П.3 Номинальные значения сопротивлений резисторов

П.2 Параметры транзисторов

Таблица П.2.1 – Параметры транзисторов

Тип транзистора

Ток IK.max, А

Напряжение UКЭ.max

PK.max без радиатора, Вт

PK.max с радиатором, Вт

Коэффициент h21Э

Граничная частота fгр, МГц

Напряжение Uкб.обр, В

Ток Iкб.обр, А

Мин. раб. температура, ˚С

Макс. раб. температура, ˚С

Структура транзистора

Материал

ГТ109Г

0,02

0,03

-

110÷250

15∙10^-6

-50

+55

p-n-p

Ge

1T320В

0,2

0,2

-

110÷250

5∙10^-6

-60

+70

p-n-p

Ge

П416Б

0,025

0,1

-

90÷200

-

3∙10^-6

-60

+70

p-n-p

Si

КТ104В

0,05

0,15

-

40÷160

1∙10^-6

-60

+100

p-n-p

Si

2Т203Д

0,01

0,15

-

80÷240

1∙10^-6

-60

+125

p-n-p

Si

КТ209В

0,3

0,2

-

90÷200

-

-

-45

+100

p-n-p

Si

Продолжение таблицы П.2.1

КТ343Б

0,05

0,15

-

>50

-

1∙10^-6

-40

+85

p-n-p

Si

КТ501К

0,3

0,35

-

80÷240

1∙10^-6

-60

+125

p-n-p

Si

КТ502Г

0,15

0,35

-

80÷240

1∙10^-6

-40

+85

p-n-p

Si

КТ630Б

0,8

-

80÷240

1∙10^-6

-40

+85

n-p-n

Si

КТ814А

1,5

-

50∙10^-6

-40

+100

p-n-p

Si

КТ814Б

1,5

-

50∙10^-6

-40

+100

p-n-p

Si

КТ814В

1,5

-

50∙10^-6

-40

+100

p-n-p

Si

КТ814Г

1,5

-

50∙10^-6

-40

+100

p-n-p

Si

КТ818А

-

0,001

-40

+100

p-n-p

Si

КТ818Б

-

0,001

-40

+100

p-n-p

Si

КТ818В

-

0,001

-40

+100

p-n-p

Si

КТ818Г

-

0,001

-40

+100

p-n-p

Si

2Т818В

>20

0,001

-60

+100

p-n-p

Si

2Т819В

0,001

-60

+125

n-p-n

Si

2Т825А

-

-

-60

+125

p-n-p

Si

2Т827А

-

-

-

-60

+125

n-p-n

Si

2Т828А

-

0,01

-60

+100

n-p-n

Si

2Т908А

-

3÷60

0,025

-60

+125

n-p-n

Si

В таблице П.2.1 транзисторы П416Б, КТ343Б, 2Т908А являются высокочастотными; транзистор 2Т828А – низкочастотный; транзисторы 2Т825А, 2Т827А – составные низкочастотные; напряжение U_кб.обр – допустимое обратное напряжение на переходе коллектор-база; ток I_кб.обр – обратный ток коллектора при данном значении U_кб.обр; материал Ge – германий; материал Si – кремний. При температуре +70 ˚С у германиевых маломощных транзисторов I_кб.обр увеличивается в 50 раз по сравнению с табличным значением, а у германиевых мощных I_кб.обр увеличивается в 10 раз. При температуре +120 ˚С у кремниевых маломощных транзисторов I_кб.обр увеличивается в 25 раз, а у кремниевых мощных I_кб.обр – в 5 раз.

Сопротивления большинства выпускаемых резисторов имеют ограниченный ряд значений, который согласно международному стандарту называется рядом номинальных значений. В таблице П.3.1 представлены величины, при умножении которых на степень десяти получают номинальные значения сопротивлений резисторов, серийно выпускаемых промышленностью.

Таблица П.3.1 – Номинальные исходные ряды значений сопротивлений

Ряд Е12

Ряд Е24

Ряд Е24 (продолжение)

Ряд Е12 является основным, ряд Е24 – дополнительным. Применение резисторов с сопротивлениями, сформированными по значениям ряда Е24, которых нет в ряду Е12, обходится дороже, чем применение резисторов с сопротивлениями, сформированными по значениям ряда Е12, а потому применение резисторов с такими значениями сопротивлений допустимо только при веской технической необходимости и соответствующем технико-экономическом обосновании. Примеры пользования таблицей П.3.1: если при расчете получается значение сопротивления резистора 320 Ом, то выбирается из ряда Е12 значение 33, умноженное на 10, то есть 330 Ом; если получается 3015 Ом, то в соответствии с рядом Е24 принимается 3000 Ом (3 кОм); если получается 26 Ом, то принимается 27 Ом и т.д.

П.4 Параметры низкочастотных дросселей типа «Д11»

Таблица П.4.1 – Параметры дросселей

Марка	L, Гн	I, А	rL, Ом	Марка	L, Гн	I, А	rL, Ом
Д36	0,3	0,8	9,2	Д25	0,08	1,1	4,2

Продолжение таблицы П.4.1

Д37	0,6	0,51	25,5	Д16	0,08	0,8	4,23
Д8	0,08	0,56	8,3	Д17	0,16	0,56	10,8
Д43	0,08	2,2	1,926	Д52	0,01	12,5	0,086
Д44	0,16	1,6	3,92	Д53	0,02	4,4	0,37
Д45	0,3	1,1	7,35	Д54	0,02	1,1	2,08
Д46	0,6	0,8	15,89	Д55	0,02	0,56	4,43
Д47	1,2	0,56	38,69	Д56	0,0005	16,5	0,015
Д26	0,16	0,8	7,36	Д57	1,2	0,8	28,6
Д27	0,3	0,56	14,7	Д59	0,0043	2,9	0,30
Д34	0,08	1,4	2,65	Д60	0,0005		0,093
Д35	0,16	1,0	5,19	Д61	0,02	3,0	0,6
Д154	0,05	4,5	0,17	Д62	0,05	2,5	0,55
Д157	0,04	1,6	0,65	Д63	0,00125	0,56	0,12
Д158	0,08	1,1	1,35	Д65	0,025	0,56	0,33
Д170	0,04	2,2	0,5	Д67	0,02		0,40
Д172	0,16	1,1	1,94	Д68	0,08		1,4
Д145	0,16	0,56	4,09	Д69	0,005	5,6	0,219
Д171	0,08	1,6	1,02	Д104	0,005	0,8	1,08
Д173	0,32	0,8	4,52	Д144	0,08	0,8	1,97
Д174	0,65	0,56	8,5	Д179	0,04	1,6	1,48

В таблице П.4.1 марки дросселей с их параметрами приведены в две колонки: первая колонка включает стобцы 1, 2, 3, 4, вторая колонка включает столбцы 5, 6, 7, 8. Для увеличения индуктивности можно соединять дроссели последовательно, при этом общая индуктивность равна сумме их индуктивностей, общее активное сопротивление равно сумее их активных сопротивлений, допустимый для получившейся схемы ток равен току отдельного дросселя или дросселя с меньшим значением тока, если токи применяемых дросселей различны.

Дата добавления: 2017-01-13