СВЧ ГИС и МСБ с размещением кристаллов в сквозных отверстиях и углублениях плат

Объем подложек СВЧ ГИС и МСБ может использоваться для размещения кристаллов бескорпусных полупроводниковых приборов.

В сквозных отверстиях плат могут располагаться кристаллы полупроводниковых приборов и теплоотводящие вставки. При таком расположении кристаллов поверхность кристалла оказывается на одном уровне с поверхностью платы, что уменьшает длину выводов кристаллов, а следовательно и паразитные индуктивности Рис 1.14

Рис. 1.14

Теплоотводящие вставки выращиваются гальванически на теплоотводящем металлическом основании в отверстиях в подложке.

Данная конструкция обеспечивает уменьшение паразитных индуктивностей, уменьшение высоты ГИС и улучшение условий теплоотвода.

Кристаллы полупроводниковых приборов могут устанавливаться в выемки в металлических подложках. В металлических подложках изготавливают выемки под размер кристаллов. В выемки устанавливают кристаллы контактными площадками вверх. Затем наносят слой полимера, в котором вытравливают сквозные отверстия в местах контактных площадок. После этого отверстия металлизируются и создаются пленочные проводники Рис 1.15

Рис. 1.15

Недостатки данной конструкции:

-сложность изготовления

-низкая плотность расположения контактных узлов

-возможность применения кристаллов ИМС только малой и средней степени интеграции.

Многослойные ГИС. Они используются для увеличения плотности размещения элементов. В таких ГИС рабочие компоненты устанавливаются поверх платы, а коммутация между ними осуществляется на промежуточных слоях.

Дата добавления: 2014-01-05