Полупроводниковые материалы

1. Материалы, занимающие промежуточное положение по проводимости между диэлектриками и проводниками, называются…

+ полупроводниками

магнитными

сверхпроводниками

криопроводниками

2. Ширина запрещенной энергетической зоны в полупроводниках составляет_____эВ.

+ 0,05-3

более 3

более 8

3. К простым полупроводникам относятся…

+ и

и

и

и

4. К полупроводниковым относятся все материалы ряда…

+ SiC, Ge, Se, полиацетилен

Р, Si, Na, полиэтилен

B, Si, Al, поливинилхлорид

Si, Ge, Se, полистирол

5. К полупроводниковым химическим соединениям относится…

+ SiC

Н₂O

NaCl

H₂SO₄

6. Наиболее часто применяемым полупроводниковым элементом является…

+ кремний

углерод

йод

сера

7. Самым распространенным полупроводниковым элементом в земной коре является

+ кремний

селен

теллур

йод

8. Если энергетические уровни атомов примеси находятся в запрещенной зоне вблизи валентной зоны полупроводника, то электропроводность полупроводника называется…

+ дырочной

электронной

ионной

молионной

9. Примеси, поставляющие электроны в зону проводимости в полупроводниках, называют…

+ донорами

акцепторами

дислокациями

вакансиями

10. Проводимость n -типа в полупроводниках обусловлена…

+ электронами

дырками

ионами

молекулами

11. Температурный коэффициент удельного электрического сопротивления полупроводников в широком интервале температур…

+ отрицательный

положительный

равен нулю

не зависит от температуры

12. На зависимости удельной электропроводности примесного полупроводника от температуры участком собственной электропроводности является участок…

+ ВГ

АБ

БВ

АВ

13. Электропроводность полупроводника, обусловленная носителями зарядов, образовавшихся из атомов самого полупроводника, является…

+ собственной

примесной

донорной

акцепторной

14. С повышением температуры концентрация носителей зарядов в полупроводнике…

увеличивается

уменьшается

не изменяется

меняется скачкообразно

15. Полупроводники обладают проводимостью …

+ электронно-дырочной

ионной

катионной

ядерной

16. Если в решетке (IV группа) находится примесь – элемент V группы , то такая примесь создает в решетке проводимость…

+ электронную

дырочную

собственную

все виды

17. Основными факторами, с помощью которых управляют электропроводностью полупроводников, являются…

+ свет и тепло

влага и давление

закалка и отпуск

рекристаллизация и сфероидизация

18. Изменение электропроводности полупроводников под действием света называется…

+ фотопроводимостью

тензочувствительностью

рекомбинацией

анизотропией

19. Для изготовления диодов, транзисторов используют материалы…

+ полупроводниковые

проводниковые

диэлектрические

электролиты

20. Управляемость электропроводностью полупроводниковых материалов посредством электрического поля положена в основу принципа действия…

+ варисторов

терморезисторов

тензорезисторов

фоторезисторов

21. Наилучшей воспроизводимостью параметров обладают полупроводниковые приборы, полученные из…

+ монокристаллов

поликристаллов

сферолитов

доменов

22. Тонкие монокристаллические слои полупроводника, осажденные на поверхности кристаллической подложки, называются…

+ эпитаксиальными

диффузионными

эпитафиальными

доменными

23. Верхний предел рабочей температуры карбида кремния составляет_____°С.

+ 600

24. Самую высокую температуру плавления из простых полупроводников имеет…

+

25. Одним из эффективных методов глубокой очистки полупроводниковых материалов является метод…

+ зонной плавки

кристаллизации

рекристаллизации

ионизации

Дата добавления: 2017-01-13