Методика расчета модуля ОЗУ

Постановка задачи проектирования модуля ОЗУ

Исходными данными для проектирования модуля ОЗУ являются следующие:

емкость модуля ОЗУ; ограничения на значения внешних параметров модуля ОЗУ (время выборки, период обращения, потребляемая мощность, надежность, температурный диапазон окружающей среды и др.); электрические параметры и временное расположение входных и выходных сигналов в режимах записи и считывания; серии логических элементов, которые могут быть использованы в схемах управления; некоторые специальные требования к модулю ОЗУ; целевая функция проектирования.

Процесс проектирования модуля ОЗУ сводится к решению следующих задач [1]:

1. Выбор типа микросхемы ЗУ и определения их количества. Отметим, что в ряде случаев тип используемой микросхемы ЗУ задается.

2. Построение структурной схемы модуля ОЗУ.

3. Выбор микросхем для реализации схем управления RGA, DCCS, RGDI, RGDO.

4. Расчета электрического сопряжения микросхем ОЗУ и схем управления и выбор элементов, используемых в качестве буферных формирователей.

5. Построение временных диаграмм работы модуля ОЗУ в режимах записи и считывания и определение временных параметров модуля ОЗУ.

6. Проектирование блока управления модуля ОЗУ.

7. Расчет значений внешних параметров модуля ОЗУ (потребляемой мощности и потребляемого тока, надёжности и др.).

8. Построение принципиальной электрической схемы модуля ОЗУ.

Результаты проектирования модуля ОЗУ оформляются в виде технического описания и комплекта электрических схем в соответствии с требованиями ГОСТ и ЕСКД [2 – 9]. Эти результаты являются исходными данными для конструирования ОЗУ.

Рассмотрим методику решения перечисленных выше задач проектирования модуля ОЗУ в предположении, что тип микросхемы (БИС) ЗУ выбран, а структурная схема модуля ОЗУ аналогична приведённой на рис. 3.

Определяется число БИС ЗУ в модуле в целом Q_M, а также число строк N_R и столбцов N_C матрицы:

Q_M = (N/N_M) ´ (n/n_M), N_C = n/n_M, N_R = N/N_M, (1)

где N, N_M – число слов в модуле и в микросхеме БИС ЗУ; n, n_M – число разрядов в модуле ОЗУ и в микросхеме ЗУ соответственно. Очевидно, что число выходов дешифратора DCCS должно быть равно N_R.

Согласование по электрическим параметрам входных цепей ОЗУ. К ним относятся цепи адреса, входных данных и управления. Необходимость такого согласования обусловлена тем, что число БИС в модуле ОЗУ Q_M составляет несколько десятков, а также тем, что электрические параметры БИС ЗУ обычно отличаются от электрических параметров микросхем используемых в схемах управления.

Для удобства введём два вспомогательных параметра: коэффициент объединения по входу К_C и коэффициент разветвления К_P по входной цепи. Под коэффициентом объединения по входу для любой входной цепи модуля ОЗУ будем понимать число одноименных входов БИС ЗУ, которые необходимо подключить к одному выходу соответствующей схемы управления. Коэффициент объединения по адресным входам К_CA и входам управления режимом работы WR/RD К_CWR равен числу БИС ЗУ в модуле:

К_CA= К_CWR = Q_M, (2)

по входам данных:

К_CDI= N_R, (3)

а по входам выбора микросхем:

К_CCS = N_C. (4)

Под коэффициентом разветвления К_P по любой входной цепи будем принимать число одноимённых входов БИС ЗУ, которые можно подключить к выходу соответствующего буферного формирователя. Коэффициент разветвления определяется исходя из того, что токи нагрузки для высокого и низкого уровней сигнала и емкостная нагрузка не должны превышать допустимые для выхода буферного формирователя данной цепи значения:

К_P = min { I_OH /I_IH; I_OL /I_IL; (C_{L lim}– C_M)/C_I }, (5)

где, I_OH, I_OL, C_{L lim}, – допустимые значения выходных токов высокого и низкого уровней и емкости нагрузки элементов буферных формирователей,
I_IH, I_IL, I_IL, C_I – входные токи высокого и низкого уровня и входная емкость по одному соответствующему входу БИС ЗУ, C_M – емкость монтажа.

