда возникают за счет переноса электронов:

4) из валентной зоны в зону проводимости.

1. Носители заряда при электронной примесной электропроводности полупроводников возникают за счет переноса электронов:

1) с донорного уровня в зону проводимости;

1. Носители заряда при дырочной примесной проводимости полупроводников возникают после переноса электронов:

2) из валентной зоны на акцепторный уровень;

1. При собственной электропроводности полупроводников носителями заряда являются:

4) дырки и электроны, концентрации одинаковы.

1. При примесной донорной электропроводности носителями заряда являются:

1) электроны;

1. При примесной акцепторной электропроводности носителями заряда являются:

2) дырки;

1. При собственной электропроводности энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:

4) ширине запрещенной зоны.

1. При примесной электронной проводимости энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:

2) от донорного уровня до зоны проводимости;

1. При примесной дырочной проводимости энергия активации носителей равна энергетическому расстоянию:

1) от валентной зоны до акцепторного уровня;

1. При примесной электронной электропроводности, если электропроводность меняется с температурой по закону , то - энергетическое расстояние:

2) от донорного уровня до зоны проводимости;

1. При примесной дырочной электропроводности, если электропроводность меняется с температурой по закону , то - энергетическое расстояние:

1) от валентной зоны до акцепторного уровня;

1. Неосновные носители заряда возникают в примесных электронных проводниках за счет перехода электронов:

4) из валентной зоны в зону проводимости.

1. Неосновные носители заряда возникают в примесных дырочных полупроводниках за счет перехода электронов:

4) из валентной зоны в зону проводимости.

1. Какие из названных эффектов не относятся к термоэлектрическим:

1) Холла;

1. Какие из названных эффектов не относятся к гальваномагнитным:

4) Пельтье.

1. Чем отличаются с точки зрения зонной теории электропроводности полупроводники от диэлектриков:

2) шириной запрещенной зоны;

1. Чем отличаются с точки зрения зонной теории электропроводности металлы от полупроводников:

1) заполненностью валентной зоны;

1. Чем отличаются с точки зрения зонной теории металлы от диэлектриков:

1) заполненностью валентной зоны;

1. В каких веществах сопротивление с ростом температуры увеличивается:

3) в металлах;

1. В каких веществах сопротивление с ростом температуры уменьшается (укажите неправильный ответ):

3) в металлах;

1. Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:

1)Холла;

3)возникновение поперечной разности температур;

1. Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:

2) Томсона;

4) возникновение поперечной разности температур.

1. Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:

1) метод горячего зонда;

1. Какие эффекты и эксперименты позволяют определять тип примесной проводимости полупроводников:

3) возникновение продольной разности температур;

4) возникновение поперечной разности температур.

1. Какие эффекты не относятся к гальваномагнитным:

1) Пельтье;

1. Какие эффекты не относятся к гальваномагнитным:

1) Зеебека;

1. Какие эффекты не относятся к контактным:

4) униполярности проводимости в контакте двух полупроводников.

1. Чем отличаются основные положения зонной теории электропроводности от классической электронной:

1) учитывается взаимодействие электронов между собой;

3) используется иная статистика электронов;

1. Справедливость закона Дюлонга и Пти согласуется с:

2) зонной теорией;

1. Зонная теория объясняет (укажите неправильный ответ):

2) температурную зависимость сопротивления проводника;

1. Внутренняя контактная разность потенциалов в металлах вызвана:

2) различной концентрацией носителей;

1. Внешняя контактная разность потенциалов в металлах вызвана в основном:

1) различной работой выхода;

2) различной концентрацией носителей;

1. В контакте полупроводников с различным типом примесной проводимости носителями заряда при протекании тока в прямом направлении являются:

4) основные носители.

1. В контакте полупроводников с различным типом примесной проводимости носителями заряда при протекании тока в западном направлении являются:

1) неосновные носители;

1. Циклотронный резонанс позволяет определить удельный заряд:

3)и свободных электронов и электронов в металлах;

4)носителей заряда в полупроводниках.

