Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Полевые транзисторы с изолированным затвором




Полевые транзисторы с изолированным затвором (рис. 2.15) имеют структуру металл (М) - диэлектрик (Д) - полупроводник (П) (сокращенно МДП).

На подложке р - типа создаются области n - типа, к которым подводятся внешние электроды истока И и стока С. Между металлическим затвором З и подложкой находится диэлектрик Д, чаще всего это диоксид кремния SiO2. По этой причине МДП-структуры часто называют МОП-струк­турами (металл - оксид - полупроводник). Проводящий слой канала n -типа образуется в поверхностном слое подложки под диэлектриком. Этот канал может быть встроенным (результат технологического процесса) и индуцированным, возникающим под действием электрического поля, создаваемого положительным напряжением, приложенным между затвором и истоком. Это электрическое поле отталкивает носители положительного заряда р в глубь подложки и притягивает электроны п к ее поверхности.

Проводящий канал возникает только при некотором напряжении, называемом пороговым Unop. Значение Unop может быть как положительным (для транзистора с индуцированным каналом n -типа), так и отрицательным (длятранзистора с индуцированным каналом р -типа). Условные обозначения МДП-транзисторов с встроенным каналом n -типа приведено на рис. 2.16, а, р -типа — на рис. 2.16, в, с индуцированным каналом n -типа на рис. 2.16, б и р -типа — на рис. 2.16, г. Там же показаны полярности управляющего U зи и питающего Uсu напряжений.Управляющее напряжение транзисторов с встроенным каналом может быть как положительным, так и отрицательным. Это обусловлено тем, что в этих транзисторах проводящий канал существует уже при U зи = 0

На рис. 2.17 приведены стоко-затворные характеристики для МДП-транзисторов с индуцированным (кривая 1) и встроенным (кривая 2) каналами n -типа. Выходные характеристики МДП-транзистора (рис. 2.18) имеют два ярко выраженных участка: крутой и пологий.

На крутом участке вольт-амперной характеристики ток стока сильно зависит от приложенного напряжения U . На пологом ток стока I с достигает как бы насыщения и не зависит от U си, а определяется управляющим напряжением U зи. В пологой области характеристики транзистор имеет лучшие усилительные параметры: крутизну S и дифференциальное сопротивление r си.

Отличительной особенностью МДП-транзисторов является большое входное сопротивление (Rвх > 109 Ом), что позволяет управлять мощными цепями с помощью маломощных источников сигнала.

 

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-05; Просмотров: 482; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.