Контрольні запитання. Методичні поради до виконання програми роботи

Методичні поради до виконання програми роботи

Програма роботи

5.1. Скласти схему лабораторного стенду для дослідження біполярного

транзистора, ввімкненого за схемою зі спільним емітером (рис. 4.1, а).

5.2. Зняти та побудувати графіки сімей вхідних статичних характеристик І_Б=f(U_БЕ) для різних значень напруги між колектором і емітером (U_КЕ=const).

5.3. Зняти та побудувати графіки сімей вихідних статичних характеристик І_К=f(U_КЕ) для різних значень вхідного струму бази (І_Б =const).

5.4. Користуючись побудованими вхідними та вихідними статичними характеристиками, розрахувати h- параметри біполярного транзистора.

5.5. Скласти схему лабораторного стенду для дослідження польового транзистора, ввімкненого за схемою зі спільним витоком.

5.6. Зняти та побудувати графіки сімей вихідних (стокових) статичних характеристик І_С=f(U_СВ) для різних значень напруги між затвором і витоком (U_ЗВ =const).

5.7. Користуючись отриманою сім’єю вихідних характеристик, побудувати стоко-затворну характеристику І_С=f(U_ЗВ) для заданого значення напруги U_СВ.

5.8. За даними дослідів визначити внутрішній опір польового транзистора та крутість його стоко-затворної характеристики.

5.9. Порівняти експериментальні характеристики з теоретичними і зробити висновок щодо типів досліджуваних транзисторів.

6.1. Перед ввімкненням лабораторного стенду до мережі живлення необхідно перевірити за паспортними даними допустимі значення напруг та струмів досліджуваних транзисторів, а також значення регульованих напруг джерел живлення U₁, U₂, U₃ та U₄ (за вказівкою викладача).

6.2. У кожному досліді потрібно зняти три – чотири характеристики для різних значень U_КЕ, І_Б, U_ЗВ, які задає викладач.

6.3. Для розрахунку параметрів біполярних транзисторів слід користуватися відносно лінійними ділянками характеристик, тобто ділянками, що відповідають активному (підсилювальному) режиму транзистора.

7. Зміст звіту

У звіті про лабораторну роботу слід подати:

7.1. Назву лабораторної роботи.

7.2. Мету роботи, програму досліджень та схему лабораторного стенду.

7.3. Результати досліджень у вигляді таблиць та графіків сімей знятих характеристик.

7.4. Методи визначення розрахункових параметрів, їх фізичний зміст та числові значення.

7.5. Висновки щодо типів досліджуваних транзисторів та щодо відповідності експериментальних і теоретичних даних.

7.6. Типи і характеристики використаних вимірювальних приладів та апаратів.

1. З яких хімічних елементів отримують напівпровідники?

2. Що таке донорна та акцепторна домішка і якого типу провідності набуває напівпровідник за умов внесення цих домішок?

3. Як побудований біполярний транзистор? Поясніть технологію його виготовлення.

4. Поясніть механізм утворення p-n- переходів.

5. Поясніть принцип роботи біполярного транзистора.

6. Які є схеми ввімкнення біполярного транзистора?

7. Поясніть, чому транзистори мають назви біполярний та польовий (уніполярний)?

8. Які бувають типи польових транзисторів? Чим відрізняється їх будова?

9. Як здійснюється керування вихідними параметрами в біполярних та польових транзисторах?

10. З якою метою знімають статичні вхідні та вихідні характеристики транзисторів?

11. Який фізичний зміст мають параметри біполярних транзисторів та як їх визначають?

12. Як графічно зображають транзистори на схемах електроніки?

Дата добавления: 2014-01-04