Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Тиристорлар

Рістік транзисторлар

Өрістік транзисторлар деп, үш электродты жартылай өткізгіштік элементті айтады. Мұнда екі электродтың арасындағы тоқ электр өрісінің қозуынан туады, ал бұл тоқты басқару үшінші электрод жағынан болады.

Өрістік транзисторларды екі түрге бөледі: р-п ауысуларын басқаратын және изоляцияланған бекітпе (затвор) (МДЖ- металл-диэлектрик-жартылай өткізгіш). Электроөткізгіштік түріне қарай олар р- және п-типті каналды транзисторлар деп бөлінеді.

Р-каналынан басқарылатын транзистордың құрылысыжәне оны электрлік сигналдарды күшейту үшін тізбекке қосу схемасы келтірілген. Кремний пластинасының шеткі кесіктеріне (торец) р+ қоспаларымен жоғары қоспа қоспаланып, металл қабаттары-электродтар орнатылған: оны негізгі тасмалдаушылардың дрейфі басталатынының (дәл осы жағдайда-тесіктер) бірін-бастау(исток) Идеп атайды, басқасына ағып кету (сток) С деп атайды; олардың аралығындағы қоспамен әлсіз қоспаландырылғанын , канал деп атайды. Каналдың орта бөлігінің кумасында семетриялы есес р-п ауысудың кенеттен түзілуі, алғана тереңдікке тасымалдау концентрациясы жоғары болатын, өткізгіштігінің түрі басқа (п-түрлі) қоспаны енгізуден болады. Түзейтпейтін металмен жалатылған (қапталған) бұл зонаның электрлік шығысы үшінші электрод болып табылады, оны 3 бекітпе (затвор) деп атайды. (Осыған ұқсас ауысуы және п-түрлі каналы басқарылатын өрістік транзисторды алуға болады).

Транзистордың жұмыс істеу принципікөлденең қимасы р-п ауысудың қалыңдығынан тәуелді болатын канал арқылы тоқтың жүруіне негізделген. Транзистрлардың конструкциясындаканалдың һ технологиялық қалыңдығы жабық қабаттық алғашқы d қалыңдығынан әлдеқайда асып түседі. Егер бастауды қоректендіру көзінің оң , ал ағып кетуді теріс полюсімен қосса, онда тізбекте Ic (Ucu<0) тоғы пайда болады.Зарядтарды негізгі тасмалдаушылар (осы құрылымда-тесіктер) түсірілген өрістің әсерінен бастаудан ағып кетуге қарай қозғалады. Бекітпеге және ағып кетпеуге түсірілген кіріс кедергісі, Uзи -0 көлденең (каналмен салыстырғанда) электр өрісін тудырады да нәтижесінде каналдың көлденең қимасын басқарып, бекітпе-бастау бөлігіндегі кері қосылған р-п ауысудың жабық қабатына әсер етеді. Жабық қабат ұлғайып, тоқ өткізетін каналды жауып, оның кедергісін арттырады.



 

Тиристорлардеп, көп қабатты құрамды үш не одан да көп р-п ауысулары жабық күйден ашық күйге ауыстырылып қосыла алады және жұмыс істеу принципіне қарай тиристорлар динисторлар, тринисторлар және симисторлар деп бөлінеді.

Барлықтиристорлар үшін ортақ белгілер теріс кедергілер бөлігіндегі сызықты емес ВАС болады. Бұл жабық күйден ашыққа ауысқандағы құралдағы қайта қалпына келтіруі процесі болып табылады. Тиристорларды дайындауға дұрысы кремний материалы деп есептелінеді. Р-п-р-п құрылымды динистор көрсетілген, оның шеткі обылыстарын р- және п-базалары деп атайды.

Тринистордеп, үш шығысы бар, оның бір басқарылатын электрод (БЭ) деп аталатын, ішкі қабатта жасалынған тиристорды айтады. Динистормен салыстырғанда тринистордың маңызды айырмашылығы кернеуді, БЭ-нің көмегімен құралған басқару болып табылады. Мұнда басқарылатын сигналдардың қуаты, тура тоқтың қуатына н айтарлықтай аз болады. БЭ-ты тиристордың күшейткіштік қасиеті бар. Тринисторлар жабылатын және жабылмайтын болып бөлінеді. Жабылмайтын құралдарда БЭ тек ашу үшін, яғни тринистрдың өткізбейтін күйден ашық күйге ауыстырып қосу үшін қолданады; ал жабылатын тринисторлар БЭ-тің көмегімен құралды ашуға және жабуға болады. БЭ-те екеу болатын тринистрлар да кездеседі.

Егер тринистордың басқару кернеуін алып тастаса Iтур тура тоғы I ұсұстап тұру тоғынан кіші болмағанша тринистор қосулы қалпында болады. Бұл тоқты ажырату тоғы деп атайды.

Симисторлардеп, көп қабатты құрылымды ВАС-ы координата жүйелерінің бас нүктесімен салыстырғанда симметриялы, яғни тура және кері тармақтарының бөліктерінде теріс кедергілері болатын тиристорлар қарсы-параллель қосқан баламалы схема түрінде елестеуге болады. Екі бағыттағы өткізгіштігіне байланысты, кернеудің кез-келген полярлығында, симистор тыйым салынған және ашық бола алады.

 

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
| Тиристорлар

Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 909; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2017) год. Не является автором материалов, а предоставляет студентам возможность бесплатного обучения и использования! Последнее добавление ‚аш ip: 23.20.130.128
Генерация страницы за: 0.139 сек.