1. Удельный заряд носителей в полупроводниках определяют:

3) циклотронным резонансом;

1. Сила Лоренца ответственна за возникновение эффектов (укажите неправильный ответ):

3)Пельтье;

1. От различия знаков носителей заряда не зависят результаты эффектов:

3) Холла;

1. Метод горячего зонда позволяет определить:

3)знак носителей;

1. Как правило, равны между собой эффективные массы:

4) электронов в различных полупроводниках.

1. При осуществлении циклотронного резонанса образец помещают в два взаимно перпендикулярных поля:

3) постоянное магнитное, переменное электрическое;

1. При осуществлении электронного парамагнитного резонанса образец помещают в два взаимно перпендикулярных поля:

3) постоянное магнитное, переменное электрическое;

1. При температурах, близких к комнатной, для носителей заряда в металлах скорость направленного движения:

4) существенно меньше скорости теплового движения.

1. Сопротивление металлов с позиций классической электронной теории возникает из-за:

2) столкновений электронов с ионами;

1. Выделение тепла Джоуля-Ленца в металлах с позиций классической электронной теории имеет место из-за:

2)столкновений электронов с ионами;

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и методом эффекта Холла, если полупроводник дырочный, то должно быть получено:

3)ток течет в направлении 2, ;

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и методом эффекта Холла, если полупроводник электронный, то должно быть получено:

2)ток течет в направлении 1, ;

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и исследования эффекта Томсона, если полупроводник дырочный, то должны быть получены результаты:

2)ток течет в направлении 2, ;

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника методом горячего зонда и исследования эффекта Томсона, если полупроводник электронный, то должны быть получены результаты:

3)ток течет в направлении 1, ;

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника по исследованию эффекта Холла и продольной разности температур, если проводник дырочный, то должны быть получены результаты:

1) , ;

2) , ;

3) , ;

4) , .

1. При исследовании типа примесной проводимости полупроводника по исследованию эффекта Холла и продольной разности температур, если проводник электронный, то должны быть получены результаты:

1) , ;

2) , ;

3) , ;

4) , .

1. Результаты исследования эффекта Холла в дырочном полупроводнике верно приведены в ответе:

1)

1. Результаты исследования эффекта Холла в электронном полупроводнике верно приведены в ответе:

2)

1. Тепло Пельтье будет выделяться в контакте металлов, если:

1) , а ток течет в направлении 2;

3) , а ток течет в направлении 1;

1. Тепло Пельтье будет поглощаться в контакте металлов, если:

1) , а ток течет в направлении 2;

3) , а ток течет в направлении 1;

1. Укажите правильный ответ. Тепло Томсона выделяется:

4) полупроводник дырочный, , ток течет в направлении 1.

1. Возникновение эффекта Зеебека:

1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;

1. Для создания микрохолодильников используют эффект:

3)Пельтье;

1. Для измерения разности температур используют эффект:

2)Зеебека;

1. Для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую можно использовать эффект:

2)Зеебека;

1. Для измерения индукции магнитного поля часто используют эффект:

1) Холла;

1. Возникновение эффекта Холла:

1) хорошо объясняется в рамках классической электронной теории;

100. Возникновение эффекта Пельтье:

2)для объяснения надо пользоваться результатами зонной теории;

101. Внутренняя контактная разность потенциалов в металлах зависит от (укажите неправильные ответы):

3)только от концентрации носителей в одном из металлов;

4)от разности концентраций носителей.

102. Первооткрывателем явления сверхпроводимости был:

3)Каммерленг-Оннес;

103. Явление сверхпроводимости было объяснено на микроскопическом уровне в рамках теории:

3)БКШ;

104. В соответствии с теорией БКШ электроны в классических сверхпроводниках взаимодействуют между собой за счет:

2)электрон-фононного взаимодействия;

105. Самая высокая температура перехода в сверхпроводящее состояние для классических сверхпроводников составляла величину порядка:

3)25 К;

106. Классическая сверхпроводимость имеет место в:

1) металлах;

107. Высокотемпературная сверхпроводимость обнаружена в:

4) любых веществах.