Кроме условия (5), следует также учитывать то обстоятельство, что для некоторых БИС ЗУ оговаривается допустимое значение фронта входного сигнала. Емкостная нагрузка, подключенная к выходу элемента буферного формирователя, приводит к увеличению времени нарастания сигнала на величину Δ t_R, которое можно приблизительно оценить по формуле:

Δ t_R = ((C_L–C_R ) U_CC) /I_OS, (6)

где C_L – емкость нагрузки, фактически подключенная к выходу элемента буферного формирователя BF; C_R – емкость нагрузки, при которой гарантируются динамические параметры; U_CC – напряжение источника питания этого элемента, I_OS – ток заряда емкости C_L, равный току короткого замыкания элемента BF при напряжении питания U_CC.

Для элементов ТТЛ (серия KP1533, U_CC = 5 В) значение тока короткого замыкания может быть принято равным 50 мА (обычных) и 150 мА
(с повышенной нагрузочной способностью), а для элементов на КМДП-транзисторах (серия KP1554, U_CC = 5 В) – 150 мА. Время спада сигнала для элементов ТТЛ (серия KP1533) в два раза меньше времени нарастания сигнала, а для элементов на КМДП-транзисторах (серия KP1554) эти времена одинаковые.

Если рассчитанное значение времени нарастания сигнала превышает допустимое, то можно:

а) уменьшить значение К_P и тем самым уменьшить значение емкости фактически подключенной к выходу элемента BF;

б) увеличить ток заряда емкости C_L за счет подключения между выходом элемента BF и источником питания резистора R_L. Увеличение тока заряда (минимальное) равно:

I_{L min} = U_{CC min}/R_L,(7)

где U_{CC min} – минимальное напряжение источника питания.

При этом следует иметь ввиду, что подключение дополнительной нагрузки R_L приводит к изменению выражения (5), поэтому значение тока I_OH должно быть увеличено на

I_OH = (U_{CC min} – U_OH)/R_L, (8)

а значение тока I_OL – уменьшено на

I_OL = U_{CC max} /R_L, (9)

где U_OH – значение напряжения высокого уровня на выходе элемента BF;
U_{CC max} – максимальное напряжение источника питания.

Буферные формирователи строятся по пирамидальной схеме, содержащей обычно 1–2 яруса. Число ярусов и число элементов в каждом ярусе рассчитывается, исходя из нагрузочной способности элементов, используемых в BF. Такими элементами могут быть обычные логические элементы (НЕ или
И-НЕ), элементы с повышенной нагрузочной способностью, шинные формирователи.

Количество элементов в последнем ярусе пирамидальной схемы по каждой входной цепи определяется по формуле

Q_BF = К_C /К_P. (10)

Значения коэффициентов объединения К_C и K_P определяются по (2)...(5).

Если Q_BF £ 1, то в применении BF нет необходимости. Если Q_BF > 1, то нагрузка по данному входу больше допустимой нагрузки на элемент BF. Последний ярус BF должен содержать не менее [ К_C/К_P ] элементов
([ X ] – ближайшее целое, большее X), а к выходу каждого элемента BF должна быть подключена только часть из общего числа БИС ЗУ данной цепи. Если Q_BF £ N_L (N_L – нагрузочная способность элемента BF), то BF состоит из одного яруса. Eсли Q_BF > N_L, то BF содержит более одного яруса.

Для каждой входной цепи (A, DI, CS и WR/RD) определяется количество ярусов в пирамидальной схеме BF, количество элементов в каждом ярусе и количество корпусов микросхем, выбранного для реализации BF типа.

