Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Понятие о IGBT. При больших токах и высоких напряжениях ис­пользуют специальные комбинированные транзисторы с изолированным затвором, опытные образцы которых появились за




При больших токах и высоких напряжениях ис­пользуют специальные комбинированные транзисторы с изолированным затвором, опытные образцы которых появились за рубежом в 80-х г. прошлого века. В таких приборах совмещены сразу два основных элемента - мощный биполярный p-n-p транзистор и управляющий им маломощный полевой транзистор.

Рис. 8.13. Биполярный p-n-p транзистор и n - канальный МДП-транзистор в структуре IGBT

 

Эти два транзистора соединяют внутри корпуса IGBT так, что сток полевого транзистора соединяют с базой биполярного транзистора, а исток полевого транзистора - с коллектором биполярно­го. Эмиттер встроенного биполярного транзистора играет роль коллектора IGBT, коллектор является эмиттером IGBT, а затвор IGBT соответствует затвору встроенного полевого транзистора. При этом прямое напряжение на открытом ключе складывается из двух компонентов: напряжения на прямосмещенном эмиттерном перехо­де p-n-p транзистора (так называемая диодная составляющая) и паде­ния на сопротивлении проводящего канала и модулируемой n - области (так называемая омическая составляющая). Таким образом, в отличие от МДП-ключа прямое падение напряжения в рассматриваемой структуре, с одной стороны, не может быть меньше, чем пороговое значение диод­ной составляющей, а с другой стороны, оно пропорционально выходному току, умноженному на значительно меньшее промодулированное омиче­ское сопротивление. Поскольку омическая составляющая расположена в базовой цепи p-n-p транзистора, величину модуляции можно рассмат­ривать как уменьшенное в β раз сопротивление эпитаксиального слоя, где β - коэффициент передачи базового тока биполярного тран­зистора.

Разрабатывали IGBT как высо­ковольтные компоненты с большим током коллектора и низким напряжением коллектор-эмиттер в режиме насыщения, так как мощные полевые транзисторы в таких режимах работы обладают большим падением напряжения, а следовательно, выделяют много тепла.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-05; Просмотров: 320; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.