108. Электроны, объединяющиеся в куперовские пары, должны иметь (укажите неправильный ответ):

3)противоположные импульсы направленного движения.

109. Состояние сверхпроводимости можно разрушить (укажите неправильный ответ):

4)поднесением к сверхпроводнику другого сверхпроводника.

110. В сверхпроводнике внешнее стационарное магнитное поле:

3)оно не проникает в сверхпроводник;

111. Токи Майснера протекают:

1) по поверхности сверхпроводника;

112. Макроскопический квантовый эффект, связанный со сверхпроводимостью, заключается в том, что:

2)при выключении магнитного поля, в которое был помещен неодносвязный образец сверхпроводника, индукция оставшегося магнитного поля может меняться только дискретно;

113. Ток Майснера в сверхпроводнике можно создать:

1) только меняя магнитное поле, в котором находится сверхпроводник;

4)подключая к сверхпроводнику источник тока.

114. Направление токов Майснера можно определять в сверхпроводнике:

3)по правилу Ленца;

115. Для носителей заряда в сверхпроводниках используют статистику:

1) Ферми-Дирака;

116. В высокотемпературных сверхпроводниках перенос заряда осуществляется:

4)спаренными электронами.

117. Какая из вольтамперных характеристик относится к полупроводниковому диоду:

4)

118. Какая из вольтамперных характеристик относится к вакуумному диод

3)

119. Укажите, какое устройство из названных не является полупроводниковым прибором:

3)тиратрон;

120. Диоды (полупроводниковые, вакуумные) можно использовать для:

2)выпрямления переменного тока;

121. При включении транзистора в схему усиления «с общей барой» устройством можно усиливать (укажите неправильный ответ):

1) только ток;

122. Полупроводниковый диод обозначается на электрической схеме:

4)

123. При протекании тока в прямом направлении через p-n переход:

2)дырки движутся из р в n область, электроны из n в p область;

124. При повышении температуры полупроводниковые приборы перестают работать из-за:

1) увеличения числа неосновных носителей;

125. В вакуумных электронных лампах носители заряда появляются за счет:

3)термоэлектронной эмиссии;

126. Вакуумная лампа с двумя электродами называется:

1) диод;

127. Вакуумная лампа с тремя электродами называется:

2) триод;

128. Вакуумная лампа с четырьмя электродами называется:

3)тетрод;

129. Вакуумная лампа с пятью электродами называется:

4)пентод.

130. Газонаполненная лампа с двумя холодными электродами называется:

2)неоновая;

131. Газонаполненная лампа с двумя электродами, один из которых подогревной, называется:

1) газотрон;

132. Газонаполненная лампа с тремя электродами, один из которых подогревной, называется:

3) тиратрон;

133. В рабочем режиме в газонаполненных лампах носители заряда возникают за счет:

1) термоэлектронной эмиссии;

2) ударной ионизации;

3) вторичной эмиссии;

134. Не удается запереть электронную лампу подачей отрицательного напряжения на сетку:

2)в тиратроне;

135. Частота электрического сигнала усиливаемого с помощью вакуумного триода ограничена:

3)вторичной эмиссией;

4)инерцией электронов.

136. Коэффициент усиления каскада усилителей на вакуумных лампах ограничен из-за (укажите не имеющий отношения к вопросу ответ):

4)инерцией электронов.

137. Динатронный эффект в тетродах вызван:

3)вторичной электронной эмиссией;

138. Вторичная электронная эмиссия используется:

2)в электронных умножителях;

3)в газонаполненных лампах;

139. Вылет электронов из металлов при их нагревании:

2)термоэлектронная эмиссия;

140. Вылет электронов из металлов под действием сильного электрического поля:

1) автоэлектронная эмиссия;

141. Вылет электронов из металлов под действием их бомбардировки частицами:

3)вторичная эмиссия;

142. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при малых анодных напряжениях, в основном, из-за:

2)наличия пространственного заряда;

143. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при больших анодных напряжениях, в основном, из-за:

1) насыщения;

144. Какое распределение потенциала имеет место в вакуумном диоде при подаче отрицательных потенциалов на анод:

4)4.