Согласование по электрическим параметрам цепей выходных данных БИС ЗУ. Выходы данных БИС ЗУ являются обычно либо выходами с открытым коллектором (ОК) либо выходами с тремя состояниями (ТС), поэтому выходы БИС ЗУ в каждом разряде могут быть соединены по способу «МОНТАЖНОГО ИЛИ». Количество объединяемых выходов в каждом разряде, как указывалось выше, равно N_R. Допустимость объединения БИС ЗУ по выходам (как с ОК так и с ТС) определяется исходя из условия согласования по емкостной нагрузке:

С_{L lim} ³ C_O (N_R – 1) + C_I Z + C_M = C_L, (11)

где C_O и С_{L lim} – емкость выхода БИС ЗУ и предельно допустимая емкость нагрузки; подключенной к этому выходу; C_I – входная емкость одного элемента нагрузки; Z – количество элементов-нагрузок; C_M – ёмкость монтажа;
C_L – суммарная емкость нагрузки.

Если N_R велико (16, 32 и более), то условие (11) может не выполняться.
В этом случае БИС ЗУ делят на группы. Выходы БИС ЗУ, принадлежащие одной группе, объединяют по способу «МОНТАЖНОГО ИЛИ», а выходы групп объединяют с помощью логического элемента.

В случае применения БИС ЗУ с ОК требуется дополнительный внешний резистор R_L (рис 4). Значение сопротивления резистора определяется исходя из условий получения допустимых уровней напряжения на выходах БИС ЗУ для логических уровней 0 и 1.

Минимальное значение R_Lmin определяется из условия, когда один из выходов БИС ЗУ имеет низкий уровень напряжения (рис 4,а):

R_{L min} = (U_{CC max} – U_OL)/(I_OL – Z I_IL + (N_R – 1) I_LO),(12)

а максимальное значение R_{L max} - когда все выходы БИС ЗУ имеют высокие уровни напряжения (рис.4,б):

R_{L max} = (U_{CC min} – U_OH)/(I_OH + Z I_IH + (N_R – 1) I_LO), (13)

где U_{CC max} и U_{CC min} – максимальное и минимальное напряжение источника питания, U_OL и U_OH – низкий и высокий уровни напряжения на входе БИС ЗУ (для ТТЛ – схем можно принять U_OL = 0.4В; U_OH = 2.4В); I_OH и I_OL – выходной ток высокого и низкого уровня БИС ЗУ; I_IH и I_IL – входной ток высокого и низкого уровней элементов нагрузки; I_LO – ток утечки невыбранных БИС ЗУ;
N_R – число строк матрицы БИС ЗУ; Z – число элементов нагрузки. В худшем случае при определении R_{L min} следует считать U_OL = 0, I_LO = 0. При определении R_{L max} надо иметь в виду, что I_OH = I_LO.

а) б)

Рис.4. Выходные цепи ЗУ, в котором применены БИС ЗУ

с открытым коллектором:

а – общая схема; б – схема с дополнительным резистором R1

Значение сопротивления R_L выбирается из условия:

R_{L min} < R_L < R_{L max}. (14)

Тип резистора выбирается по справочнику [10].

Если полученное при расчете значение R_L < 1кОм; то напряжение высокого уровня на выходе БИС ЗУ может превышать допустимое для элементов-нагрузок ТТЛ-типа (4.5В). Для выполнения требования по допустимому напряжению высокого уровня необходимо между выходом БИС ЗУ и шиной нулевого потенциала включить дополнительный резистор R 1(рис.4,б), сопротивление которого можно определить из условий:

U_{OH min} R_L/(U_{CC min} – U_{OH min}) £ R1 £ U_{OH max} R_L/(U_CCmax – U_{OH max}),(15)

где U_{OH min} и U_{OH max} – минимальное и максимальное значения напряжения высокого уровня на выходе БИС ЗУ (эти значения могут быть равны 2.4В и 4.5В соответственно).

Выбор значений сопротивлений резисторов R_L и R1 влияет на быстродействие модуля ОЗУ. Действительно, после окончания сигнала CS емкость C_L на выходе БИС ЗУ заряжается в течение времени t_R через сопротивления резисторов R_L и R 1. Для приблизительной оценки можно считать, что:

t_R = 2C_LR_LR 1 /(R_L+R 1 ). (16)

Необходимо, чтобы выполнялось условие:

t_R £ t_{R lim},(17)

где t_{R lim} – допустимая по ТУ длительность нарастания сигнала на входе элемента–нагрузки. Если условие (17) не выполняется, то следует или уменьшить R_L, R 1 (если это возможно) или делить выходы микросхемы на группы так, как и при невыполнении условия (11).

