Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Транзистор зі спільною базою




 

Схему підключення транзистора p-n-p в схемі зі СБ зображено на рис. 9.1.

Струм бази транзистора залежить від знака напруги U ЕБ:

Вхідним струмом цієї схеми є струм I Е, тому вона буде визначатися диференційним коефіцієнтом передавання струму емітера

Практичні значення коефіцієнту лежать в межах 0,95÷0,99.

Значення коефіцієнта α можна знайти через фізичні параметри за формулою (8.2)

Рис. 9.1. Схема та структура БТ зі СБ:

а – схема електрична; б – структура

 

Вхідний опір схеми зі СБ визначається приростами напруги та струму за формулою

і оскільки великий, то вхідний опір транзистора зі СБ буде малим. Низький вхідний опір схеми зі СБ є її суттєвим недоліком, оскільки він шунтує опір навантаження попереднього каскаду, що знижує його коефіцієнт підсилення. Схема зі СБ підсилює напругу і потужність.

 

9.1.2. Транзистор зі спільним емітером

 

Схему підключення p-n-p транзистора з СЕ наведено на рис. 9.2.

Струм бази транзистора залежить від знака напруги U ЕБ:

Вхідним струмом цієї схеми є струм I Б, тому її визначають диференційним коефіцієнтом передавання струму бази

,

Знайдемо зв’язок між коефіцієнтами передавання струму в схемі зі СЕ (β) і СБ (α).

 

Рис. 9.2. Схема та структура БТ зі СЕ:

а – схема електрична; б –структура

 

 

Звідси

Тоді з формули (8.2) можна записати

Таким чином, коефіцієнт β збільшується зі зменшенням товщини бази w, однак при цьому зменшується допустима напруга колектора, з якої випливає, що як і в формулі для (8.2) коефіцієнт передавання β залежить від параметрів .

Вхідний опір транзистора зі СЕ визначають за формулою

і оскільки , то

що є перевагою схем з СЕ.

До недоліків схеми зі СЕ відносять низьку, порівняно зі схемою зі СБ, температурна стабільність. Доведемо це.

Як відомо для схеми зі СБ

I К= αI Е+ I КБ0, (9.1)

де

I К=(I К +I Б)+ I КБ0

 

I К(1- α)= αI Б+ I КБ0

,

 

Представимо цей вираз у формі 9.1 і отримуємо співвідношення для схеми з СЕ,

,

 

де b = - диференціальний коефіцієнт передавання в схемі зі СЕ, а

. (9.2)

 

При I Б =0, I К = I КЕ0, тому струм I КЕ0 називають початковим колекторним струмом в схемі зі СЕ.

З формули (9.2) випливає, що при α = 0,98...0,99, струм I КЕ0 в десятки разів більший за струм I КБ0, тому він при температурній зміні α змінюється більше, ніж I КБ0. Це зменшує температурну стабільність БТ з СЕ. Схема зі СЕ підсилює струм та напругу.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 1338; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.014 сек.