Кристаллическая решетка беспримесного (собственного) полупроводника

На основании вышесказанного поясним процессы, происходящие в кристаллической решетке под воздействием внешних факторов (тепловое воздействие, введение примесей и т.д.) но не на пространственной модели решетки, а на ее плоском эквиваленте, отражающем основные особенности пространственной модели рис.16.6. (рис. 30 а,б).

Рис. 16.6.

Нагревание полупроводника сопровождается возникновением тепловых колебаний атомов, образующих решетку, и передачей энергии находящимся в связях электронам. Процесс передачи носит статистический характер, в результате чего некоторые e ^-, получив достаточно большую энергию смогут разорвать связь и начать свободно перемещаться в кристаллической решетке (рис. 16.6) (рис. 30 б).

В результате ухода электрона из связи и возникает положительно заряженная вакансия электрона - одна незаполненная до устойчивого состояния связь. Эта вакансия может заполняться за счет поочередного перехода электронов из соседних связей.

Происходящие при этом изменения удобно описывать как перемещение материальной частицы с массой m _p и положительным зарядом равным заряду e ^-.

Дата добавления: 2014-01-04