Частотная зависимость параметров транзистора

Gm = bN/rвхБЭ.

Сопротивление входной цепи r_вх = R_Г + r_Б.+ bg_m^-1.

Сопротивление выходное динамическое r_КЭ =1/g₀ = 1/g_КЭ = U_A /I_K = f(W_Б^*).

В выходной цепи на нагрузочном сопротивлении формируется падение напряжения U_вых = I_K [(R_н+r_K)ôôg₀^-1]» -g_mU_БЭR_н при малых величинах сопротивления тела коллектора и R_н << g₀^-1.

Емкости С_К и С_КП - это распределенные барьерные емкости p-n- переходов Б-К и К-П.

Емкость С_БЭ - это суммарная диффузионная и барьерная емкости перехода Э-Б.

С_Э =С_БЭ t₀

С_эбар +С_эдиф ý Sr_Б(С_К+С_Э) + Sr_КS(С_К+С_П)

I_Э I_Э

Все параметры эквивалентной схемы должны отражать распределенный характер интегральной структуры, чаще всего используют полуэмпирические коэффициенты, позволяющие уточнить значения сопротивлений и емкостей, а, значит, и токов и потенциалов в транзисторной структуре. Такие полуэмпирические коэффициенты могут зависеть от рабочей точки транзистора.

Частотная зависимость коэффициента передачи тока a_N и усиления тока b_N в транзисторе, включенном с схеме с ОЭ, аппроксимируется функцией однополюсника:

, loga, logb

где w_a = 2pf_a - называется частота среза b(w), 6 дб/октаву

Дата добавления: 2013-12-12