Основы промэлектроники

Электрические характеристики p-n – переходов.

П/п приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. К ним относятся: п/п резисторы, п/п диоды, биполярные транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры, п/п микросхемы, п/п фотоэлектрические приборы и комбинированные п/п приборы.

Различают полупроводники типа p ( с дырочной проводимостью) и типа n (с электронной проводимостью).

На границе этих полупроводников – рекомбинация основных носителей заряда и образуется электрический диполь, который создает запирающее электрическое поле Езп.

Диффузия основных носителей образует диффузионный ток. Под действием эл. поля происходит дрейф неосновных носителей, которые образуют дрейфовый ток Эти токи равны и направлены встречно.

Подключим внешний источник полярностью (+ -).

Напряженность результирующего эл. поля уменьшится Ерез = Езп – Евн, уменьшится потенциальный барьер, диффузионный ток увеличится, а дрейфовый уменьшится. В результате прямой ток Iпр – большой.

Поменяем полярность внешнего источника (- +).

Напряженность результирующего эл. поля увеличится Ерез = Езп + Евн, увеличится потенциальный барьер, диффузионный ток уменьшится, а дрейфовый увеличится. В результате обратный ток Iобр – мал При достижении напряжения пробоя U проб Неосновные носители получают энергию, достаточную ударной ионизации. Происходит лавинный (электрический) пробой и Iобр возрастает. Если еще увеличить напряжение происходит, возрастает температура и происходит тепловой пробой. Электрический пробой – обратим, тепловой – необратим.

Т.о. p-n – переход обладает свойством односторонней проводимости.

Это свойство широко используется во многих п/п приборах. Одними из таких приборов являются п/п диоды.

Дата добавления: 2014-01-06