Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Принцип работы. Вольтамперные характеристики

Полевые транзисторы с управляющим pn переходом.

В полевых транзисторах с управляющим переходом (ПТУП) для изменения проводимости канала используется эффект изменения ширины области пространственного заряда (ОПЗ) обратно смещенного перехода при изменении приложенного к нему напряжения затвора. На рис. 76 показана конструкция n - канального транзистора, в котором для управления используется обратносмещенный p+n переход.


Рис. 76. Полевой транзистор с управляющим pn переходом. В верхнем правом углу показано графическое обозначение (в n - канальном транзисторе стрелка направлена в другую сторону.)

Транзистор включается таким образом, чтобы pn переход затвора находился под обратным смещением, а полярность напряжения исток - сток выбирается такой, чтобы основные носители заряда под действием электрического поля в канале смещались к стоку. Для n - канального транзистора, показанного на рис. 76, на сток относительно истока должен подаваться положительный потенциал, к которому под действием поля будут дрейфовать электроны. На затвор относительно стока необходимо подавать отрицательный потенциал, чтобы затворный переход находился под обратным смещением.

Поскольку ОПЗ обладает высоким сопротивлением, то при увеличении ширины ОПЗ сечение канала уменьшается и его сопротивление возрастает. Самое низкое сопротивление канала и, соответственно, самый большой ток через него будет при нулевом напряжении на затворе (Uз = 0), затем по мере увеличения ширины ОПЗ при возрастании Uз и, соответственно, уменьшении сечения канала ток будет падать и при некотором напряжении отсечки Uзо канал полностью перекроется и ток через него перестанет возрастать. Соответствующие вольтамперные характеристики ПТУП приведены на рис. 77.


Рис. Вольтамперные характеристики полевого транзистора с управляющим pn переходом.

Выведем уравнение, описывающее ВАХ ПТУП, при этом сделаем ряд допущений, позволяющих значительно упростить расчет. Прежде всего будем использовать все допущения, которые ранее были сделаны при выводе ВАХ. Кроме того, будем считать, что ток в канале определяется только основными носителями заряда, и будем считать, что при нулевом смещении ширина ОПЗ близка к нулю. Тогда для геометрии, показанной на рис. 77, можно записать:

Rсо = ρL/S = ρL/(ba)
dRx = ρdx/(ba), (6_1)

где Rсо - сопротивление канала при нулевом напряжении на затворе.

Для ширины канала и ширины ОПЗ справедливо:

(6_2)

где U - разность потенциалов между p+ областью затвора и n областью канала в точке x.

Поскольку N+ область затвора легирована значительно сильнее, чем область канала Na>>Nd, то (6_1) можно упростить:

(6_2а)

При некотором напряжении U0 канал перекроется, т.е. будет выполняться условие: w(Uо) = a - 2d(Uо) = 0. Откуда:

(6_3)

Для приращения напряжения вдоль канала, используя (6_1), запишем:

(6_4)

Разделим переменные в (6_4) и выполним интегрирование по длине канала, учитывая что U(0) = Uз и U(L)= Uc+Uз:

(6_5)
(6_6)

Уравнение (6_6) представляет семейство характеристик с максимумами и описывает крутую часть вольтамперной характеристики ПТУП. Максимум соответствует точке перекрытия канала. В реальных характеристиках после достижения напряжением стока значения Uo спада тока не происходит, и характеристики идут параллельно оси напряжений, см. рис. 78, т.е. происходит переход от крутой области ВАХ к пологой, в которой ток очень слабо зависит от Uс.

Насыщение тока Jс после перекрытия канала объясняется перераспределением падения напряжения между низкоомной и высокоомной (перекрытой) областями канала. После перекрытия канала практически все напряжение падает в области перекрытия. Дальнейшее увеличение напряжение стока приводит к расширению области перекрытия и, соответственно, увеличению падения напряжения на ней и не сопровождается увеличением тока. В то же время ток не уменьшается, поскольку все электроны, достигшие ОПЗ вблизи стока, переносятся электрическим полем в область стока.

Пологая область ВАХ начинается после экстремальной точки характеристик. Найдем эту точку из условия dJc/dUc = 0. Продифференцируем и приравняем нулю (6_6):

 

Откуда: Uс = Uо - Uз.

Подставив в (6_6) это значение Uc для экстремальной точки, получим для пологой области ВАХ:

(6_7)

Это выражение достаточно громоздко и поэтому вместо него, без значительной потери точности, используют более простое выражение:

(6_8)

На рис. 78 показаны зависимости тока стока от напряжения затвора (при Uк = 0.7 В, Uo = 5 В и Rс = 1кОм), рассчитанные по (6_7) - нижняя и (6_8)- верхняя кривая.


Рис. Зависимости тока стока от напряжения затвора, рассчитанные по (6_8) - верхняя кривая и (6_7) - нижняя кривая

Если Uз>>Uк и Uo>> Uк (что справедливо в большинстве режимов), то:

(6_9)

Усилительные свойства полевого транзистора принято характеризовать крутизной S:

(6_10)

Как видно из (6_10), с ростом напряжения затвора крутизна для полевого транзистора с управляющим pn переходом падает. Характер соответствующей зависимости крутизны от напряжения на затворе воспроизведен на рис. 79.


Рис. 79. Зависимость крутизны полевого транзистора с управляющим pn переходом от напряжения затвора (Uo - напряжение отсечки). 6.2.2. Эквивалентная схема.

На рис. 80 показана эквивалентная схема полевого транзистора, основным элементом этой схемы, характеризующим усилительные свойства прибора, является зависимый генератор тока SUз. Частотные и импульсные характеристики транзистора определяются емкостями электродов: затвор - сток Cзи, затвор - сток Cзс, сток - исток Cзи. Емкости Cзи и Cзс зависят от площади затвора и степени легирования канала, емкость Cзс - самая маленькая среди рассмотренных.

Сопротивления утечки Rзс, Rзи, Rзс весьма велики и учитываются, как правило, при расчете электрометрических усилительных каскадов постоянного тока. При расчете импульсных каскадов и усилительных каскадов переменного тока их, как правило, не учитывают, поскольку проводимость емкостей обычно всегда больше шунтирующих их проводимостей утечки электродов.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Оценка эффективности инвестиционных проектов состоит из нескольких этапов | Эмоциональный компонент
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 465; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.015 сек.