Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Тема. Фотоелектронні прилади

План

1 Призначення фоторезисторів

2 Загальні поняття про фотодіоди

3 Призначення та використання фототранзистора

4 Призначення та використання фототиристора

5 Загальні поняття про світлодіоди

6 Будова,призначення та застосування оптронів

 

 

Фоторезистор — напівпровідниковий прилад з внутрішнім фотоефектом, електричний опір якого змінюється під впливом оптичного випромінювання. Вмикається в коло джерела ЕРС (рис. 16.41) послідовно з опором навантаження. За відсутністю освітлення має максимальний опір, що названо темновим. Струм у колі:

 

IT = EДЖ / (RT + RH)

 

 

малий, відповідно мала напруга UВИХТ = ІT • RH. При освітленні фоторезистора його опір зменшується до величини RC Струм у колі ІC і значення UВИХС = IC • RH зростають. Реєстрацією струму у колі або напруги UВИХ можна контролювати (вимірювати) освітленість. У сукупності з джерелом оптичного випромінювання фоторезистори широко використовуються для контролю та рахунку предметів у системах передавання і опрацьовування інформації.

 

 

Фотодіод — НП з внутрішнім фотоефектом, що має один р-п перехід і два виводи (рис. 16.42). Працює у двох режимах: а) без зовнішнього джерела електричної енергії (режим фотогенератора) — рис. 16.43, а; б) із зовнішнім джерелом енергії (режим фотоперетворювача) — рис. 16.43,б.

Вольт-амперні характеристики фотодіода, що працює з різними значеннями світлового потоку Ф, наведені на рис. 16.43, в. Коли Ф = 0, вольт-амперна характеристика фотодіода повторює характеристику звичайного напівпровідникового діоду. Режиму фотогенератора відповідає ділянка характеристики у четвертому квадранті (відрізок 0 - б відповідає фото — ЕРС ЕФ).У селенових і кремнієвих фотодіодів фото-ЕРС сягає 0,5...0,6 В, у фотодіодів з арсеніду галію - 0,87 В. У режимі фотоперетворювача (третій квадрант характеристики рис. 16.43, в) фотодіод є керованим ключем, що передає електроенергію від зовнішнього джерела Е в опір RH. Чим більший Ф, тим більший І (величина І мало залежить від RH і напруги, що прикладена).

Фотодіоди в режимі фотогенератора широко використовують в ролі джерел енергії - сонячних батарей для перетворення енергії сонячних променів в електричну (умовне позначення показано на рис. 16.43, в).

В ролі давачів для вимірювання світлового потоку фотодіоди у порівнянні з фоторезисторами є більш швидкодіючими, але мають меншу чутливість.

 

Фототранзистор — транзистор, що керований світловим потоком. Емітерна область повернена в корпусі приладу в бік скляного вікна, крізь яке світло надходить в область бази транзистора (рис. 16.44, а). При цьому р-п перехід колектор — база є фотодіодом. Еквівалентна схема фототранзистора з урахуванням цього наведена на рис. 16.44, в. Струм у колі бази змінюється в залежності від освітленості ІВ = f (Ф). Вихідний струм транзистора ІK = β • ІB за рахунок його підсилювальних властивостей змінюється ще у більшому ступені, тобто фототранзистори відрізняються від фотодіодів значно більшою чутливістю.

 

 

 

 

Фототиристор — тиристор, напруга вмикання якого зменшується із збільшенням освітлюваності (рис. 16.45). Є аналогом керованого тиристора, вмикання якого можна виконати імпульсом світла. Широко використовуються в схемах автоматики в ролі керованих світлом ключових елементів — реле, а також у силовій перетворювальній техніці, де використання їх натомість звичайних тиристорів спрощує вирішення питання електричної ізоляції кіл керування від силових кіл високої напруги, що комутуються.

Світлодіод — випромінювальний напівпровідниковий прилад, у якому при наявності прямого струму ІПР відбувається світіння зони р-п переходу (рис. 16.46). Чим більший струм, тим більше світіння. Виготовляють світлодіоди на основі арсеніду-фосфіду галію.

Світлодіоди можуть мати один, або декілька р-п переходів (матричні світлодіоди), що розташовані на одному кристалі. При відповідному вмиканні окремих р-п переходів матричного світло діода можна отримати цифру, букву або знак, що сяють. Використовують також збірки світлодіодів в одному корпусі, де цифра, або літера створюється висвітлюванням визначеної комбінації сегментів — світлодіодів при проходженні ними прямого струму (рис. 16.47). Для цього катоди діодів-сегментів (а, Ь, с,...g) необхідно з'єднати з негативним виводом джерела через резистори, що обмежують струм. На основі світлодіодів та їхніх збірок (матриць) утворюються різні індикаторні прилади — пристрої візуального відображення інформації від простого, де сяйво є свідоцтвом про стан об'єкта (увімкнено-вимкнено), до літерно-цифрових і матричних дисплеїв у цифрових системах опрацьовування інформації.

