Тема 2.2. Гибридные и полупроводниковые ИМС

Тема 2.1. Общие сведения

Тема 1.5 Тиристоры

Тема 1.4 Полевые транзисторы

Структура и классификация полевых транзисторов. Полевые транзи­сторы с управляющим рn-переходом, их устройство, статические харак­теристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором: с индуциро­ванным и встроенным каналом, их устройство, статические характеристики.

Схемы включения полевых транзисторов. Дифференциальные пара­метры полевых транзисторов. Маркировка. Условные графические обо­значения на схемах.

Вопросы

1. Опишите принцип работы униполярного полевого транзистора.

2. Почему униполярные транзисторы называют полевыми?

3. Какими параметрами описывают свойства полевых транзисторов?

4. Объясните стокозатворную характеристику полевого транзистора.

Устройство, назначение и принцип работы. Разновидности тиристо­ров. Основные характеристики и параметры. Схемы включения. Марки­ровка. Условные обозначения на схемах.

Вопросы

1. Классификация тиристоров?

2. Объяснить принцип работы диодных тиристоров.

3. Объяснить конструкцию и принцип работы триодного тиристора

4. Опишите устройство и принцип работы однооперационного тиристора

Раздел 2. Интегральные микросхемы

Особенности микроэлектроники. Классификация и степень интегра­ции интегральных микросхем (ИМС). Аналоговые и цифровые ИМС.

Основные этапы технологии изготовления активных и пассивных элементов полупроводниковых и гибридных ИМС. Особенности монтажа и эксплуатации ИМС.

Вопросы для самоконтроля

1. Что такое уровень интеграции и степень интеграции?

2. Как создаются в интегральных микросхем пассивные элементы?

3. В чем сущность технологического метода фотолитографии?

4. Что представляет собой эпитаксиальный слой на кристаллической подложке и каким образом получают в этом слое n-островки, служащие основой для изготовления элементов интегральной микросхемы?

5. Объясните сущность диффузионио-планарной технологии.

6. Каковы преимущества эпитаксиально-планарной технологии перед диффузионио-планарной?

7. Какие компоненты используют при создании гибридных интегральных микросхем?

8. Как осуществляется объединение пленочных пассивных элементов в гибрид­ную интегральную микросхему?

10. Какие требования предъявляют к изоляционным материалам, используемым при герметизации интегральных микросхем?

11. Перечислите основные типы защитных корпусов, применяемых для герметизации интегральных микросхем.

Раздел 3. Приборы и устройства индикации

Физические процессы, происходящие в ионных приборах. Классификация приборов для отображения информации, их практические применение.

Виды электрического разряда в газовой среде.

Приборы с холодным катодом. Сигнальные неоновые лампы, буквенно- цифровые, знаковые индикаторы. Их устройство и принцип действия.

Вопросы

4. Какие существуют приборы для отображения цифровых, буквенных и знаковых сигналов?

5. Как устроены накальные и катодолюминесцентные индикаторы?

6. Какие процессы лежат в основе работы ионных (газоразрядных) приборов?

7. Как устроены неоновые лампы и как их включают в сеть.

8. Как работают газоразрядные индикаторные лампы?

9. Как устроены сегментные газоразрядные индикаторы и газоразрядные индикаторные панели?

10.Опишите работу индикаторных тиратронов.

11. Как устроены сегментные электролюминесцентные индикаторы?

12. На чем основана работа светодиодов?

13. Что представляют собой жидко­кристаллические индикаторы?

Раздел 4. Фотоэлектрические приборы с внутренним фотоэффектом

Внутренний и внешний фотоэффект. Устройство, физические процессы, происходящие в фоторезисторе, фотодиоде, фототранзисторе, фототиристоре, их применение.

Вопросы для самоконтроля

1. Приведите примеры приборов с внутренним и внешним фотоэффектом.

2. Опишите устройство, принцип действия и применение фоторезистора.

3. Опишите устройство, принцип действия и применение фотодиода.

4. Опишите устройство, принцип действия и применение фототранзистора.

5. Опишите устройство, принцип действия и применение фототиристора

Раздел 5. Электронные усилители

Дата добавления: 2017-02-01