Організація і програмування флэш-памяти Intel

По організації і програмуванню можна виділити 3 покоління флэш-памяти Intel.

Мікросхеми першого покоління (28F256, 28F512, 28F010, 28F020) являють собою єдиний масив пам'яті, що стирається цілком (Bulk Erase). Для стирання і запису мікросхеми мають внутрішній регістр команд і керуючий автомат WSM (Write State Machine). Стирання і програмування флэш-памяти можливі тільки при подачі на вхід V_PP напруги 12 В по командах, записуваним у внутрішній регістр у шинному циклі запису по сигналі WE#.

Виконання команд ініціюється записом їхніх кодів у внутрішній регістр, що не має конкретної адреси.

По включенні живлення внутрішній регістр команд обнуляется, що відповідає команді читання, і мікросхема працює, як звичайна мікросхема PROM або EPROM. Це дозволяє встановлювати мікросхеми флэш-памяти замість EPROM аналогічної ємності. При подачі на вхід V_PP низької напруги (0-6,5 В) стирання і програмування неможливі, і мікросхема поводиться, як звичайна мікросхема EPROM.

Мікросхеми другого покоління секторировани — осередки групуються в блоки, що допускають незалежне стирання (асиметрична розбивка — Boot Block, симетричне — Flash File). Тривала операція стирання одного блоку може перериватися для зчитування даних інших блоків, що значно підвищує гнучкість і продуктивність пристрою. Мікросхеми мають більш складний внутрішній керуючий автомат і регістр стану, що дозволяє розвантажити зовнішній процесор і програму від турбот по відстеженню тривалості операції програмування і стирання, а також спростити ці процедури.

Внутрішні операції стирання і програмування виконуються після посилки відповідних кодів у внутрішній регістр команд. Відпрацьовування операцій внутрішнім керуючим автоматом відображається відповідними бітами регістра стану (Status Register, SR), за значенням яких зовнішня програма може одержати інформацію про результат виконання і можливості посилки наступних команд.

Програмування і стирання завантажувального блоку, на відміну від операцій з іншими блоками, вимагає подачі високого потенціалу V_Hh (не ТТЛ, а +12 В) на вхід PWD# перед видачею команди стирання або програмування й утримання його до успішного завершення операції. Альтернативний спосіб — подача такого ж потенціалу, але на вхід 0Е# на час пар шинних циклів запису команд стирання або програмування.

Мікросхеми Flash File організовані у виді набору однакових блоків, рівноправних по захисту (SA). Захист від модифікації для 28F008SA може здійснюватися тільки для всієї мікросхеми подачею низької напруги на вхід V_PP. По інтерфейсі і командам мікросхеми збігаються з мікросхемами Boot Block (крім специфіки завантажувального блоку).

Архітектура мікросхем 28F016SA істотно змінена, що значно підвищує продуктивність програмування (до 28,6 Мбайт/з у пакетному режимі) і забезпечує поблочний захист. Для запису мікросхема має два буфери даних по 256 Кбайт. Уведено нові команди, що забезпечують розширення функцій. Далі перераховані додаткові можливості мікросхем:

Мікросхема 28F032SA являє собою два паралельно з'єднаних кристали 28F016SA в одному корпусі. Входи СЕ# одного з них з'єднані з висновками СЕО# і СЕ1#, другого - із СЕО# і СЕ2#.

Третє покоління — сучасні мікросхеми, виконані за технологією SmartVoltage, допускають стирання і програмування при напрузі V_PP як 12 В, так і 5 В. В останньому випадку ці операції займають більше часу. Крім того, операції читання можливі при зниженому (3,3 і навіть 2,7 В) напрузі живлення V_cc, при цьому знижується споживання, але збільшується час доступу.

Дата добавления: 2014-01-04