145. Зависимость тока в вакуумном диоде от напряжения между анодом и катодом называется:

4)закон Богуславского-Лэнгмюра.

146. В пентоде на экранирующую сетку подается потенциал:

1) который надо усилить;

147. В пентоде на антидинатронную сетку подается потенциал:

3)катодный потенциал;

148. В пентоде на управляющую сетку подается потенциал:

1) который надо усилить;

149. Измеренные величины массы электронов в полупроводниках не совпадают с массой свободных электронов из-за:

4)воздействия на носители кристаллической решетки.

150. Носителями заряда в полупроводниках при примесной проводимости могут быть:

2)электроны или дырки;

151. Носителями заряда в полупроводниках при собственной проводимости могут быть:

1) электроны и дырки в равных концентрациях;

152. Из р-области в n-область полупроводникового диода свободно проходят:

2)дырки;

153. Из n-области в р-область полупроводникового диода свободно проходят:

3)электроны;

154. В базе р-n-р транзистора основными носителями заряда являются:

2)дырки;

155. В базе n-р-n транзистора основными носителями заряда являются:

1) электроны;

156. Тепло на контакте двух веществ выделяется или поглощается при протекании тока за счет эффектов:

4)Пельтье.

157. Термоток в замкнутой цепи из двух веществ, контакты которых находятся при разных температурах, возникает за счет эффектов:

2)Зеебека;

158. При протекании тока через образец вещества, в котором имеется градиент температуры, тепло выделяется или поглощается за счет эффектов:

3)Томсона;

159. Электрическое поле в образце вещества, через который течет ток и в котором создано магнитное поле, возникает за счет эффектов:

1) Холла;

160. С помощью механико-магнитных эффектов можно определить:

3)гиромагнитное отношение;

161. С помощью циклотронного резонанса можно определить:

1) удельный заряд носителей;

162. С помощью эффекта Холла можно определить:

4)знак носителей заряда.

163. С помощью электронного парамагнитного резонанса можно определить:

3)гиромагнитное отношение;

164. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью эффектов:

3)Томсона;

4)Холла.

165. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

1) метода горячего зонда;

166. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

1) эффекта Томсона;

167. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

1) магнитоэлектрического эффекта: измерения продольной разности температур;

2) магнитоэлектрического эффекта: измерения поперечной разности температур;

168. В классическом сверхпроводнике носителями заряда являются:

4)куперовские спаренные электроны.

169. Сверхпроводник является:

4)идеальным диамагнетиком.

170. В «высокотемпературных» сверхпроводниках температура перехода в сверхпроводящее состояние лежит в диапазоне:

3)100 – 200 К;

171. Сильное магнитное поле:

1) разрушает состояние сверхпроводимости;

172. Носителями заряда в газах могут быть:

4)ионы и электроны.

173. Процесс создания носителей заряда в жидкостях называют:

3)электролитическая диссоциация;

174. Процесс выделения вещества на электродах при протекании тока называют:

4)электролиз.

175. Электролиз исследовал:

3)Фарадей;

176. Масса вещества, выделяющегося при электролизе на электроде, пропорциональна заряду, протекающему через электролит , – это:

2)электрохимический коэффициент;

177. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:

1) химический коэффициент;

178. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:

3)число Фарадея;

179. Носителями заряда в электролитах могут быть:

2)ионы;

180. Различают следующие виды электропроводности газов:

4)самостоятельную и несамостоятельную.

181. Процесс создания носителей заряда в газах называют:

3)ионизация;

182. Вольтамперная характеристика несамостоятельного газового разряда имеет вид:

1)

183. Чаще всего при самостоятельном газовом разряде носители заряда размножаются за счет:

2)ударной ионизации;

184. Какое из названных физических явлений не является самостоятельным газовым разрядом:

1) самовозбуждение;

Дата добавления: 2015-07-13