Условное графическое обозначение

1) Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом «n»- типа

Рис.31

2) Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом «p»- типа

Рис.32

Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.

Рассмотрим на примере транзистора с каналом «n»-типа:

Рис.33

Принцип включения: И-С включается так, чтобы основные носители двигались от И к С: на затвор подается такой потенциал, чтобы создавался канал того же типа как И,С.

На нашем примере на З подает плюс, поэтому электрическое поле З притягивает электроны и у З создается канал (индуцированный). Напряжение З-И, при котором создается канал, называется пороговый ( U п).

Основное свойство: Iк = Iс заметно зависит от U з-и, начиная с U п.

Покажем это на характеристиках:

		Рис.34а
	Рис.34

Дата добавления: 2014-01-05