В случае применения БИС ЗУ с тремя состояниями помимо условий (11) и (17) должны выполняться условия сопряжения по токам высокого и низкого уровней напряжения на выходе выбранной БИС ЗУ (рис 5):

I_OH ³ (N_R - 1)I_LOH + ZI_IH, I_OL ³ (N_R - 1)I_LOL+ ZI_IL, (18)

где I_OH и I_OL – выходные токи выбранной БИС ЗУ для высокого и низкого уровней напряжений на ее выходе; I_LOH и I_LOL – токи утечки на выходе невыбранных БИС ЗУ; I_IH и I_IL – входные токи высокого и низкого уровней элементов нагрузки; N_R – число строк матрицы БИС ЗУ; Z – число элементов нагрузки. Для элементов на КМДП транзисторах

I_LOH = I_LOL = I_LO, I_IH = I_IL = I_LI,

где I_LO и I_LI – входной и выходной токи утечки.

В случае невыполнения условий (18) производится деление микросхем на группы так же, как указывалось выше.

Следует отметить, что в случае применения БИС ЗУ с тремя состояниями на выходе, могут возникать помехи, приводящие к срабатыванию элементов, подключенных к этому выходу. Для устранения влияния этих помех, выходы БИС ЗУ подключаются к шине питания через резистор с сопротивлением в несколько кОм.

Наличие этого резистора должно быть учтено в условии (18) для низкого уровня напряжения на выходе выбранной БИС ЗУ:

I_OL ³ (N_R - 1)I_LOL+ ZI_IL + U_CC /R_L.

Рис. 5. Выходные цепи ЗУ, в котором применены БИС ЗУ
с тремя состояниями выхода

Построение временных диаграмм работы модуля ОЗУ в режимах записи и считывания. На временных диаграммах должны быть указаны входные и выходные сигналы для модуля ОЗУ и для БИС ЗУ, а также выходные сигналы блока управления модуля. При необходимости указываются выходные сигналы других блоков или узлов модуля ОЗУ. При построении временных диаграмм следует учитывать:

а) разброс времен задержки распространения при включении (T_PHL) и выключении (T_PLH)интегральных микросхем (обычно от 0 до максимально допустимого значения, указанного в ТУ на эти микросхемы);

б) изменение значений T_PHL и T_PLH от температуры;

в) увеличение времен задержки распространения D Т_P этих сигналов из-за того, что значения емкостей, подключенных к входам и выходам БИС ЗУ, обычно превышают значения, при которых гарантируются времена задержек, указанные в ТУ на используемые микросхемы. Увеличение времени задержки распространения, в случае определения временных задержек по одному фиксированному уровню напряжения, обычно составляет половину времени нарастания или спада сигнала, определенных по (6).

По временным диаграммам определяются основные временные параметры модуля ОЗУ: время выборки t_A, время цикла записи информации T_CY.W и время цикла считывания информации T_CY.R.

При необходимости более точного определения временных параметров модуля ОЗУ временные диаграммы строятся по двум фиксированным уровням напряжения на входах и выходах элементов, т.е. с учетом времен нарастания t_R и спада t_F сигналов на выходах используемых элементов и их изменения из-за большой емкостной нагрузки на входах БИС ЗУ.

При построении временных диаграмм определяется требуемый момент начала действия и длительность каждого из сигналов на выходе блока управления модуля ОЗУ (С 1– С 6 на рис.3). На основании этих данных проектируется блок управления модуля ОЗУ, в котором обычно используются логические элементы, элементы задержки (в том числе в виде RC -цепочек), а также элементы для формирования задержанных сигналов и сигналов требуемой длительности, например, АГ1, АГ3. В некоторых случаях для формирования выходных сигналов блока управления модуля ОЗУ используются синхросигналы ЭВМ или ВС.

