Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Вхідні ВАХ




Вхідними характеристиками транзистора зі СБ є залежності струму емітера I Е від емітерної напруги U ЕБ при постійних значеннях колекторної напруги U КБ

.

Як відомо, І ЕІ Е0 (- 1) (9.5)

 

 

Із формули 9.6 виходить, що у разі U КБ=0 струм І Е = - І Е 0 і при наявності прямої напруги U ЕБ струм І Е буде збільшуватися за експоненціальним законом

І Е ≈ - І Е0,

та проходити через емітерний перехід і базу, тому що колекторний перехід закритий (рис 9.7). Така ВАХ є аналогічною ВАХ p-n переходу діода.

Вхідні характеристики силіцієвих транзисторів зміщені від початку координат в бік прямих напург на 0,6...0,7В, германієвих – на 0,2...0,4В.

Якщо напруга U КБ ≠ 0, то ВАХ переміщується ліворуч. Це пояснюється зменшенням товщини бази W завдяки екстракції дірок із емітера через базу в колектор і тому збільшенням градієнта концентрації та струму емітера І Е. Але вплив напруги U КБ на струм І Е є малим і тому вхідні ВАХ, зняті при U КБ ≠ 0, майже збігаються. Тому в довідниках наводять дві ВАХ – одну при U КБ = 0, а іншу при U КБ ≠ 0.

Рис. 9.7. Вхідні ВАХ БТ зі СБ:

 

При нульових і малих прямих і зворотних напругах U ЕБ емітерний перехід є закритим, проте буде існувати малий зворотній струм I ЕБ0.

Температурний дрейф вхідних характеристик значний: з ростом температури при прямих напругах U ЕБ струм I Е збільшується і характеристики зміщуються ліворуч, при зворотних напругах U ЕБ зворотній струм I ЕБ0 також збільшується (рис. 9.8.). Тобто температура в схемі зі спільною базою на вхідні ВАХ має суттєвий вплив.

 

Рис. 9.8. Вплив температури на вхідні ВАХ БТ зі СБ

 

 

9.2.2. Вольт-амперні характеристики БТ зі СЕ




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 485; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.011 сек.