 

 

 

На рис. 16.48 подано деякі приклади фотодіодів: а) представники лінійки надяскравих світлодіодів XPower серій КА-1010 та КА1011, кольори світіння — червоний або жовтий, робочий струм 350 мА при яскравості 30 Кд розміри корпусу 10x10x1,7 мм;

б) світлодіод SMD серії L-С171 для поверхневого монтажу, має розміри корпусу 2x1,25x0,8 мм і випускається на сім кольорів світіння (від помаранчевого до блакитного), при струмі 20 мА напруга живлення складає від 2,1 до 3,3 В, світіння від 6,3 до 40 мКд;

в) світлодіод серії L-180 з аксіальними виводами і малим кутом обзору у , має варіанти кольорів, у тому числі суперсвітіння до 1 і 1,3 Кд при струмі 20 мА; г) світлодіод серії L-955, має кут обзору у та розміри корпусу 3,6x2,8x1,9 мм, але світіння до 0,14 Кд.

 

 

На основі надяскравих світлодіодів створюються енергозберігаючі лампи (рис. 16.49) з терміном служби 50 тис. годин (10 років) та кольорами світіння (по вибору) білим, зеленим, червоним, жовтим, блакитним; лампи можуть відрізняться одна від одної кількістю світлодіодів (від 5 до 60), типом цоколю та напругою живлення: 220 або 12 В, їхня споживана потужність від 0,5 до 10 Вт.

Оптрони — прилади, що складаються (рис. 16.50) з випромінювача світла —1, світловода — 2 і фотоприймача — 3, що взаємодіють один з одним і розташовані в одному корпусі. У цьому випадку сигнал з одного електричного кола (випромінювача) передається в друге електричне коло

 

 

(приймача) при відсутності між ними електричного зв'язку (гальванічне розв'язування).

В залежності від типу фотоприймача розрізнюють: резисторні (рис. 16.51, а), діодні (рис. 16.51, б), транзисторні (рис. 16.51, в) і тиристорні (рис. 16.51, г) оптрони.

Найбільш універсальні діодні оптрони використовують для гальванічного розв'язування швидкодіючих цифрових пристроїв. Транзисторні і тиристорні оптрони широко використовують в якості безконтактних комутаторів силових кіл (оптичні перемикачі — реле), резисторні — в лінійних радіотехнічних колах (оптично керовані резистори).

Оптоелектронні пари з повітряним проміжком між випромінювачем і фотоприймачем застосовують для рахування інформації з перфоносіїв, а також давачів механічних параметрів: пересувань, швидкості (рис. 16.52).

 

 

 

Подальший розвиток цих ідей обумовив розвиток оптоелектроніки, тобто гілки електроніки, що основана на електронно-оптичному принципі отримання, передавання, та зберігання інформації, носієм якої є електрично нейтральний фотон. Поєднання в оптоелектронних приладах двох способів опрацьовування і передавання інформації — оптичного і електричного — дозволяють досягти великої швидкодії, високої щільності розміщення інформації, що зберігається, створення високоефективних засобів відображення інформації. Дуже важливою перевагою пристроїв оптоелектроніки є оптичний зв'язок, а електрично вони ізольовані між собою. Це забезпечує надійне узгодження різних оптоелектронних кіл, сприяє односпрямова-ності передавання інформації, завадостійкості каналів передавання сигналів. Приклад сучасного оптоприймача було розглянуто на рис. 10.42.

Лінії зв'язку розподіляють на: космічні (використовують проходження випромінювання у наземних шарах атмосфери) і наземні (використовують закриті світловодні канали або волокняно-оптичні лінії зв'язку (ВОЛЗ). Космічні лінії зв'язку використовують штучні супутники Землі на геостаціонарних орбітах, через які можна обмінюватися інформацією між різними точками Землі.

Волокняний світловод є гнучкою ниткою (волокно) з серцевиною з високоміцного діелектрика, що оточується оболонкою з показником переломлення, меншим, ніж у серцевині. Напрямок передавання світлової енергії забезпечується за рахунок явища повного відбиття внутрішнього світла на межі між серцевиною і оболонкою (рис. 16.53).

Оптичний запис інформації засновано на змінюванні парамет­рів оптичного середовища, що запам'ятовує (наприклад, коефіці­єнтів відбиття або пропускання) за умови впливу на нього оптич­ного випромінювання. Він забезпечує високу щільність запису інформації, а також можливість запису (читання) великих маси­вів інформації (одночасно до 109 біт).

Оптичні компакт-диски в останній час набувають найбільш широкого застосування для запису відео і аудіо, а також текстової або графічної інформації у цифровій формі. Ці оптичні диски за­стосовують в пристроях постійної зовнішньої пам'яті персональ­них ЕОМ, у навчальних системах, для створення «електронних» видань довідників, енциклопедій та ін. З розвитком і вдосконален­ням технології виробництва оптоелектронних приладів і пристро­їв поширюються області використання оптоелектроніки, зростає її роль у прискоренні науково-технічного прогресу.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
 | Поняття і Класифікація мисливської вогнепальної зброї
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 2597; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.