Расчет потребляемой мощности модуля ОЗУ. Эта мощность определяется мощностью, потребляемой БИС ЗУ (P_CC.M) и микросхемами, на которых организованы схемы управления (P_CC.CO):

Р_CC.MOD = P_CC.M + P_CC.CO. (19)

Если мощность, потребляемая БИС ЗУ в режимах хранения и обращения одинакова, то

P_CC.M = Q_RAM P_CC.RAM, (20)

где Q_RAM – число БИС ЗУ в модуле ОЗУ P_CC.RAM – мощность, потребляемая одной БИС ЗУ.

Если мощность, потребляемая БИС ЗУ в режимах хранения (P_CC.S.RAM) и обращения (P_CC.O.RAM) разная, то для режима хранения получим:

P_CC.S.M = Q_RAM P_CC.S.RAM. (21)

При расчете мощности, потребляемой всеми БИС ЗУ в режиме обращения, следует иметь в виду, что в режиме обращения находятся микросхемы только одной (выбранной) строки матрицы микросхем модуля ОЗУ, а остальные БИС ЗУ находятся в режиме хранения. Отсюда следует, что мощность, потребляемая матрицей БИС ЗУ в режиме обращения, может быть определена по формуле:

P_CC.O.M = N_C.P_CC.O.RAM + (Q_RAM – N_C)P_CC.S.RAM, (22)

где N_C и Q_RAM – количество столбцов и количество микросхем в матрице БИС ЗУ; P_CC.O.RAM и P_CC.S.RAM – мощности, потребляемые одной БИС ЗУ в режимах обращения и хранения соответственно.

Мощность, потребляемая одной БИС ЗУ в режиме хранения, равна:

P_CC..O.RAM = U_CCmax I_CC.S,(23)

где U_CCmax – максимальное значение напряжения питания микросхемы; I_CC.S – ток потребления в режиме хранения.

Мощность, потребляемая одной БИС ЗУ в режиме обращения, определяется по-разному для микросхем, управляемых импульсными и потенциальными сигналами. Для микросхем, управляемых потенциальными сигналами:

P_CC.O.RAM = U_CCmax I_CC, (24)

где I_CC – ток потребления в режиме обращения при U_CCmax, минимальной температуре и максимальной частоте обращения, равной 1/ T_CY (T_CY – минимальное время цикла обращения к модулю ОЗУ).

Для микросхем, управляемых импульсными сигналами, мощность, потребляемая в режиме обращения, зависит от длительности управляющего сигнала на входе CS микросхемы T_W(CS):

P_CC.O.RAM = U_CCmax (I_CC T_W(CS) / T_CY + I_CC.S (T_CY – T_W(CS))/ T_CY). (25)

Вторым слагаемым в (25) учитывается то, что в остальное время цикла микросхемы находятся в режиме хранения. Очевидно, что для снижения потребляемой мощности сигнал на входе CS БИС ЗУ целесообразно делать импульсным. Отметим, что мощность, потребляемая БИС ЗУ динамического типа (DRAM), также рассчитываются по формулам (21) и (22), однако следует иметь в виду, что в режиме хранения производится регенерация всех микросхем модуля ОЗУ, поэтому мощность, потребляемая одной микросхемой в режиме хранения определяется по формуле:

P_CC.S.DRAM = U_CC.max (I_CC.S + I_CC q T_CY / T_CY.REF), (26)

где q – число строк регенерации в микросхеме; T_CY.REF – время цикла регенерации одной строки микросхемы.

Таким образом, в случае, когда мощность потребляемая БИС ЗУ в режимах хранения и обращения разная, рассчитываются два значения мощности P_CC.M: для режимов хранения P_{CC.S M} и обращения P_CC.O.M, которые соответствуют минимальному P_{CC.M min} и максимальному P_{CC.M max} значениям мощности, потребляемой всеми БИС ЗУ в реальных условиях эксплуатации.

Мощность, потребляемая схемами управления модуля ОЗУ, рассчитывается как сумма мощностей, потребляемых микросхемами, составляющими все узлы и блоки схем управления модуля ОЗУ (RGA, DCCS, RGDI, RGDO, COM, BF на рис.3):

M_CU

P_CC.CO = S (Q_i P_{CC i}), (27)

i=1

где M_CU – количество различных типов микросхем в модуле ОЗУ; Q_i – количество микросхем i– го типа; P_{CC i} – мощность, потребляемая одной микросхемой i –го типа:

P_{CC i} = U_{CC max} I_{CC i}, (28)

где I_CC.i – ток, потребляемый микросхемой i –го типа при U_{CC max} и минимальной температуре. Если значение I_{CC i} различное для состояний 0 и 1, то в (28) подставляется среднее значение тока потребления.

Отметим, что формулой (27) не учитывается динамическая составляющая мощности, потребляемой схемами управления. При использовании в схемах управления элементов ТТЛ-типа этой составляющей можно пренебречь. При использовании в схемах управления элементов на КМДП-транзисторах эта составляющая должна быть учтена. Как известно, динамическая составляющая потребляемой мощности обусловлена двумя причинами:

1) сквозными токами, протекающими через логические элементы при их переключении из состояния 0 в состояние 1 и из 1 в 0;

2) токами заряда емкостей, подключенных к выходам элементов, при их переключении из состоянии 0 в состояние 1.

Что касается первой причины, то из-за разброса значений параметров логических элементов и их нелинейного характера точное определение значений сквозных токов и времени их действия затруднено, да и в таком определении, как будет показано ниже, нет необходимости. Ограничимся приблизительной оценкой динамической составляющей потребляемой мощности, связанной со сквозными токами (P_{CC O CO 1}), в предположении, что она определяется перезарядом внутренней емкости микросхемы:

M_CU

P_{CC.O.CO 1}= U²_{C max} S (C_{PD i} Q_i / T_CY), (29)

i=1

где C_{PD i} – значение внутренней емкости микросхемы i– го типа; T_CY – минимальное время цикла обращения к ОЗУ.

Значение P_{CC.O.CO 1}, рассчитанное по (29), представляет собой максимальное значение мощности, обусловленной сквозными токами. Поясним это на примере работы регистра адреса (RGA на рис.3) в предположении, что он выполнен на микросхемах ТМ2 (4 D –триггера в корпусе), в которых каждый
D –триггер состоит из 6 элементов И–НЕ. Из анализа работы триггера следует, что за время цикла обращения переключаются 6 элементов триггера, если триггер переходит в новое состояние по сравнению с состоянием в предыдущем цикле, и 2 элемента, если состояние триггера сохраняется. Считая, что указанные выше события равновероятны, получим, что в среднем переключаются 4, а не все 6 элементов, как это учитывается формулой (29). Это подтверждает допустимость приблизительного определения значения мощности, связанной со сквозными токами.

Что касается второй причины появления динамической составляющей потребляемой мощности, то ее учет нужно производить только для элементов, выходы которых являются выводами корпуса микросхемы, поскольку емкость нагрузки, связанная с выходами других элементов, пренебрежимо мала. Для динамической составляющей потребляемой мощности, обусловленной токами заряда емкостей (P_{CC.O.CO 2)}, можем записать:

M_{CU C}

P_{CC.O.CO 2}= (U²_{CC .max} / (2 T_CY)) S C_{L k} Q_k, (30)

k= 1

где M_{CU C} – количество типов элементов в схемах управления модуля ОЗУ, связанных с внешними выводами корпуса микросхем; Q_k – количество элементов, которые за время цикла обращения к модулю ОЗУ переключаются из состояния 0 в состояние 1; C_{L k} – емкость нагрузки, подключенная к элементу k- го типа.

Расчет значения Q_k также поясним на примере триггеров RGA
(m –разрядного). При переходе от предыдущего цикла обращения к данному на выходе микросхемы некоторого произвольного разряда RGA возможны следующие 4 варианта изменения кода: 0®0; 0®1; 1®0; 1®1, у которых только один (0®1) связан с зарядом емкости С_{L RGA}. Считая указанные 4 события равновероятными, получим:

Q_RGA = m /4.

Отметим, что в худшем случае может быть переход 0®1 во всех разрядах RGA, т.е. Q_RGA = m, однако вероятность такого события мала.

Динамическая составляющая мощности, потребляемой схемами управления модуля ОЗУ на КМДП-транзисторах, равна

P _CC.O.CO = P _{CC.O.CO 1} + P _{CC.O.CO 2}, (31)

а полная мощность, потребляемая схемами управления такого ОЗУ, может изменяться от значения P _{CC. CO min}, определяемого по (27), до значения:

P _{CC. CO max} = P _{CC.CO min} + P _CC.O.CO. (32)

Потребляемые токи определяются по известной формуле:

I_CC = P_CC / U_CC.

Из сказанного выше следует, что токи, потребляемые как БИС ЗУ, так и схемами управления, являются импульсными и из-за этого они становятся одним из источников помех по шинам питания. Для снижения уровня помех необходимо установить на ТЭЗ между шиной питания и общей шиной низкочастотные и высокочастотные конденсаторы [1, 10].

Выбор конденсаторов фильтров в цепи питания. Они предназначены для стабилизации напряжения питания, которое может изменяться из-за пульсаций входного напряжения (низкочастотные фильтры) и из-за скачков тока потребления в процессе работы ЗУ (высокочастотные фильтры) [1, с. 52–54 12, с. 95–97; 13, с. 29].

Расчет надежности модуля. В состав модуля ОЗУ обычно вводятся средства контроля правильности работы модуля ОЗУ и средства повышения надежности его работы. Приведенный выше расчет электрических параметров модуля ОЗУ, естественно, производится с учетом этих средств. Весьма разнообразные средства повышения надежности и методы расчета надёжности модуля ОЗУ изложены в [1].

Конструкция модуля ОЗУ. Приведенные выше расчеты позволили определить типы корпусов микросхем и количество корпусов микросхем каждого типа, а также мощность, потребляемую каждым корпусом и модулем ОЗУ в целом. Эти данные являются исходными для размещения корпусов микросхем на ТЭЗ выбранного размера. Если все корпуса модуля ОЗУ нельзя разместить на одном ТЭЗ, то структурную схему модуля ОЗУ следует разделить на части, каждая из которых может быть размещена на одном ТЭЗ. Деление целесообразно выполнить таким образом, чтобы эти части не отличались друг от друга. При этом может потребоваться некоторая корректировка схем управления и повторное определение числа корпусов и потребляемой ими мощности.

ЛИТЕРАТУРА

1. Применение интегральных микросхем памяти: Справочник/
А. А. Дерюгин, В. В. Цыркин, В. Е. Красовский и др.; Под ред.
А. Ю. Гордонова, А. А. Дерюгина. – М.: Радио и связь, 1994. – 232 с.

2. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры / Э. Т. Романычева, А. К. Иванова, А. С. Куликов и др.; Под ред Э. Т. Романычевой. – 2–е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.

3. Усатенко С. Т., Каченюк Т. К., Терехова М. В. Выполнение электрических схем по ЕСКД. – М.: Изд-во стандартов, 1989. – 325 с.

4. ГОСТ 2.105-79. Общие требования к текстовой документации.

5. ГОСТ 2.701-84. Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению.

6. ГОСТ 2.702-75. Правила выполнения электрических схем

7. ГОСТ 2.708-81. Правила выполнения электрических схем цифровой вычислительной техники.

8. ГОСТ 2.710-81. Обозначение буквенно-цифровые в электрических схемах.

9. ГОСТ 2.743-82. Обозначения условные графические в схемах. Элементы цифровой техники.

10. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Электронные схемы бытовой радио-аппаратуры. Конденсаторы, резисторы: Справочник. – М.: Радио и связь, 1995. – 272 с.

11. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник/ И. И. Петровский, А. В. Прибыльский, А. А. Троян, В. С. Чувилев. – М.: ТОО «Бином», 1993, 2 ч.
– 496 с. (ч.1, с. 1–253; ч.2, с. 254–496).

12. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств: Справочник/ В. В. Баранов, Н. В. Бекин, А. Ю. Гордонов и др.; Под ред. А. Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова. – М.: Радио и связь, 1986. – 360 с.

13. Большие интегральные схемы ЗУ: Справочник/ А. Ю. Гордонов, Н. В. Бекин, В. В. Цыркин и др.; Под ред. А. Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова. – М.: Радио и связь, 1990. – 288 с.

Дата добавления: 2017-02-01